半导体封装结构制造技术

本申请提供一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包括芯片、第一导电金属片以及连接所述芯片与所述第一导电金属片的第一导电粘接层，所述芯片的一表面设有源极区域，所述第一导电金属片包括第一凸台和第一凸包，所述第一凸台设于所述第一导电金属片中面向所述芯片的源极区域的一面，且所述第一凸台对应于所述芯片的源极区域设置，所述第一凸包设于所述第一凸台中面向所述芯片的源极区域的一面，且所述第一凸包向靠近所述芯片的方向延伸。本申请通过设置第一凸台和第一凸包，从而保证了芯片与第一导电金属片之间的第一导电粘接层的厚度的一致性，达到提高产品的可靠性的有益效果。果。果。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构


[0001]本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体封装结构。

技术介绍

[0002]随着半导体行业的不断发展，人们对半导体的要求也越来越高，希望半导体的电性能越来越好，而制造成本可以越来越小。为了更好地满足市场的需求，芯片设计开发端不断对芯片的设计进行改进，同时，也对封装设计开发端提出了更高的要求。要求封装设计开发端的封装电阻越来越小，更高的电流量，更好的导热性能。
[0003]现有的铜片结构面临着封装电阻大、导热性能差、难达到高可靠性要求的问题。
[0004]现有的半导体封装结构中，在芯片与铜片之间的锡膏，在受热爬升过程中存在难以控制其厚度完全一致的问题，而使产品的可靠性存在一定的风险。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种半导体封装结构，以提高产品的可靠性。
[0006]为实现上述目的，本专利技术实施例提供一种半导体封装结构。该半导体封装结构包括芯片、第一导电金属片以及连接所述芯片与所述第一导电金属片的第一导电粘接层，所述芯片的一表面设有源极区域，所述第一导电金属片包括第一凸台和第一凸包，所述第一凸台设于所述第一导电金属片中面向所述芯片的源极区域的一面，且所述第一凸台对应于所述芯片的源极区域设置，所述第一凸包设于所述第一凸台中面向所述芯片的源极区域的一面，且所述第一凸包向靠近所述芯片的方向延伸。
[0007]可选的，所述第一凸包位于所述第一凸台的中心区域。
[0008]可选的，所述第一凸包上开设有第一通孔，所述第一通孔沿所述第一导电金属片的厚度方向贯穿所述第一导电金属片，所述第一导电粘接层部分穿设于所述第一通孔中。
[0009]可选的，所述第一凸包的数量为多个，多个所述第一凸包间隔设置于所述第一凸台的中心区域。
[0010]可选的，所述第一凸台的中心与所述芯片的源极区域的中心重合。
[0011]可选的，所述第一导电金属片还包括：
[0012]第一主体，所述第一主体覆设于所述芯片上，且所述第一主体的正投影位于所述芯片的外周缘之内，所述第一凸台设于所述第一主体上；
[0013]第一连接部，所述第一连接部的一端与所述第一主体连接，另一端向远离所述第一主体的方向延伸；
[0014]第一引线部，所述第一引线部的一端与所述第一连接部连接，另一端向远离所述第一连接部的方向延伸。
[0015]可选的，所述第一主体包括防溢部，所述防溢部围绕所述第一凸台的外周缘设置，所述防溢部的宽度大于0.2mm，且所述防溢部的外周缘至所述芯片的外周缘的间距大于0.1mm；和/或，
[0016]所述第一连接部开设有对穿孔；和/或，
[0017]所述第一引线部远离所述第一连接部的一端开设有凹槽。
[0018]可选的，所述芯片的一表面设有栅极区域，所述半导体封装结构还包括第二导电金属片以及连接所述芯片与所述第二导电金属片的第二导电粘接层，所述第二导电金属片对应于所述芯片的栅极区域设置，且与所述第一导电金属片相互绝缘隔离设置；所述第二导电金属片包括第二凸台，所述第二凸台设于所述第二导电金属片中面向所述芯片的栅极区域的一面，所述第二凸台对应于所述芯片的栅极区域设置。
[0019]可选的，所述第二导电金属片还包括第二凸包，所述第二凸包设于所述第二凸台中面向所述芯片的栅极区域的一面，且所述第二凸包向靠近所述芯片的方向延伸。
[0020]可选的，所述第二凸包位于所述第二凸台的中心区域；和/或，
[0021]所述第二凸包上开设有第二通孔，所述第二通孔沿所述第二导电金属片的厚度方向贯穿所述第二导电金属片，所述第二导电粘接层部分穿设于所述第二通孔中。
