一种量子点及其制备方法、量子点膜、显示装置制造方法及图纸

本申请提供一种量子点及其制备方法、量子点膜、显示装置，量子点包括核体以及包覆于所述核体表面的第一壳层，所述核体为ZnS1‑

【技术实现步骤摘要】
一种量子点及其制备方法、量子点膜、显示装置


[0001]本申请属于量子点领域，具体涉及一种量子点及其制备方法、量子点膜、显示装置。

技术介绍

[0002]量子点(quantum dots)，又称半导体纳米晶体，是一种新型的半导体纳米材料，尺寸在1-10nm。由于量子尺寸效应和介电限域效应使它们具有独特的光致发光(PL)和电致发光(EL)性能。与传统的有机荧光染料相比，量子点具有量子产率高，光化学稳定性高，不易光解，以及宽激发、窄发射，高色纯度，发光颜色可通过控制量子点大小进行调节等优良的光学特性，在显示
具有广泛的应用前景。
[0003]目前，镉系量子点由于具有量子效率高、半峰宽小、蓝光吸收强、稳定性好的优势，已经逐步开始商业化，但是由于重金属元素镉的存在，此类量子点不满足日益重视的环保要求，所以新型无镉量子点的发展就极为紧迫，而和常用的镉系量子点相比，ZnSe，InP等新型环保量子点却有着蓝光吸收差、半峰宽大、稳定性不好等诸多不足，亟需优化无镉量子点的合成方式，提升性能，推动其更快实现商业化。

