一种谐振器结构、滤波器、双工器、多工器、通讯基站制造技术

本发明专利技术公开了一种谐振器结构，包括介质本体和至少一个设置在介质本体内部的封闭空腔。本发明专利技术还公开了一种介质滤波器、双工器以及多工器。本发明专利技术改变了现有技术通过打孔的方式实现调频的方式，简化谐振器的加工工艺，满足谐振器小型化、轻质化的要求，提高了谐振器的工业价值，在介质本体体积相同的情况下本发明专利技术的介质谐振器Q值相对于传统打孔谐振器的Q值明显提高。显提高。显提高。

【技术实现步骤摘要】
一种谐振器结构、滤波器、双工器、多工器、通讯基站


[0001]本专利技术属于通信
，具体涉及一种谐振器结构、滤波器、双工器、多工器、通讯基站。

技术介绍

[0002]电磁谐振器是一种储存一定电磁能量的元件，电能和磁能在其中周期地互相转换，这种过程称为振荡。振荡的频率称为谐振频率。传统的谐振器是金属空腔，电能和磁能在腔内互相转换。
[0003]随着无线通信系统的快速发展，高性能、小型化的无源器件成为研究的热点。传统的介质谐振器滤波器是将其置于金属波导中，体积大、重量大、加工复杂。目前常用的介质滤波器通过在介质本体上开设盲孔形成谐振腔，通过调节盲孔的尺寸(例如深度、直径等)实现谐振频率的调节，例如中国专利ZL201810247185.4公开了在介质本体上开设盲孔的谐振器，通过盲孔可以实现谐振频率的调节，在一定程度上减轻了谐振器的重量，也能满足目前通信领域对介质滤波器的要求。
[0004]但是，随着5G时代的到来，要求整个通讯系统高性能化、小型化。现有的介质滤波器结构已经不能满足5G低延时、更高速、更可靠的要求。为了满足5G通信基站的要求，谐振器及介质滤波器的结构设计也越来越复杂，原有的谐振器的孔槽数量和形状都发生了变化，虽然能使介质滤波器在性能上大大提升；但是，由于孔槽数量和形状的变化，一方面会使得导电金属材料(银浆的用量)增加，增加了产品的成本；另一方由于介质滤波器的使用场景大多在户外，调试孔表面的金属层会随着时间的推移被磨掉导致产品性能受损或无法使用；此外，孔槽数量及形状的变化也加大了加工的难度。

