半导体激光器装置制造方法及图纸

半导体激光器装置(50)具有激光器部(21)和调制器部(23)。激光器部(21)具有：第一台面条带(25)，其形成于半导体衬底(1)，且在激光器部(21)射出的激光的光轴的方向延伸；半绝缘性填埋层(7)，其与第一台面条带(25)的两侧面接触地配置，且形成于半导体衬底(1)；n型填埋层(8)，其形成于半绝缘性填埋层(7)的表面；以及p型包层(9)，其将n型填埋层(8)以及第一台面条带(25)的表面覆盖。调制器部(23)具有：第二台面条带(25)，其形成于半导体衬底(1)，且在光轴的方向延伸；半绝缘性填埋层(7)，其与第二台面条带(25)的两侧面接触地配置，且形成于半导体衬底(1)；以及p型包层(9)，其将半绝缘性填埋层(7)以及第二台面条带(25)的表面覆盖。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体激光器装置
本申请涉及在光通信中利用的集成了电场吸收型调制器和半导体激光器的半导体激光器装置。
技术介绍
开发了以下技术，即，集成有填埋型的电场吸收型(EA)调制器和半导体激光器的半导体激光器装置将掺杂了Fe(铁)的半绝缘性半导体层(Fe-InP层)用作填埋层(例如，参照专利文献1、专利文献2)。在专利文献2的图33(现有例)中，公开了如下半导体激光器装置，即，半导体激光器部(区域I)、分离部(区域II)、调制器部(区域III)的台面构造部的两旁被Fe掺杂InP半绝缘性半导体层(半绝缘性半导体层)以及n型InP空穴陷阱层(n型填埋层)填埋，且n型InP空穴陷阱层的表面(与n型InP半导体衬底相反侧的面)和台面构造部的表面被p型InP包层(p型包层)覆盖。n型InP空穴陷阱层被用于防止从p型InP包层向Fe掺杂InP半绝缘性半导体层的空穴注入，改善激光器效率。在专利文献1的第一例(图1)中公开了如下集成型光调制器(半导体激光器装置)，即，激光器区域(激光器部)的台面条带的两侧面被Fe掺杂InP高电阻阻挡层(半绝缘性半导体层)填埋，且本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体激光器装置，其在相同的半导体衬底形成有激光器部和调制器部，/n该半导体激光器装置的特征在于，/n所述激光器部具有：第一台面条带，其形成于所述半导体衬底，且包含有在所述激光器部射出的激光的光轴的方向延伸的台面即有源层；半绝缘性填埋层，其与所述第一台面条带的两侧面接触地配置，且形成于所述半导体衬底；n型填埋层，其形成于所述半绝缘性填埋层的表面；以及p型包层，其将所述n型填埋层以及所述第一台面条带的表面覆盖，/n所述调制器部具有：第二台面条带，其形成于所述半导体衬底，且包含有在所述光轴的方向延伸的台面即吸收层；半绝缘性填埋层，其与所述第二台面条带的两侧面接触地配置，且形成于所述半导体衬...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体激光器装置，其在相同的半导体衬底形成有激光器部和调制器部，
该半导体激光器装置的特征在于，
所述激光器部具有：第一台面条带，其形成于所述半导体衬底，且包含有在所述激光器部射出的激光的光轴的方向延伸的台面即有源层；半绝缘性填埋层，其与所述第一台面条带的两侧面接触地配置，且形成于所述半导体衬底；n型填埋层，其形成于所述半绝缘性填埋层的表面；以及p型包层，其将所述n型填埋层以及所述第一台面条带的表面覆盖，
所述调制器部具有：第二台面条带，其形成于所述半导体衬底，且包含有在所述光轴的方向延伸的台面即吸收层；半绝缘性填埋层，其与所述第二台面条带的两侧面接触地配置，且形成于所述半导体衬底；以及p型包层，其将所述半绝缘性填埋层以及所述第二台面条带的表面覆盖。


2.一种半导体激光器装置，其在相同的半导体衬底形成有激光器部和调制器部，
该半导体激光器装置的特征在于，
所述激光器部具有：第一台面条带，其形成于所述半导体衬底，且包含有在所述激光器部射出的激光的光轴的方向延伸的台面即有源层；半绝缘性填埋层，其与所述第一台面条带的两侧面接触地配置，且形成于所述半导体衬底；n型填埋层，其形成于所述半绝缘性填埋层的表面；以及p型包层，其将所述n型填埋层以及所述第一台面条带的表面覆盖，
所述调制器部具有：第二台面条带，其形成于所述半导体衬底，且包含有在所述光轴的方向延伸的台面即吸收层；半绝缘性填埋层，其与所述第二台面条带的两侧面接触地配置，且形成于所述半导体衬底；n型填埋层，其形成于所述半绝缘性填埋层的表面，且配置于与所述第二台面条带相邻的区域；以及p型包层，其将所述半绝缘性填埋层、所述n型填埋层、以及所述第二台面条带的表面覆盖。


3.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，
具有在所述激光器部与所述调制器部之间形成的分离部，
所述分离部具有：第三台面条带，其形成于所述半导体衬底，且包含有在所述光轴的方向延伸的台面即吸收层；半绝缘性填埋层，其与所述第三台面条带的两侧面接触地配置，且形成于所述半导体衬底；以及p型包层，其将所述半绝缘性填埋层以及所述第三台面条带的表面覆盖。


4.根据权利要求2所述的半导体激光器装置，其特征在于，
具有在所述激光器部与所述调制器部之间形成的分离部，
所述分离部具有：第三台面条带，其形成于所述半导体衬底，且包含有在所述光轴的方向延伸的台面即吸收层；半绝缘性填埋层，其与所述第三台面条带的两侧面接触地配置，且形成于所述半导体衬底；n型填埋层，其形成于所述半绝缘性填埋层的表面，且配置于...

【专利技术属性】
技术研发人员：大和屋武，柳乐崇，奥田真也，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP