一种基片集成的高隔离度介质天线制造技术

本发明专利技术公开了一种基片集成的高隔离度介质天线，顶层金属结构位于第一介质基板的上表面，顶层金属结构由平行于x轴的两个金属条带和平行于y轴的金属条带构成工字型平面去耦结构。侧面金属结构由平行于x轴的四个金属条带和平行于y轴的两个金属条带构成侧边去耦结构，平行于x轴的四个金属条带位于两个矩形介质片相对的两个内侧面，平行于y轴的两个金属条带位于介质条带的相对的两个侧面。平面去耦结构与侧边去耦结构连接导通，构成天线的去耦结构，改变两个介质天线单元间的部分耦合路径，形成宽带高隔离的去耦效果。形成宽带高隔离的去耦效果。形成宽带高隔离的去耦效果。

【技术实现步骤摘要】
一种基片集成的高隔离度介质天线


[0001]本专利技术涉及微波通信领域，尤其涉及一种基片集成的高隔离度介质天线。

技术介绍

[0002]介质天线由于其具有辐射效率高、损耗小、设计自由度高等优势，在微波频段中得到了广泛的应用。基片集成介质天线的介质辐射体与馈电电路都通过PCB基板实现，因此具有较高的集成度，而传统介质天线由于其材质、高度、模式等原因无法与基片集成，不利于安装、节省成本，精度低。另一方面，天线单元之间的隔离度影响天线阵列、相控阵、MIMO天线等的匹配、方向图、效率、扫描角等，因此基片集成的高隔离度介质天线既能提高集成度又能获得好的天线性能。目前的介质天线，其介质谐振器或者去耦结构无法集成于基片，并且去耦结构存在结构复杂、尺寸大或去耦效果差等问题。因此，设计一种能够基片集成的介质天线及其去耦结构，并且达到高隔离度效果的基片集成天线，具有重要的意义。

技术实现思路

[0003]专利技术目的：针对上述现有技术，提出一种基片集成的高隔离度介质天线，将介质天线和去耦结构集成于基片，并在性能上提高隔离度及隔离带宽。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片集成的高隔离度介质天线，其特征在于，包括顶层金属结构(1)、第一介质基板(2)、侧面金属结构(3)、第二介质基板(4)、金属大地(5)、第三介质基板(7)以及金属带线(8)；所述第一介质基板(2)包括两个矩形介质片(21)和介质条带(22)，所述介质条带(22)位于中间并连接两个矩形介质片(21)；所述顶层金属结构(1)位于第一介质基板(2)的上表面，所述第一介质基板(2)的下方依次为第二介质基板(4)、金属大地(5)、第三介质基板(7)，所述金属带线(8)位于第三介质基板(7)的下表面；所述金属大地(5)开有一对槽(6)；其中，所述第一介质基板(2)、第二介质基板(4)与金属大地(5)构成两个基片集成的介质...

【专利技术属性】
技术研发人员：施金，李峻潇，徐凯，陈燕云，郁梅，张凌燕，王磊，
申请(专利权)人：南通先进通信技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：