技术实现思路

[0005]为了克服现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种谐振器结构，采用在本体中包裹空腔的方式，改变了现有的谐振器的结构，节约了金属层材料，提高谐振器的工业价值和电性能。
[0006]为解决上述问题，本专利技术所采用的技术方案如下：
[0007]一种谐振器结构，包括介质本体和至少一个设置在介质本体内部的封闭空腔。
[0008]作为进一步优选的方案，本专利技术所述的介质本体包括第一实体和第二实体，所述第一实体上设置有一端第一开口槽，所述第二实体上对应于第一开口槽设置有第二开口槽；所述第一实体与第二实体闭合一体后，所述第一开口槽和第二开口槽合并成封闭空腔。
[0009]作为进一步优选的方案，本专利技术所述的介质本体包括第一实体和第二实体，所述第一实体上设置有开口槽；所述第二实体与第一实体合并一体后，所述开口槽形成封闭空腔。
[0010]作为进一步优选的方案，本专利技术所述的介质本体包括第一实体，所述第一实体上设置有开口槽，所述开口槽上设置有与所述开口槽尺寸相匹配的盖体；所述盖体与第一实
体合并一体后，所述开口槽形成封闭空腔。
[0011]一种谐振器结构，包括介质本体、位于介质本体内部的封闭空腔和至少一个中间介质层，所述封闭空腔通过中间介质层封闭在介质本体内部，所述介质本体具有第一介电常数，所述中间介质层具有第二介电常数，所述第一介电常数与第二介电常数不相等。
[0012]作为进一步优选的方案，本专利技术所述的中间介质层完全包裹在所述介质本体中。
[0013]作为进一步优选的方案，本专利技术所述的中间介质具有裸露的表面。
[0014]作为进一步优选的方案，本专利技术所述的介质本体表面包被有金属导电层。
[0015]作为进一步优选的方案，本专利技术所述的介质本体为介质本体的材料为陶瓷、玻璃、塑料、石料、水晶、混凝土、宝石、玛瑙中的一种，所述内置体的材料为陶瓷、玻璃、塑料、石料、水晶、混凝土、宝石、玛瑙中的一种。
[0016]作为进一步优选的方案，本专利技术所述的封闭空腔的形状为长方体、正方体、球体、半球体、类球体、梯形台、圆柱体、圆台形、棱柱体、棱锥体中的一种。
[0017]作为进一步优选的方案，本专利技术所述的封闭空腔为空气腔或惰性气体腔。
[0018]进一步的，本专利技术还提供了一种介质滤波器，所述介质滤波器至少包括一个本专利技术所述的谐振器结构。
[0019]进一步的，本专利技术还提供了一种双工器，所述双工器至少包括一个本专利技术所述的谐振器结构。
[0020]进一步的，本专利技术还提供了一种多工器，所述多工器至少包括一个本专利技术所述的谐振器结构。
[0021]进一步的，本专利技术还提供了一种通讯基站，所述通讯基站至少包括一个本专利技术所述的谐振器结构。
[0022]相比现有技术，本专利技术的有益效果在于：
[0023]1.本专利技术所述的介质谐振器结构采用内置空腔的全封闭结构，是一种无需开孔的谐振器，改变了传统开孔设计的谐振器结构；包裹式结构的谐振器由于无需开孔设计，极大提高了谐振器的工业价值，表现为在介质本体体积相同的条件下，其Q值可以提高10％-80％。
[0024]2.本专利技术所述的介质谐振器结构改变了能量储存分布方式，使得能量均汇聚于腔体内部，减小能量向外界的流失。
[0025]3.本专利技术所述的介质谐振器结构采用的嵌入式结构大大较低了加工难度，提高了成品率，并且可以缩小整个谐振器及介质滤波器的体积，减轻产品的重量。
[0026]4.本专利技术所述的介质谐振器结构相对于现有技术，节约了银浆的使用，降低了产品的成本，同时延长了产品的使用寿命。
[0027]5.本专利技术所述的介质谐振器结构可应用于通讯领域的介质滤波器、双工器，及多工器、功分器、耦合器等。
[0028]下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细说明。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于
本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0030]图1为本专利技术所述的谐振器结构的示意图；
[0031]图2为本专利技术图1的谐振器结构A-A方向的剖视图；
[0032]其中，各附图标记为：1、介质本体；2、封闭空腔。
具体实施方式
[0033]本专利技术中出现的相关术语的解释：
[0034]“介质本体”是指谐振器的本体部分，所述“封闭空腔”是指包裹在介质本体内部用于与本体部分形成谐振器的腔体。
[0035]本专利技术中出现的“第一”、“第二”等词汇等仅用于描述目的，不是数量限制，也不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0036]实施例1
[0037]如图1、图2所示，本专利技术所述的谐振器结构，包括介质本体和至少一个设置在介质本体内部的封闭空腔。不同于传统单腔形态，本专利技术在介质本体中预埋腔体的方式使得能量均汇聚于腔体内部，减小能量向外界的流失。
[0038]实施例2
[0039]一种谐振器结构，包括介质本体和至少一个设置在介质本体内部的封闭空腔，所述介质本体包括第一实体和第二实体，所述第一实体上设置有一端第一开口槽，所述第二实体上对应于第一开口槽设置有第二开口槽；所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种谐振器结构，其特征在于，包括介质本体和至少一个设置在介质本体内部的封闭空腔。2.根据权利要求1所述的谐振器结构，其特征在于，所述介质本体包括第一实体和第二实体，所述第一实体上设置有一端第一开口槽，所述第二实体上对应于第一开口槽设置有第二开口槽；所述第一实体与第二实体闭合一体后，所述第一开口槽和第二开口槽合并成封闭空腔。3.根据权利要求1所述的谐振器结构，其特征在于，所述介质本体包括第一实体和第二实体，所述第一实体上设置有开口槽；所述第二实体与第一实体合并一体后，所述开口槽形成封闭空腔。4.根据权利要求1所述的谐振器结构，其特征在于，所述介质本体包括第一实体，所述第一实体上设置有开口槽，所述开口槽上设置有与所述开口槽尺寸相匹配的盖体；所述盖体与第一实体合并一体后，所述开口槽形成封闭空腔。5.一种谐振器结构，其特征在于，包括介质本体、位于介质本体内部的封闭空腔和至少一个中间介质层，所述封闭空腔通过中间介质层封闭在介质本体内部，所述介质本体具有第一介电常数，所述中间介质层具有第二介电常数，所述第一介电常数与第二介电常数不相等。6.根据权利要求5所述的谐振器结构，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：伍隽，潘彦龙，蔡汇钢，蒋匆聪，闵祥会，
申请(专利权)人：深圳顺络电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：