微型发光二极管的显示背板和转移方法技术

本发明专利技术提出一种微型发光二极管的显示背板和转移方法，涉及微型发光二极管领域，本发明专利技术提出一种可与盖板盖合的微型发光二极管的显示背板，用于在转移微型发光二极管时可修正显示背板上偏离键合层的微型发光二极管。显示背板与盖板盖合形成微通道，通过降温结露的方法在显示背板上形成均匀的水膜，然后在显示背板的两侧设置吸水材料从而驱动水膜形成水流通过微通道流动，并带动微型发光二极管的漂流至键合位置，从而有效解决微型发光二极管偏离显示背板的键合层的问题。显示背板的键合层的问题。显示背板的键合层的问题。

【技术实现步骤摘要】
微型发光二极管的显示背板和转移方法


[0001]本专利技术属于微型发光二极管领域，具体涉及微型发光二极管的显示背板和转移方法。

技术介绍

[0002]利用微转印技术把微型发光二极管(Micro LED)从其生长基板或具有Micro LED阵列的暂态基板上转移到驱动背板上的过程通常分为四步：第一步为转移头与Micro LED进行对位；第二步为垂直方向上移动转移头或移动具有Micro LED阵列的基板，使Micro LED与生长基板或暂态基板分离，从而实现Micro LED的拾取；第三步为显示背板和转移头进行对位，把Micro LED释放到显示背板上；第四步为升温键合。
[0003]转移过程中为了实现Micro LED的拾取需要确保转移头与Micro LED接触，因此需要施加较大的外力，可以真空压合、重力挤压等外力。图1是现有技术中转移头转移Micro LED至显示背板的示意图，如图1所示，转移头和Micro LED在接受外部施加外力的过程中很容易发生偏移，导致在释放过程中Micro LED无法放置在显示背板的目标位置或放置位置偏移影响后续制程。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种微型发光二极管的显示背板和转移方法，目的在于解决转移头转移微型发光二极管至显示背板的过程中的微型发光二极管放置位置出现偏移的问题。
[0005]本专利技术的技术方案如下：
[0006]本专利技术公开了一种微型发光二极管的显示背板，用于键合微型发光二极管，包括第一基板、位于第一基板上且阵列排布的多个键合接收区以及连接键合接收区的多条第一沟槽；其中，每个键合接收区上都设有用于容置微型发光二极管的第一凹槽，第一凹槽与第一沟槽贯通连接，键合接收区、第一凹槽和第一沟槽内都设有电极金属层，第一凹槽内还设有位于电极金属层上方的键合层。
[0007]优选地，还包括与显示背板配对盖合的盖板，所述盖板包括第二基板、位于第二基板上且与键合接收区相匹配的多个接收区凹槽以及连接接收区凹槽且与第一沟槽走向重合的多条第二沟槽；其中，所述接收区凹槽的深度大于微型发光二极管的高度，所述盖板的长度小于第一沟槽的长度。
[0008]优选地，所述第一凹槽的宽度大于微型发光二极管的宽度。
[0009]优选地，每条第一沟槽或第二沟槽连接同一行或同一列上的多个键合接收区。
[0010]优选地，所述接收区凹槽的长度和宽度大于键合接收区的长度和宽度。
[0011]本专利技术还公开了一种微型发光二极管的转移方法，用于将微型发光二极管转移至上述微型发光二极管的显示背板，包括以下步骤；
[0012]S1：转移微型发光二极管至显示背板的键合接收区并放置；
[0013]S2：盖板与显示背板盖合；
[0014]S3：降低温度至露点并在显示背板的第一沟槽、键合接收区以及第一凹槽上形成水膜；
[0015]S4：在第一沟槽的两端放置吸水材料吸附水，使水膜形成水流沿着第一沟槽流动，微型发光二极管在水流的作用下漂流至第一凹槽内；
[0016]S5：移走吸水材料和盖板：
[0017]S6：加热键合层键合微型发光二极管。
[0018]优选地，所述吸水材料为吸水纤维或吸水树脂。
[0019]本专利技术还公开了一种显示背板的制造方法，用于制造上述微型发光二极管的显示背板，包括以下步骤：
[0020]S01：先在第一基板上涂布一层负性光阻并对其进行图案化；
[0021]S02：在步骤S01的基础上沉积第一刻蚀金属层，形成位于负性光阻上方的第一金属层和位于第一基板上方的第二金属层；
[0022]S03：对负性光阻及其上方的第一金属层进行剥离，剩余的第二金属层形成第一刻蚀阻挡层；
[0023]S04：先对第一基板进行湿蚀刻形成第一凹槽以及贯通连接第一凹槽的第一沟槽，再去除第一刻蚀阻挡层；
[0024]S05：在第一基板上依次沉积电极金属层材料层和光阻，对光阻图案化后对电极金属层材料层进行刻蚀，形成位于键合接收区、第一凹槽和第一沟槽上的电极金属层，之后剥离光阻；
