【技术实现步骤摘要】
芯片电阻检测装置和芯片器件
本技术涉及电阻检测
，特别是涉及一种芯片电阻检测装置和芯片器件。
技术介绍
电阻检测技术常会应用到各类芯片器件上的电阻实际阻值的检测，例如但不限于ADC(Analog-to-digitalconverter，模拟数字转换器)和PLL(PhaseLockedLoop，锁相环)等芯片器件。由于芯片生产工艺的局限和受温度的影响，芯片上的电阻等无源元件的精度较低，例如电阻的实际阻值通常相对其标称值要变化20％，甚至更多。因此，设计人员无法准确获知芯片内的电阻的实际阻值，以使之与标称值相等，进而保证芯片上电路的性能。为了获知芯片内的电阻的实际阻值，传统的电阻检测技术是设计专门的电阻检测装置，并使用基准电阻和引入芯片内部参考时钟与寄存器电路，对芯片的内部电阻进行测试。然而，在实现技术过程中，专利技术人发现。传统的电阻检测技术至少存在着检测功耗较大的问题。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种可以大幅降低检测功耗的芯片电阻检测装置。为了实现上述目的，本技术实施例采用以下技术方案：<...
【技术保护点】
1.一种芯片电阻检测装置，其特征在于，包括：/n电流产生电路，用于连接外接电阻，产生基准电流；所述基准电流为被测芯片器件的带隙参考电压与所述外接电阻的阻值之比；/n电压比较电路，电流输入端连接所述电流产生电路的电流输出端，用于产生与所述基准电流对应的测试电压，并输出所述测试电压与所述带隙参考电压的比较结果；/n输出转换电路，输入端连接所述电压比较电路的输出端，用于将所述比较结果转为数字信号输出至所述芯片器件的数字电路。/n
【技术特征摘要】
1.一种芯片电阻检测装置，其特征在于，包括：
电流产生电路，用于连接外接电阻，产生基准电流；所述基准电流为被测芯片器件的带隙参考电压与所述外接电阻的阻值之比；
电压比较电路，电流输入端连接所述电流产生电路的电流输出端，用于产生与所述基准电流对应的测试电压，并输出所述测试电压与所述带隙参考电压的比较结果；
输出转换电路，输入端连接所述电压比较电路的输出端，用于将所述比较结果转为数字信号输出至所述芯片器件的数字电路。
2.根据权利要求1所述的芯片电阻检测装置，其特征在于，所述电压比较电路包括电阻网络单元和比较器；
所述电阻网络单元的输入端分别连接所述电流产生电路的电流输出端和所述比较器的正相输入端，所述电阻网络单元的输出端接地，所述比较器的反相输入端用于接入所述带隙参考电压，所述比较器的输出端连接所述输出转换电路的输入端。
3.根据权利要求2所述的芯片电阻检测装置，其特征在于，所述电阻网络单元包括第一电阻网络和第一开关组；所述第一电阻网络包括依次串联的N个电阻R0，所述第一开关组包括与所述电阻R0一一对应的N个选通开关K1，N为大于或等于2的正整数；
所述第一电阻网络的输入端分别连接所述电流产生电路的电流输出端和所述比较器的正相输入端，所述第一电阻网络的输出端接地；
各所述选通开关K1一端均连接至所述第一电阻网络的输入端，各所述选通开关K1的另一端分别连接至相应所述电阻R0的输出端。
4.根据权利要求3所述的芯片电阻检测装置，其特征在于，所述电阻网络单元还包括第二电阻网络和第二开关组；所述第二电阻网络包括M个依次串联的子网络，任一所述子网络均包括并联的若干电阻R1，所述第二开关组包括与所述子网络一一对应的M个选通开关K2，M为大于或等于1的正整数；
所述第二电阻网络的输入端连接所述第一电阻网络的输出端，所述第二电阻网络的输出端接地，各所述选通开关K2分别与相应所述子网络的电阻R1并联。
5.根据权利要求4所述的芯片电阻检测装置，其特征在于，所述电阻网络单元还包括接地电阻R2，所述第二电阻网络的输出端通过所述接地电阻R2接地；各所述子网络中并联的所述电阻R1的数量不相同；所述选通开关K1为场效应管或开关三极管，所述选通开关K2为场效应管或开关三极管。
6.根据权利要求1至5任一项所述的芯片电阻检测装置，其特征在于，所述电流产生电路包括运算放大器、电流镜MP0、电流...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭振宇，韩智毅，
申请(专利权)人：广东华芯微特集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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