一种球形二氧化硅粉体填料的制备方法、由此得到的粉体填料及其应用技术

本发明专利技术涉及一种球形二氧化硅粉体填料的制备方法，其包括如下步骤：S1，由R

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一种球形二氧化硅粉体填料的制备方法、由此得到的粉体填料及其应用
本专利技术涉及电路板，更具体地涉及一种球形二氧化硅粉体填料的制备方法、由此得到的粉体填料及其应用。
技术介绍
半导体芯片的载板，通信用途的高频高速电路板，智能手机的HDI板等电路板，为了降低热膨胀系数，降低吸水率，降低诱电损失等目的，通常需要加入二氧化硅等无机填料。在多层电路的加工过程中，需要穿贯通孔来实现层之间的导电线路联接。由于现有的二氧化硅硬度高，对钻头的磨损非常严重。为了解决这个问题，通常的办法是加润滑剂，或添加硬度低的填料。但这一般会造成热膨胀系数的上升，信赖性下降等问题。
技术实现思路
为了解决现有技术中的二氧化硅粉体填料具有较高硬度而导致的电路板难穿孔的问题，本专利技术提供一种球形二氧化硅粉体填料的制备方法、由此得到的粉体填料及其应用。本专利技术提供一种球形二氧化硅粉体填料的制备方法，其包括如下步骤：S1，由R1SiX3的加水分解缩合反应来提供包括T单位的球形聚硅氧烷，其中，R1为氢原子或可独立选择的碳原子1至18的有机基，X为加水可分解基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种球形二氧化硅粉体填料的制备方法，其特征在于，该制备方法包括如下步骤：/nS1，由R

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20200217 CN PCT/CN2020/0755591.一种球形二氧化硅粉体填料的制备方法，其特征在于，该制备方法包括如下步骤：
S1，由R1SiX3的加水分解缩合反应来提供包括T单位的球形聚硅氧烷，其中，R1为氢原子或可独立选择的碳原子1至18的有机基，X为加水可分解基团，T单位为R1SiO3-；
S2，在常压露点10度以上的氧化气体氛围条件下煅烧球形聚硅氧烷，煅烧温度介于650度-1100度之间，得到低硬度的球形二氧化硅粉体填料，该球形二氧化硅粉体填料中存在未缩合羟基；
或者将球形聚硅氧烷中的全部或部分有机成份除去后，直接导入燃料燃烧火焰中进行煅烧，火焰的最高温度区的温度介于650度-2230度之间，得到低硬度的球形二氧化硅粉体填料，该球形二氧化硅粉体填料中存在未缩合羟基。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，该球形二氧化硅粉体填料满足以下条件：200度干燥1小时的重量减少(重量％)/比表面积(m2/g)介于0.01-0.1的范围内。


3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，加水可分解基团为烷氧基或卤素原子。


4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，煅烧球形聚硅氧烷的氧化气体氛围的常压露点介于10-50度之间。


5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，煅烧温度介于650度-1000度之间，煅烧时间介于6小时-12小时之间。


6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，该球形聚硅氧烷还含有Q单位、D单位、和/或M单位，其中，Q单位＝SiO4-，D单位＝...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈海斌，张磊磊，王珂，黄江波，丁烈平，
申请(专利权)人：浙江三时纪新材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33