技术实现思路

[0004]针对上述技术问题，本申请提供一种量子点，包括核体以及包覆于所述核体表面的第一壳层，所述核体为ZnS
1-x
Se
x
，其中，0≤x＜1；
[0005]所述第一壳层包含III-V族化合物。
[0006]进一步地，所述第一壳层占所述量子点的重量百分比为10～80％；
[0007]优选地，所述核体为ZnSSe；
>[0008]优选地，所述第一壳层包含InP、InAs中的至少一种。
[0009]进一步地，所述量子点还包括包覆于所述第一壳层表面的第二壳层，所述第二壳层包含II-VI族化合物；
[0010]优选地，所述第二壳层为ZnS
1-y
Se
y
，其中，0≤y≤1；
[0011]优选地，所述第二壳层的重量与所述第一壳层的重量的比值为0.1～10。
[0012]本申请还提供一种上述量子点的制备方法，包括步骤：
[0013]S1、将包括III族元素前体、V族元素前体混合，在第一温度下反应，形成包括过渡态III-V族化合物的第一溶液；
[0014]S2、将锌前体、硫前体、硒前体，或者，将锌前体、硫前体，加入所述第一溶液中，加热至第二温度反应形成包括所述核体的第二溶液；
[0015]S3、将所述第二溶液加热至第三温度，形成包括ZnS
1-x
Se
x
/III-V族核壳量子点的第三溶液；
[0016]其中，所述第一温度、所述第二温度、所述第三温度依次升高。
[0017]进一步地，步骤S1中所述第一温度为140～180℃，在所述第一温度下反应的第一
时间不超过60min；
[0018]优选地，所述第一温度为140～170℃，所述第一时间不超过30min；
[0019]优选地，所述V族元素前体包括三(二乙氨基)膦、三(二甲氨基)膦中的至少一种。
[0020]进一步地，步骤S2中所述第二温度为180～300℃，在所述第二温度下反应的第二时间为10～120min；
[0021]优选地，所述第二温度为220～260℃，所述第二时间为30～60min。
[0022]进一步地，步骤S3中所述第三温度为不小于300℃，在所述第三温度下反应的第三时间不低于30min；
[0023]优选地，所述第三温度为不小于310℃，在所述第三温度下反应的第三时间为30～60min。
[0024]进一步地，还包括步骤：
[0025]S4、加入II族元素前体溶液、VI族元素前体至所述第三溶液中，在第四温度下反应形成包括ZnS
1-x
Se
x
/III-V/II-VI族量子点的第四溶液；
[0026]优选地，第四温度为220～300℃，在所述第四温度下反应的第四时间不低于10min。
[0027]本申请还提供一种量子点膜，包括上述的量子点；
[0028]优选地，每微米厚度的所述量子点膜的吸光度大于0.2。
[0029]本申请还提供一种显示装置，包括上述的量子点膜。
[0030]有益效果：
[0031](1)本申请的量子点包括核体以及包覆于所述核体表面的第一壳层，所述核体包含ZnS
1-x
Se
x
，其中，0≤x＜1；所述第一壳层包含III-V族化合物，获得更小的量子点半峰宽，获得更强的蓝光吸收。
[0032](2)本申请的显示装置由于采用量子点组合物制备彩色滤光膜，进而蓝光吸收率高，出光性能优异。
附图说明
[0033]图1为本申请具体实施方式中量子点制备方法的工艺流程图；
[0034]图2为本申请实施例1中形成的InP簇合物、ZnSeS/InP、ZnSeS/InP/ZnS的XRD谱图；
[0035]图3为本申请实施例1中ZnSeS/InP/ZnS量子点的TEM图；
[0036]图4为本申请实施例1中ZnSeS/InP/ZnS量子点的吸收光谱；
[0037]图5为本申请实施例1中ZnSeS/InP/ZnS量子点的发射光谱。
具体实施方式
[0038]下面将结合本申请实施方式，对本申请实施例中的技术方案进行详细地描述。应注意的是，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部实施方式。如果不另外定义，则说明书中的所有术语(包括技术术语和科学术语)可以被定义为本领域技术人员通常所理解的。除非清楚定义，否则可以不理想化地或夸大地解释通用字典中定义的术语。此外，除非明确地描述为相反，否则词语“包括”和诸如“包含”或“含有”的变型将被理解为意指包括所陈述的元件(要素)，但不排除任何其它元件(要素)。
[0039]在附图中，为了清楚，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，同样的附图标记表示同样的元件。
[0040]将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反地，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。
[0041]此外，除非另外提及，否则单数包括复数。如在此使用的，“一”、“一个(种/者)”、“该(所述)”和
“……
中的至少一个(种/者)”不表示量的限制，而是意图包括单数和复数两者，除非上下文另外明确指出。例如，除非上下文另外明确指出，否则“元件(要素)”具有与“至少一个元件(要素)”相同的含义。“至少一个(种/者)”不被解释为限制“一”或“一个(种/者)”。“或”表示“和/或”。如在此使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和全部组合。还将理解的是，术语“包含”和/或“包括”或者它们的变型用在本说明书中时，说明存在所陈述的特本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点，其特征在于，包括核体以及包覆于所述核体表面的第一壳层，所述核体为ZnS
1-x
Se
x
，其中，0≤x＜1；所述第一壳层包含III-V族化合物。2.根据权利要求1所述的量子点，其特征在于，所述第一壳层占所述量子点的重量百分比为10～80％；优选地，所述核体为ZnSSe；优选地，所述第一壳层包含InP、InAs中的至少一种。3.根据权利要求1所述的量子点，其特征在于，所述量子点还包括包覆于所述第一壳层表面的第二壳层，所述第二壳层包含II-VI族化合物；优选地，所述第二壳层为ZnS
1-y
Se
y
，其中，0≤y≤1；优选地，所述第二壳层的重量与所述第一壳层的重量的比值为0.1～10。4.一种权利要求1～3任一所述的量子点的制备方法，其特征在于，包括步骤：S1、将包括III族元素前体、V族元素前体混合，在第一温度下反应，形成包括过渡态III-V族化合物的第一溶液；S2、将锌前体、硫前体、硒前体，或者，将锌前体...

【专利技术属性】
技术研发人员：李敬群，杨涵妮，曹佳佳，曹越峰，单玉亮，张思源，
申请(专利权)人：苏州星烁纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：