[0022]上述实施例的半导体封装结构中，通过设置第一凸台，以确保在芯片与第一导电金属片之间的第一导电粘接层在受热爬升过程中能够达到一致的厚度；通过在第一凸台中面向芯片的源极区域的一面设置第一凸包，从而通过第一凸包挤压位于芯片和第一凸台之间的第一导电粘接层，而保证芯片与第一导电金属片之间的第一导电粘接层的厚度的一致性，达到提高产品的可靠性的有益效果；同时，通过设置第一凸包而增加了第一导电金属片与芯片之间的接触面积，从而达到了减小封装电阻、提高导热性能的有益效果。
附图说明
[0023]图1是本专利技术一示例性实施例的半导体封装结构的芯片、第一金属片和第二金属片组装在一起时的立体结构示意图。
[0024]图2是本专利技术一示例性实施例的半导体封装结构的俯视结构示意图。
[0025]图3是本专利技术一示例性实施例的半导体封装结构的第一金属片和第二金属片的另一角度的立体结构示意图。
[0026]图4是本专利技术一示例性实施例的半导体封装结构的第一金属片和第二金属片的仰视结构示意图。
[0027]图5是图4中A-A方向的剖视结构示意图。
[0028]图6是图4中B-B方向的剖视结构示意图。
[0029]附图标记说明
[0030]芯片10
[0031]第一导电金属片20
[0032]第一凸台21
[0033]第一凸包22
[0034]第一通孔23
[0035]第一主体24
[0036]防溢部241
[0037]第一连接部25
[0038]对穿孔251
[0039]第一引线部26
[0040]凹槽261
[0041]第二导电金属片30
[0042]第二凸台31
[0043]第二凸包32
[0044]第二通孔33
[0045]第二主体34
[0046]第二连接部35
[0047]第二引线部36
[0048]第一凸台的高度H1
[0049]第一凸包的高度h1
[0050]第二凸台的高度H2
[0051]第二凸包的高度h2
[0052]第一导电金属片的厚度方向T
[0053]第二导电金属片的厚度方向t
[0054]防溢部的宽度d
[0055]防溢部的外周缘至芯片的外周缘的间距D
具体实施方式
[0056]这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置的例子。
[0057]在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。除非另作定义，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请说明书以及权利要求书中使用的“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，包括芯片、第一导电金属片以及连接所述芯片与所述第一导电金属片的第一导电粘接层，所述芯片的一表面设有源极区域，其特征在于，所述第一导电金属片包括第一凸台和第一凸包，所述第一凸台设于所述第一导电金属片中面向所述芯片的源极区域的一面，且所述第一凸台对应于所述芯片的源极区域设置，所述第一凸包设于所述第一凸台中面向所述芯片的源极区域的一面，且所述第一凸包向靠近所述芯片的方向延伸。2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一凸包位于所述第一凸台的中心区域。3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一凸包上开设有第一通孔，所述第一通孔沿所述第一导电金属片的厚度方向贯穿所述第一导电金属片，所述第一导电粘接层部分穿设于所述第一通孔中。4.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一凸包的数量为多个，多个所述第一凸包间隔设置于所述第一凸台的中心区域。5.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一凸台的中心与所述芯片的源极区域的中心重合。6.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一导电金属片还包括：第一主体，所述第一主体覆设于所述芯片上，且所述第一主体的正投影位于所述芯片的外周缘之内，所述第一凸台设于所述第一主体上；第一连接部，所述第一连接部的一端与所述第一主体连接，另一端向远离所述第一主体的方向延伸；第一引线部，所述第一引线部的...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹烨，陈一鸣，朱洪耀，赵万里，
申请(专利权)人：无锡华润华晶微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：