【技术实现步骤摘要】
触控薄膜及其制备方法
[0001]本申请涉及触控
，具体而言，本申请涉及一种触控薄膜及其制备方法。
技术介绍
[0002]OFS(One Film Solution)触控薄膜技术是以薄膜取代原有的表面玻璃，并与触控传感器进行整合的新一代触控技术。OFS触控薄膜技术具有轻薄、可挠曲的特点，在柔性显示上具有良好的应用前景。
[0003]在现有的OFS触控薄膜技术，通常采用磁控溅射镀膜、光刻和刻蚀等真空制程在薄膜上制备出发射极和感应极。然而，真空制程对环境要求高，制备过程复杂且成本高，不适用于大规模制备，同时采用真空制程所得到的触控结构抗弯折能力弱，容易断裂而影响触摸性能。
技术实现思路
[0004]本申请的目的旨在至少解决上述技术缺陷之一，提供了一种触摸薄膜及其制备方法。
[0005]第一方面，本申请实施例提供一种触控薄膜的制备方法，包括以下步骤：
[0006]提供一薄膜衬底；
[0007]在薄膜衬底上进行压印，在薄膜衬底上制备出竖直方向的多个第一沟道和水平方向的多个第二沟道；其中，第一沟道和第二沟道相互交叉；第一沟道形成有由导电材料填充得到的第一沟道导电层，第二沟道形成有由导电材料填充得到的第二沟道导电层；
[0008]在第一沟道与第二沟道的交叉处形成带有导电层的中间绝缘结构，以使得第一沟道导电层和第二沟道导电层通过中间绝缘结构绝缘交叉，位于同一竖直方向的第一沟道导电层或位于同一水平方向的第二沟道导电层通过中间绝缘结构上的导电层相连接，形成触控结构。>[0009]在一实施例中，第一沟道和第二沟道位于薄膜衬底的同一高度；
[0010]同一水平方向上的第二沟道在与第一沟道的交叉处断开，或同一竖直方向上的第一沟道在与第二沟道的交叉处断开。
[0011]在一实施例中，在第一沟道与第二沟道的交叉处形成带有导电层的中间绝缘结构的步骤包括：
[0012]在第一沟道与第二沟道的交叉处的上方形成绝缘的跨桥结构；
[0013]在跨桥结构上形成导电层，以使得同一水平方向上断开的第二沟道导电层通过导电层相连接，第一沟道导电层与导电层相绝缘，或同一竖直方向上断开的第一沟道导电层通过导电层相连接，第二沟道导电层与导电层相绝缘。
[0014]在一实施例中，通过喷墨打印的方式在第一沟道和第二沟道的交叉处形成跨桥结构。
[0015]在一实施例中，通过喷墨打印的方式在第一沟道和第二沟道上填充导电材料形成
第一导电沟道层和第二导电沟道层。
[0016]在一实施例中，在形成触控结构的步骤之后，还包括以下步骤：
[0017]在触控结构之上涂覆防水氧材料。
[0018]在一实施例中，防水氧材料与薄膜衬底的材料相同，薄膜包括PDMS薄膜。
[0019]第二方面，本申请实施例还提供了一种触控薄膜的制备方法，包括以下步骤：
[0020]提供一薄膜衬底；
[0021]在薄膜衬底上进行压印，在薄膜衬底上制备出竖直方向的多个第一沟道；
[0022]在第一沟道上填充导电材料，得到第一沟道导电层；
[0023]在薄膜衬底上形成有第一沟道和第一沟道导电层所对应的面上涂覆绝缘材料，形成中间绝缘层；
[0024]在中间绝缘层上压印出水平方向的多个第二沟道；
[0025]在第二沟道上填充导电材料形成第二沟道导电层，形成触控结构；
[0026]其中，第一沟道导电层与第二沟道导电层通过中间绝缘层在空间位置上绝缘交叉。
[0027]第三方面，本申请实施例还提供了一种触控薄膜，包括：
[0028]薄膜衬底；
[0029]通过压印方式形成于薄膜衬底上的竖直方向的多个第一沟道和水平方向的多个第二沟道；其中，第一沟道和第二沟道相互交叉；第一沟道形成有由导电材料填充得到的第一沟道导电层，第二沟道形成有由导电材料填充得到的第二沟道导电层；
[0030]第一沟道与第二沟道的交叉处形成有带有导电层的中间绝缘结构，第一沟道导电层和第二沟道导电层通过中间绝缘结构绝缘交叉，位于同一竖直方向的第一沟道导电层或位于同一水平方向上的第二沟道导电层通过中间绝缘结构上的导电层相连接，形成触控结构。
[0031]在一实施例中，第一沟道和第二沟道位于薄膜衬底的同一高度；
[0032]同一水平方向上的第二沟道在与第一沟道的交叉处断开，或同一竖直方向上的第一沟道在与第二沟道的交叉处断开；
[0033]在第一沟道与第二沟道的交叉处的上方形成有绝缘的跨桥结构，跨桥结构上形成有导电层，同一水平方向上断开的第二沟道导电层通过导电层相连接，第一沟道导电层与导电层相绝缘，或同一竖直方向上断开的第一沟道导电层通过导电层相连接，第二沟道导电层与导电层相绝缘。
[0034]第四方面，本申请实施例还提供了一种触控薄膜，包括：
[0035]薄膜衬底；
[0036]通过压印方式形成于薄膜衬底上的竖直方向的多个第一沟道；其中，第一沟道形成有由导电材料填充得到的第一沟道导电层；