[0025]S06：在第一基板上依次沉积键合层材料层和光阻，对光阻图案化后对键合层材料层进行刻蚀，形成位于第一凹槽内的键合层，之后剥离光阻。
[0026]优选地，所述电极金属层材料层为金属钛和金属铜的复合层，其中金属铜位于金属钛的上方。
[0027]优选地，还包括盖板的制造步骤：
[0028]S11：先在第二基板上涂布一层负性光阻并对其进行图案化，然后除去负性光阻；
[0029]S12：在步骤S11的基础上依次沉积第二刻蚀金属层，形成位于负性光阻上方的第三金属层和位于第二基板上方的第四金属层；
[0030]S13：对负性光阻及其上方的第三金属层进行剥离，剩余的第四金属层形成第二刻蚀阻挡层；
[0031]S14：先对第二基板进行湿蚀刻形成接收区凹槽以及连接接收区凹槽的第二沟槽，再去除第二刻蚀阻挡层。
[0032]本专利技术能够带来以下至少一项有益效果：
[0033]本专利技术提出一种可与盖板盖合的微型发光二极管的显示背板，用于在转移微型发光二极管时可修正显示背板上偏离键合层的微型发光二极管。显示背板与盖板盖合形成微通道，通过降温结露的方法在显示背板上形成均匀的水膜，然后在显示背板的两侧设置吸水材料从而驱动水膜形成水流通过微通道流动，并带动微型发光二极管的漂流至键合位置，从而有效解决微型发光二极管偏离显示背板的键合层的问题。
附图说明
[0034]下面将以明确易懂的方式，结合附图说明优选实施方式，对本专利技术予以进一步说明。
[0035]图1是现有技术中转移头转移微型发光二极管至显示背板的示意图；
[0036]图2是本专利技术微型发光二极管的显示背板的示意图；
[0037]图3是本专利技术键合接收区的局部侧视图；
[0038]图4是本专利技术盖板的示意图；
[0039]图5是本专利技术微型发光二极管的转移方法步骤S1完成后的示意图；
[0040]图6是本专利技术微型发光二极管的转移方法步骤S2的示意图；
[0041]图7是本专利技术微型发光二极管的转移方法步骤S3的示意图；
[0042]图8是本专利技术微型发光二极管的转移方法步骤S4的示意图。
具体实施方式
[0043]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本专利技术的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。
[0044]为使图面简洁，各图中只示意性地表示出了与本专利技术相关的部分，它们并不代表其作为产品的实际结构。另外，以使图面简洁便于理解，在有些图中具有相同结构或功能的部件，仅示意性地绘示了其中的一个，或仅标出了其中的一个。在本文中，“一个”不仅表示“仅此一个”，也可以表示“多于一个”的情形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管的显示背板，用于键合微型发光二极管，其特征在于，包括第一基板、位于第一基板上且阵列排布的多个键合接收区以及连接键合接收区的多条第一沟槽；其中，每个键合接收区上都设有用于容置微型发光二极管的第一凹槽，第一凹槽与第一沟槽贯通连接，键合接收区、第一凹槽和第一沟槽内都设有电极金属层，第一凹槽内还设有位于电极金属层上方的键合层。2.根据权利要求1所述的微型发光二极管的显示背板，其特征在于，还包括与显示背板配对盖合的盖板，所述盖板包括第二基板、位于第二基板上且与键合接收区相匹配的多个接收区凹槽以及连接接收区凹槽且与第一沟槽走向重合的多条第二沟槽；其中，所述接收区凹槽的深度大于微型发光二极管的高度，所述盖板的长度小于第一沟槽的长度。3.根据权利要求2所述的微型发光二极管的显示背板，其特征在于，所述第一凹槽的宽度大于微型发光二极管的宽度。4.根据权利要求2所述的微型发光二极管的显示背板，其特征在于，每条第一沟槽或第二沟槽连接同一行或同一列上的多个键合接收区。5.根据权利要求2所述的微型发光二极管的显示背板，其特征在于，所述接收区凹槽的长度和宽度大于键合接收区的长度和宽度。6.一种微型发光二极管的转移方法，用于将微型发光二极管转移至如权利要求1-5任一所述微型发光二极管的显示背板，其特征在于，包括以下步骤；S1：转移微型发光二极管至显示背板的键合接收区并放置；S2：盖板与显示背板盖合；S3：降低温度至露点并在显示背板的第一沟槽、键合接收区以及第一凹槽上形成水膜；S4：在第一沟槽的两端放置吸水材料吸附水，使水膜形成水流沿着第一沟槽流动，微型发光二极管在水流的作用下漂流至第一凹槽内；S5：移走吸水材料和盖板：S6：加热键合层键合微型发光二...

【专利技术属性】
技术研发人员：张良玉，朱充沛，高威，周宇，朱煜，
申请(专利权)人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：