一种测试结构及测试结构的制备方法技术

本发明专利技术实施例涉及显示技术领域，公开了一种测试结构及测试结构的制备方法，测试结构包括：基板、位于基板上的形变层、位于形变层上的第一电极层及电接触结构；第一电极层通电时，形变层朝远离基板表面的方向凸起，以使所述电接触结构朝远离基板表面的方向移动。本发明专利技术提供的测试结构及测试结构的制备方法能够实现待测芯片电性测试的同时，加工工艺简单。

【技术实现步骤摘要】
一种测试结构及测试结构的制备方法
本专利技术实施例涉及显示
，特别涉及一种测试结构及测试结构的制备方法。
技术介绍
在Micro-LED显示面板加工领域，批量转移技术可实现大批量的Micro-LED芯片到驱动背板上的高速转移，是降低Micro-LED显示屏体加工成本和提升工艺良率的关键技术。在实施批量转移前，需要对Micro-LED芯片阵列进行测试，并采用Mapping的方式标定出电学性能良好的芯片。换句话说，批量转移技术需要选择电学性能良好的Micro-LED芯片进行批量转移，这是保证批量转移实施有效性的前提。现有技术中通过LED芯片测试探针对Micro-LED芯片进行测试。专利技术人发现现有技术中至少存在如下问题：LED芯片测试探针难以与Micro-LED芯片上的电极良好接触，从而难以实现Micro-LED芯片的电性测试。
技术实现思路
本专利技术实施方式的目的在于提供一种测试结构及测试结构的制备方法，其能够实现待测芯片电性测试的同时，加工工艺简单。为解决上述技术问题，本专利技术的实施方式提供了一种测试结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种测试结构，其特征在于，包括：/n基板、位于所述基板上的形变层、位于所述形变层上的第一电极层及电接触结构；所述第一电极层通电时，所述形变层朝远离所述基板表面的方向凸起，以使所述电接触结构朝远离所述基板表面的方向移动。/n

【技术特征摘要】
1.一种测试结构，其特征在于，包括：
基板、位于所述基板上的形变层、位于所述形变层上的第一电极层及电接触结构；所述第一电极层通电时，所述形变层朝远离所述基板表面的方向凸起，以使所述电接触结构朝远离所述基板表面的方向移动。


2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述形变层为压电膜。


3.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述基板上设有贯穿所述基板的通孔，所述通孔正对所述电接触结构。


4.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述基板远离所述形变层的一侧上设有盲孔，所述盲孔正对所述电接触结构。


5.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，还包括第二电极层，所述第二电极层位于所述形变层上、所述电接触结构位于所述第二电极层上，所述第一电极层与所述第二电极层同层间隔设置。


6.根据权利要求5所述的测试结构，其特征在于，所述第一电极层包括两个第一梳齿部，两个所述第一梳齿部均位于所述形变层上，两个所述第一梳齿部通电时，所述形变层朝远离所述基板表面的方向凸起。


7.根据权利要求6所述的测试结构，其特征在于，所述第二电极层包括第二梳齿部，所述第二梳齿部位于两个所述第一梳齿部之间，所述电接触结构位于所述第二梳齿部上；
优选地，所述第二梳...

【专利技术属性】
技术研发人员：邢汝博，
申请(专利权)人：成都辰显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51