[0037]中间绝缘层，中间绝缘层形成于薄膜衬底上形成有第一沟道和第一沟道导电层所对应的面；
[0038]通过压印方式形成于中间绝缘层上的水平方向的多个第二沟道；其中，第二沟道形成有由导电材料填充得到的第二沟道导电层；
[0039]其中，第一沟道导电层与第二沟道导电层通过绝缘层绝缘交叉。
[0040]上述实施例提供的触控薄膜及其制备方法，通过提供一薄膜衬底；在薄膜衬底上进行压印，制备出竖直方向的多个第一沟道和水平方向的多个第二沟道；其中，第一沟道形成有由导电材料填充得到的第一沟道导电层，第二沟道形成有由导电材料填充得到的第二沟道导电层；在第一沟道与第二沟道的交叉处相互绝缘，以使得第一沟道导电层和第二沟道导电层绝缘交叉，形成触控结构，以实现在薄膜内部构建触控模块结构，可以避免光刻、沉积、刻蚀等复杂工艺，且压印等技术与卷对卷技术相兼容，因此可以实现触控薄膜的大规模制备，减少制备成本，在一定程度上减小触控结构的厚度。同时，相对于传统微加工工艺在衬底上向上叠加制备出第一沟道和第二沟道等工艺，本技术方案通过压印方式在衬底上向下压印制备出第一沟道和第二沟道，由于第一沟道和第二沟道及其中间绝缘结构等都制备在薄膜内部，能够起到减缓作用于触控薄膜上的外力，以起到保护触控结构的作用，从而实现制备出可拉伸触控薄膜的同时，还能提高可拉伸触控薄膜的触控性能稳定性。
[0041]本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
[0042]本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0043]图1是一实施例提供的触控薄膜的制备方法的流程图；
[0044]图2是一实施例提供的在薄膜衬底上压印出第一沟道和第二沟道的结构示意图；
[0045]图3是一实施例提供的制备本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种触控薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一薄膜衬底；在所述薄膜衬底上进行压印，在所述薄膜衬底上制备出竖直方向的多个第一沟道和水平方向的多个第二沟道；其中，所述第一沟道和所述第二沟道相互交叉；所述第一沟道形成有由导电材料填充得到的第一沟道导电层，所述第二沟道形成有由导电材料填充得到的第二沟道导电层；在所述第一沟道与所述第二沟道的交叉处形成带有导电层的中间绝缘结构，以使得所述第一沟道导电层和所述第二沟道导电层通过所述中间绝缘结构绝缘交叉，位于同一竖直方向的第一沟道导电层或位于同一水平方向的第二沟道导电层通过所述中间绝缘结构上的导电层相连接，形成触控结构。2.根据权利要求1所述的触控薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一沟道和所述第二沟道位于所述薄膜衬底的同一高度；同一水平方向上的第二沟道在与所述第一沟道的交叉处断开，或同一竖直方向上的第一沟道在与所述第二沟道的交叉处断开。3.根据权利要求2所述的触控薄膜的制备方法，其特征在于，所述在所述第一沟道与所述第二沟道的交叉处形成带有导电层的中间绝缘结构的步骤包括：在所述第一沟道与所述第二沟道的交叉处的上方形成绝缘的跨桥结构；在所述跨桥结构上形成导电层，以使得同一水平方向上断开的第二沟道导电层通过所述导电层相连接，所述第一沟道导电层与所述导电层相绝缘，或同一竖直方向上断开的第一沟道导电层通过所述导电层相连接，所述第二沟道导电层与所述导电层相绝缘。4.根据权利要求3所述的触控薄膜的制备方法，其特征在于，通过喷墨打印的方式在所述第一沟道和所述第二沟道的交叉处形成所述跨桥结构。5.根据权利要求1所述的触控薄膜的制备方法，其特征在于，通过喷墨打印的方式在所述第一沟道和所述第二沟道上填充导电材料形成第一导电沟道层和第二导电沟道层。6.根据权利要求1至5任一项所述的触控薄膜的制备方法，其特征在于，在所述形成触控结构的步骤之后，还包括以下步骤：在所述触控结构之上涂覆防水氧材料。7.一种触控薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一薄膜衬底；在所述薄膜衬底上进行压印，在所述薄膜衬底上制备出竖直方向的多个第一沟道；在所述第一沟道上填充导电材...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨柏儒，钟敏，邱志光，许嘉哲，吴梓毅，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：
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