一种耦合/去耦网络及抗干扰测试系统技术方案

本发明专利技术涉及一种耦合/去耦网络及抗干扰测试系统，包括耦合电路和去耦电路，所述耦合电路包括耦合电容和耦合隔离电感，所述耦合电容的一端连接干扰信号发生器，耦合电感的另一端通过耦合隔离电感连接至EUT端口，所述耦合电容用于通过所述耦合隔离电感将干扰信号同时耦合到两根被测线上；所述去耦电路包括去耦电容、去耦隔离电感和共模电感，所述去耦电容的第一端连接至去耦隔离电感的中心抽头，所述去耦电容的第二端接地，所述去耦隔离电感的两端对应连接至AE端口；所述共模电感的一侧连接至EUT端口，所述共模电感的另一侧连接至AE端口。本发明专利技术通过信号隔离电感来隔离被测线之间的信号导通，同时可以将干扰信号无衰减的传递给被测线路。

【技术实现步骤摘要】
一种耦合/去耦网络及抗干扰测试系统
本申请属于网络信号传输
，尤其是涉及一种耦合/去耦网络及抗干扰测试系统。
技术介绍
高速耦合/去耦网络用于国家标准GB/T17626.18中非频率对称线(高速率传输线)多线同时耦合干扰信号，同时评估被测产品的抗干扰能力。耦合/去耦网络中的耦合电路既要能将被测干扰信号耦合到被测线路上，同时还要隔离被测线路上的有用信号，避免不同线路上的信号相互导通，使之无法正常工作，从而无法判定被测产品的抗干扰能力。耦合/去耦网络中的去耦电路，既要能将被测干扰信号去耦，同时还能让被测线路中的有用传输信号能够在线路中正常传输。现阶段市面上耦合/去耦电路中选用的耦合/去耦器件主要是电容器，也有少量采用GDT(气体放电管)。采用电容器，会造成被测线路之间，通讯信号短路。采用GDT，由于GDT工作时会产生放电火花，严重影响试验波形，而且持续长时间工作，容易损毁。
技术实现思路
本专利技术主要用于解决现有技术中的耦合/去耦网络，若采用电容器，容易造成被测线路之间通讯信号短路，若采用GDT，工作时会产生放电火花，严重影响试验波形，而且持续长时间工作，容易损毁的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种耦合/去耦网络及抗干扰测试系统，本专利技术的耦合/去耦网络采用的电容器来实现，通过一个耦合电容将干扰信号同时耦合到两根被测线上，同时为了避免两根被测线之间在耦合电容端的短路，在两根被测线之间设置了隔离电感，以隔离两根被测线之间的信号导通，同时可以将耦合电容耦合过来的干扰信号无衰减的传递给被测线路上。本专利技术采用的技术方案具体为：本专利技术第一方面提供一种耦合/去耦网络，所述耦合/去耦网络连接在辅助设备和被测设备之间，包括耦合电路和去耦电路，所述耦合电路的一侧连接EUT端口，所述耦合电路的另一侧通过去耦电路连接AE端口；所述耦合电路包括耦合电容和耦合隔离电感，所述耦合电容的第一端用于连接干扰信号发生器，所述耦合电容的第二端连接至所述耦合隔离电感的中心抽头，所述耦合隔离电感的两端对应连接至EUT端口，所述耦合电容用于通过所述耦合隔离电感将干扰信号同时耦合到两根被测线上；所述去耦电路包括去耦电容、去耦隔离电感和共模电感，所述去耦电容的第一端连接至去耦隔离电感的中心抽头，所述去耦电容的第二端接地，所述去耦隔离电感的两端对应连接至AE端口；所述共模电感的一侧连接至EUT端口，所述共模电感的另一侧连接至AE端口。本专利技术第二方面提供一种抗干扰测试系统，包括干扰信号发生器，用于产生测试用干扰信号，还包括本专利技术第一方面所述的耦合/去耦网络。本专利技术的有益效果是：本专利技术耦合电路通过一个耦合电容同时对两根被测线进行耦合，即将干扰信号同时耦合到两根被测线上，通过设置信号隔离电感来隔离两根被测线之间的信号导通，同时可以将耦合电容耦合过来的干扰信号无衰减的传递给被测线路上保证干扰信号不失真传递，而且在耦合电容耦合情况下，保证网络传输1000Mbit速率信号。附图说明下面结合附图和实施例对本申请的技术方案进一步说明。图1是本申请实施例的耦合去耦网络结构原理图；图2是本申请实施例的耦合去耦网络电路原理图。图中的附图标记：1-耦合电路，2-去耦电路。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请的技术方案。实施例1本实施例1提供一种用于产品耦合/去耦网络，如图1所示，包括：所述耦合/去耦网络连接在辅助设备(AE)和被测设备(EUT)之间，包括耦合电路和去耦电路，所述耦合电路的一侧连接EUT端口，所述耦合电路的另一侧通过去耦电路连接AE端口；所述耦合电路1包括耦合电容(Co1、Co2)和耦合隔离电感(L1、L2)，所述耦合电容的第一端用于连接干扰信号发生器，所述耦合电容的第二端连接至所述耦合隔离电感的中心抽头，所述耦合隔离电感的两端对应连接至EUT端口，所述耦合电容用于通过所述耦合隔离电感将干扰信号同时耦合到两根被测线上；所述去耦电路2包括去耦电容(Cq1、Cq2)、去耦隔离电感(L3、L4)和共模电感(L5)，所述去耦电容的第一端连接至去耦隔离电感的中心抽头，所述去耦电容的第二端接地，所述去耦隔离电感的两端对应连接至AE端口；所述共模电感的一侧连接至EUT端口，所述共模电感的另一侧连接至AE端口。本实施例的耦合去耦网络连接在被测设备与辅助设备之间，耦合去耦网络的输入端连接干扰信号发生器的信号输出端，用于接收干扰信号发生器输送的测试用干扰信号，并耦合至被测设备。本实施例耦合电路中，一个耦合电容同时对两根被测线进行耦合，即：将干扰信号发生器产生的试验干扰信号同时耦合到两根被测线上。由于两根被测线在耦合电容端会短路，因此，增加了一个去耦隔离电感，用于隔离两根被测线之间的信号导通，同时可以将耦合电容耦合过来的干扰信号无衰减的传递到被测设备(EUT)的被测线路上。本实施例的耦合/去耦网络在使用时，首先根据被测设备选择相应的干扰信号，通过干扰信号发生器(例如可以是RF电路)将干扰信号传输至本实施例的耦合/去耦网络中，干扰信号通过耦合电路部分进行耦合后传输至被测设备，耦合电路中的一个耦合电容将干扰信号同时耦合到两根被测线上，因为设置有耦合隔离电感，可以保证耦合电容耦合过来的干扰信号无衰减的传递给被测线路上。信号传输中的干扰信号大部分将被共模电感阻止吸收变成磁感和热能，剩下的大部分被去耦电容旁路到地，提高抗干扰的性能，通过去耦电路能够有效的确保耦合后的干扰信号不会传递至辅助设备(AE)，影响本实施例的工作。如图2所示，本实施例所述耦合电容包括第一耦合电容Co1、第二耦合电容Co2，所述耦合隔离电感包括第一隔离电感L1和第二隔离电感L2；所述第一耦合电容Co1连接第一隔离电感L1的中心抽头，所述第二耦合电容Co2连接第二隔离电感L2的中心抽头，所述第一隔离电感L1、所述第二隔离电感L2的两端分别对应连接至EUT端口。本实施例的EUT端口和AE端口均为三相四线制的，设置的端口依次为L01端、L02端、L03端、N端。耦合电路中设置两个耦合电容，第一耦合电容Co1对应的两根被测线之间设置第一隔离电感L1，第一隔离电感L1的两端分别连接至EUT端口对应的L01、L02端。第二耦合电容Co2对应的两根被测线之间设置第二隔离电感L2，第一隔离电感L2的两端分别连接至EUT端口的L03、N端。第一耦合电容Co1、第二耦合电容Co2的第二端均连接至干扰信号发生器的信号输出端口，用于将接收到的干扰信号耦合至各自对应的两根被测线上。可选的是，所述去耦电容包括第一去耦电容Cq1、第二去耦电容Cq2，所述去耦隔离电感包括第三隔离电感L3、第四隔离电感L4；所述第一去耦电容Cq1的第一端连接第三隔离电感L3的中心抽头，所述第二去耦电容Cq2的第一端连接第四隔离电感L4的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种耦合/去耦网络，所述耦合/去耦网络连接在辅助设备和被测设备之间，包括耦合电路和去耦电路，所述耦合电路的一侧连接EUT端口，所述耦合电路的另一侧通过去耦电路连接AE端口，其特征在于：/n所述耦合电路包括耦合电容和耦合隔离电感，所述耦合电容的第一端用于连接干扰信号发生器，所述耦合电容的第二端连接至所述耦合隔离电感的中心抽头，所述耦合隔离电感的两端对应连接至EUT端口，所述耦合电容用于通过所述耦合隔离电感将干扰信号同时耦合到两根被测线上；/n所述去耦电路包括去耦电容、去耦隔离电感和共模电感，所述去耦电容的第一端连接至去耦隔离电感的中心抽头，所述去耦电容的第二端接地，所述去耦隔离电感的两端对应连接至AE端口；所述共模电感的一侧连接至EUT端口，所述共模电感的另一侧连接至AE端口。/n

