阵列基板行驱动电路及显示装置制造方法及图纸

一种阵列基板行驱动电路及其显示装置，其中所述阵列基板行驱动电路包括上拉控制模块、级传模块、上拉模块、下拉模块、下拉维持模块、反相器以及下拉维持栅极控制模块，其中所述下拉维持栅极控制模块电连接在所述下拉维持模块与反相器之间，所述下拉维持模块根据第n级栅极反相信号及第n

【技术实现步骤摘要】
阵列基板行驱动电路及显示装置


[0001]本揭示涉及显示
,具体涉及一种阵列基板行驱动电路及显示装置。

技术介绍

[0002]阵列基板行驱动(GOA,Gate-driver on Array)电路基板中Q(n)电位在预充电阶段的有效抬升可保证电路的正常输出。由于其中薄膜晶体管(TFT,Thin Film Transistor)器件在开态至关态转变时，存在一定的弛豫时间，在此期间，TFT并未彻底关闭，就会造成GOA电路中Q(n)与其相关的TFT器件形成漏电通道，从而影响Q(n)电位的有效抬升。
[0003]故,有需要提供一种提高Q点预充电能力的阵列基板行驱动电路及显示装置,以解决现有技术存在的问题。

技术实现思路

[0004]为解决上述问题,本揭示提出一种阵列基板行驱动电路及其显示装置，从而改善由于与第n级栅极信号点连接的晶体管在预充电阶段关闭不够彻底，而导致阵列基板行驱动电路在预充电阶段漏电的问题。
[0005]为达成上述目的，本揭示提供一种阵列基板行驱动电路，包括:上拉控制模块，所述上拉控制模块配置为接收第n-4级输出信号及第n-4级时脉信号，所述上拉控制模块与第n级栅极信号点连接，所述第n级栅极信号点配置为输出第n级栅极信号；级传模块，所述级传模块配置为接收第一时脉信号，与第一输出信号及第二输出信号连接；上拉模块，与所述级传模块及第n级水平扫描信号连接；结构反馈信号模块，配置为分别与所述第一输出信号、所述第二输出信号及所述上拉控制模块连接；下拉模块，与第二恒压低电位、所述第n级水平扫描信号以及第n+4级输出信号连接；下拉维持模块，与所述上拉控制模块、所述下拉模块、第一恒压低电位、所述第二恒压低电位以及所述第n级栅极信号点连接；反相器，与恒压高电位、所述下拉维持模块、所述第n级栅极信号点及所述下拉模块连接，所述反相器在第n级反相栅极信号点输出第n级反相栅极信号；以及下拉维持栅极控制模块，电连接在所述下拉维持模块与反相器之间，所述下拉维持栅极控制模块根据第n级栅极反相信号及第n-4级输出信号开启或关闭。
[0006]于本揭示其中的一实施例中，所述上拉控制模块包括第一上拉控制晶体管及第二上拉控制晶体管，所述第一上拉控制晶体管的第一端配置为接收第n-4级输出信号，所述第一上拉控制晶体管的栅极配置为连接第n-4级时脉信号，所述第一上拉控制晶体管的第二端与所述第二上拉控制晶体管的第一端连接，所述第二上拉控制晶体管的栅极与所述第n-4级时脉信号连接，所述第二上拉控制晶体管的第二端与所述第n级栅极信号点以及所述下拉维持模块连接。
[0007]于本揭示其中的一实施例中，所述级传模块包括第一级传模块晶体管及第二级传模块晶体管，所述第一级传模块晶体管的栅极和所述第二级传模块晶体管的栅极与所述第n级栅极信号点连接，所述第一级传模块晶体管的第一端和所述第二级传模块晶体管的第
一端分别与所述第一时脉信号和所述上拉模块连接，所述第一级传模块晶体管的第二端与所述第一输出信号连接，所述第二级传模块晶体管的第二端与第二输出信号连接。
[0008]于本揭示其中的一实施例中，所述阵列基板行驱动电路还包括自举电容，所述上拉模块包括第一上拉晶体管，所述第一上拉晶体管的第一端与所述级传模块连接，所述第一上拉晶体管的第二端与所述自举电容连接。
[0009]于本揭示其中的一实施例中，所述下拉维持模块包括第一下拉维持晶体管，第二下拉维持晶体管，第三下拉维持晶体管，第四下拉维持晶体管以及第五下拉维持晶体管，其中所述第一下拉维持晶体管的栅极、所述第二下拉维持晶体管的栅极、所述第三下拉晶体管的栅极、所述第四下拉晶体管的栅极及所述第五下拉维持晶体管的栅极与所述第n级反相栅极信号点连接，所述第一下拉维持晶体管的第一端与所述第n级水平扫描信号连接，所述第一下拉维持晶体管的第二端与所述第二恒压低电位连接，所述第二下拉维持晶体管的第一端与第一输出信号连接，所述第二下拉维持晶体管的第二端与所述第一恒压低电位连接，所述第三下拉维持晶体管的第一端与所述第二输出信号连接，所述第三下拉维持晶体管的第二端与所述下拉模块连接，所述第四下拉维持晶体管的第一端与所述第n级栅极信号点连接，所述第四下拉维持晶体管的第二端与第五下拉维持晶体管的第一端连接，所述第五下拉维持晶体管的第二端与所述第一恒压高电位连接。
[0010]于本揭示其中的一实施例中，所述第二下拉维持晶体管的第二端还与所述第三下拉维持晶体管的第二端连接。
[0011]于本揭示其中的一实施例中，所述结构反馈信号专职模块包括反馈晶体管，所述反馈晶体管的第一端与所述上拉控制模块连接，所述反馈晶体管的栅极与所述第一输出信号连接，所述反馈晶体管的第二端与所述第二输出信号连接。
