本实用新型专利技术提供的一种低温度系数平面二极管芯片结构；包括P单晶片，所述P单晶片上分别加工有一个PN结和一个NP结，PN结和NP结表面均加工有铝层，所述PN结和NP结反向连接。本实用新型专利技术通过采用较低掺杂浓度的P单晶片制作两个不同的PN结反向连接，进行温度补偿，同时由于P单晶片的掺杂浓度较低，可以引入较高幅值的体电阻来辅助补偿温度引起的VZ的变化，使得产品的温度系数对档率得到提升。产品的温度系数对档率得到提升。产品的温度系数对档率得到提升。
【技术实现步骤摘要】
一种低温度系数平面二极管芯片结构
[0001]本技术涉及一种低温度系数平面二极管芯片结构。
技术介绍
[0002]现有低温度系数平面二极管芯片的结构通常为两个相同的PN结反向连接，达到低温度系数的目的。但由于相同PN结的反向击穿电压VBR温度系数与PN结正向导通电压VF的温度系数不完全一致，使得产品的温度系数对档率低。
技术实现思路
[0003]为解决上述技术问题，本技术提供了一种低温度系数平面二极管芯片结构。
[0004]本技术通过以下技术方案得以实现。
[0005]本技术提供的一种低温度系数平面二极管芯片结构；包括P单晶片，所述P单晶片上分别加工有一个PN结和一个NP结，PN结和NP结表面均加工有铝层，所述PN结和NP结反向连接。
[0006]所述PN结中P+区结深为3～8μm。
[0007]所述PN结和NP结中N+区结深度为0.5～2.5μm。
[0008]所述铝层厚度为1.5～4μm。
[0009]一种低温度系数平面二极管芯片的加工方法，包括以下步骤：
[0010]①
在清洗后的P单晶片表面生长氧化层；
[0011]②
在P单晶片的氧化层端面特定区域进行光刻和刻蚀形成有源区窗口A，然后进行硼扩散形成P+结区；
[0012]③
在P单晶片的氧化层端面距有源区窗口A一定距离进行光刻和刻蚀形成有源区窗口B，然后在P+结区上和新的有源窗口处进行磷扩散，形成N+区；
[0013]④
对P单晶片进行蒸铝；
[0014]⑤
使用金属刻蚀液刻蚀有源区窗口A和有源区窗口B区域外的蒸铝层。
[0015]所述步骤
②
中硼扩散的扩散温度：1000～1200℃，扩散时间：2～5h，方块电阻：R＝5～50Ω/
□
；扩散结深：3～8μm。
[0016]所述步骤
③
中磷扩散的扩散温度：1000～1150℃，扩散时间：2min～30min，方块电阻：R＝0.5～5Ω/
□
；扩散结深：0.5～2.5μm。
[0017]步骤
①
为掺氯氧化，氧化膜厚度为氧化温度为1100～1200℃，氧化时间为1～3h。
[0018]所述步骤
⑤
中刻蚀温度：30～50℃，刻蚀时间120～360s。
[0019]本技术的有益效果在于：通过采用较低掺杂浓度的P单晶片制作两个不同的PN结反向连接，进行温度补偿，同时由于P单晶片的掺杂浓度较低，可以引入较高幅值的体电阻来辅助补偿温度引起的VZ的变化，使得产品的温度系数对档率得到提升。
附图说明
[0020]图1是本技术的结构示意图；
[0021]图中：1-P单晶片，2-氧化层，3-P+结区，4-N+结区A，5-铝层，6-N+结区B。
具体实施方式
[0022]下面进一步描述本技术的技术方案，但要求保护的范围并不局限于所述。
[0023]一种低温度系数平面二极管芯片结构；包括P单晶片1，所述P单晶片1上分别加工有一个PN结和一个NP结，PN结和NP结表面均加工有铝层，所述PN结和NP结反向连接。
[0024]所述PN结中P+区结深为3～8μm。
[0025]所述PN结和NP结中N+区结深度为0.5～0.25μm。
[0026]所述铝层厚度为1.5～4μm。
[0027]一种低温度系数平面二极管芯片的加工方法，包括以下步骤：
[0028]①
在清洗后的P单晶片表面生长氧化层；
[0029]②
在P单晶片的氧化层端面特定区域进行光刻和刻蚀形成有源区窗口A，然后进行硼扩散形成P+结区；
[0030]③
在P单晶片的氧化层端面距有源区窗口A一定距离进行光刻和刻蚀形成有源区窗口B，然后在P+结区上和新的有源窗口处进行磷扩散，形成N+区；
[0031]④
对P单晶片进行蒸铝；
[0032]⑤
使用金属刻蚀液刻蚀有源区窗口A和有源区窗口B区域外的蒸铝层。
[0033]所述步骤
②
中硼扩散的扩散温度：1000～1200℃，扩散时间：2～5h，方块电阻：R＝5～50Ω/
□
；扩散结深：3～8μm。
[0034]所述步骤
③
中磷扩散的扩散温度：1000～1150℃，扩散时间：2min～30min，方块电阻：R＝0.5～5Ω/
□
；扩散结深：0.5～2.5μm。
[0035]步骤
①
为掺氯氧化，氧化膜厚度为氧化温度为1100～1200℃，氧化时间为1～3h。
[0036]所述步骤
⑤
中刻蚀温度：30～50℃，刻蚀时间120～360s。
[0037]实施例1：使用以下步骤对二极管芯进行加工：
[0038]①
在清洗后的P单晶片表面生长厚度为的氧化层；
[0039]②
在P单晶片的氧化层端面特定区域进行光刻和刻蚀形成深度为6μm的有源区窗口A，然后进行硼扩散形成结深为5μm的P+结区；
[0040]③
在P单晶片的氧化层端面距离有源区窗口A7μm处，进行光刻和刻蚀形成深度为1μm的有源区窗口B，然后在P+结区上和新的有源窗口处进行磷扩散，形成结深为1μm的N+区；
[0041]④
对P单晶片进行蒸铝，铝层厚度为2μm；
[0042]⑤
使用金属刻蚀液刻蚀有源区窗口A和有源区窗口B区域外的蒸铝层完成加工。
[0043]实施例2：使用以下步骤对二极管芯进行加工：
[0044]①
清洗后的P单晶片表面生长厚度为的氧化层；
[0045]②
在P单晶片的氧化层端面特定区域进行光刻和刻蚀形成深度为7μm的有源区窗口A，然后进行硼扩散形成结深为6μm的P+结区；
[0046]③
在P单晶片的氧化层端面距离有源区窗口A10μm处，进行光刻和刻蚀形成深度为1μm的有源区窗口B，然后在P+结区上和新的有源窗口处进行磷扩散，形成结深为1μm的N+区；
[0047]④
对P单晶片进行蒸铝，铝层厚度为3μm；
[0048]⑤
使用金属刻蚀液刻蚀有源区窗口A和有源区窗口B区域外的蒸铝层完成加工。
本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种低温度系数平面二极管芯片结构，其特征在于：包括P单晶片(1)，所述P单晶片(1)上分别加工有一个PN结和一个NP结，PN结和NP结表面均加工有铝层，所述PN结和NP结反向连接。2.如权利要求1所述的低温度系数平面二极管芯片结构，其特征在于：所述P...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁正刚，王光磊，陈侃，梁江华，付航军，
申请(专利权)人：中国振华集团永光电子有限公司国营第八七三厂，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。