【技术特征摘要】
1.一种耦合/去耦网络，所述耦合/去耦网络连接在辅助设备和被测设备之间，包括耦合电路和去耦电路，所述耦合电路的一侧连接EUT端口，所述耦合电路的另一侧通过去耦电路连接AE端口，其特征在于：
所述耦合电路包括耦合电容和耦合隔离电感，所述耦合电容的第一端用于连接干扰信号发生器，所述耦合电容的第二端连接至所述耦合隔离电感的中心抽头，所述耦合隔离电感的两端对应连接至EUT端口，所述耦合电容用于通过所述耦合隔离电感将干扰信号同时耦合到两根被测线上；
所述去耦电路包括去耦电容、去耦隔离电感和共模电感，所述去耦电容的第一端连接至去耦隔离电感的中心抽头，所述去耦电容的第二端接地，所述去耦隔离电感的两端对应连接至AE端口；所述共模电感的一侧连接至EUT端口，所述共模电感的另一侧连接至AE端口。


2.根据权利要求1所述的耦合/去耦网络，其特征在于，所述耦合隔离电感的绕线采用单一方向绕2n匝，第n匝中心位置抽头与耦合电容连接。


3.根据权利要求1所述的耦合/去耦网络，其特征在于，所述去耦隔离电感的绕线采用单一方向绕2n匝，在第n匝中心位置抽头与去耦电容连接。


4.根据权利要求2所述的耦合/去耦网络，其特征在于，所述耦合电容包括第一耦合电容Co1、第二耦合电容Co2，...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡小军，陈思远，王津，黄学军，
申请(专利权)人：苏州泰思特电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32