[0012]于本揭示其中的一实施例中，所述下拉维持栅极控制模块由下拉维持栅极晶体管构成，所述下拉维持栅极晶体管的第一端配置成接收第n级栅极反相信号，所述下拉维持栅极晶体管的栅极配置成接收第n-4级输出信号，所述下拉维持栅极晶体管根据所述第n级栅极反相信号与所述第n-4级输出信号开启或关闭。
[0013]于本揭示其中的一实施例中，所述下拉维持栅极控制模块由下拉维持栅极晶体管构成，所述下拉维持栅极晶体管的第一端配置成接收第n级栅极反相信号，所述下拉维持栅极晶体管的栅极配置成接收根据所述第n-4级输出信号转换的第二第n-4级输出信号，所述下拉维持栅极晶体管根据所述第n级栅极反相信号与所述第二第n-4级输出信号开启或关闭。
[0014]为达成上述目的，本揭示还提供一种显示装置，包括如上所述的阵列基板行驱动电路。
附图说明
[0015]图1显示本揭示一实施例的阵列行驱动电路示意图；
[0016]图2显示本揭示一实施例的阵列行驱动电路示意图；
[0017]图3显示本揭示一实施例的阵列行驱动电路示意图；
[0018]图4显示本揭示一实施例的显示装置示意图。
具体实施方式
[0019]以下实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本揭示可用以实施的特定实施例。本揭示所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本揭示,而非用以限制本揭示。
[0020]在图中,结构相似的单元是以相同标号表示。
[0021]为解决上述问题,本揭示提出一种阵列基板行驱动电路及其显示装置，从而改善由于与第n级栅极信号点连接的晶体管在预充电阶段关闭不够彻底，而导致阵列基板行驱动电路在预充电阶段漏电的问题。
[0022]请参阅图1，图1显示本揭示一实施例的阵列行驱动电路示意图。其中，阵列基板行驱动电路1，包括:上拉控制模块10，上拉控制模块10配置为接收第n-4级输出信号Cout(n-4)及第n-4级时脉信号CK(n-4)，上拉控制模块10与第n级栅极信号点Q连接，第n级栅极信号点Q输出第n级栅极信号Q(n)；级传模块21，级传模块21配置为接收第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板行驱动电路，其特征在于，包括:上拉控制模块，所述上拉控制模块配置为接收第n-4级输出信号及第n-4级时脉信号，所述上拉控制模块与第n级栅极信号点连接，所述第n级栅极信号点配置为输出第n级栅极信号；级传模块，所述级传模块配置为接收第一时脉信号，与第一输出信号及第二输出信号连接；上拉模块，与所述级传模块及第n级水平扫描信号连接；结构反馈信号模块，配置为分别与所述第一输出信号、所述第二输出信号及所述上拉控制模块连接；下拉模块，与第二恒压低电位、所述第n级水平扫描信号及第n+4级输出信号连接；下拉维持模块，与所述上拉控制模块、所述下拉模块、第一恒压低电位、所述第二恒压低电位以及所述第n级栅极信号点连接；反相器，与恒压高电位、所述下拉维持模块、所述第n级栅极信号点及所述下拉模块连接，所述反相器在第n级反相栅极信号点输出第n级反相栅极信号；以及下拉维持栅极控制模块，电连接在所述下拉维持模块与反相器之间，所述下拉维持栅极控制模块根据第n级栅极反相信号及第n-4级输出信号开启或关闭。2.如权利要求1所述的阵列基板行驱动电路，其特征在于，所述上拉控制模块包括第一上拉控制晶体管及第二上拉控制晶体管，所述第一上拉控制晶体管的第一端配置为接收第n-4级输出信号，所述第一上拉控制晶体管的栅极配置为连接第n-4级时脉信号，所述第一上拉控制晶体管的第二端与所述第二上拉控制晶体管的第一端连接，所述第二上拉控制晶体管的栅极与第n-4级时脉信号连接，所述第二上拉控制晶体管的第二端与所述第n级栅极信号点以及所述下拉维持模块连接。3.如权利要求1所述的阵列基板行驱动电路，其特征在于，所述级传模块包括第一级传模块晶体管及第二级传模块晶体管，所述第一级传模块晶体管的栅极和所述第二级传模块晶体管的栅极与所述第n级栅极信号点连接，所述第一级传模块晶体管的第一端和所述第二级传模块晶体管的第一端分别与所述第一时脉信号和所述上拉模块连接，所述第一级传模块晶体管的第二端与所述第一输出信号连接，所述第二级传模块晶体管的第二端与第二输出信号连接。4.如权利要求1所述的阵列基板行驱动电路，其特征在于，所述阵列基板行驱动电路还包括自举电容，所述上拉模块包括第一上拉晶体管，所述第一上拉晶体管的第一端与所述级传模块连接，所述第一上拉晶体管的第二端与所述自举电容连接。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：王宪，韩佰祥，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：