一种功率放大电路制造技术

本发明专利技术的一个实施例公开了一种功率放大电路，该电路包括：信号放大单元和直流偏置单元；其中，信号放大单元，用于对输入的射频信号进行放大，输出放大后的射频信号；直流偏置单元，用于向所述信号放大单元输出偏置电压。本发明专利技术在实现了对射频信号放大的基础上，提供了足够高的输出功率，降低了电路功耗，提高了功率放大电路的效率。

【技术实现步骤摘要】
一种功率放大电路
本专利技术涉及集成电路领域，具体涉及一种功率放大电路。
技术介绍
随着半导体技术和工艺愈发成熟，单片微波集成电路不断发展，其中，射频GaAs芯片已经大量应用在雷达、射电天文、电子战、遥感遥控等系统中，是通信系统的关键电路。放大器主要应用于通信系统的收发通道中，它提供一定的增益并实现微波信号的放大，将信号送至下一级电路，放大器两端与其他芯片直接相连，需要实现50欧姆阻抗匹配，目前多数产品上使用的放大电路的缺点在于功耗大、效率低。
技术实现思路
因此，本专利技术针对上述问题，提供一种功率放大电路，该电路包括信号放大单元，用于对输入的射频信号进行放大，输出放大后的射频信号；直流偏置单元，用于向所述信号放大单元输出偏置电压。在一个具体实施例中，所述信号放大单元包括：第一到第八电容器、第一到第十一电感器、第一到第三电阻器和第一到第三增强型场效应晶体管；其中，所述第一电容器的第一端与信号输入端连接；所述第一电容器的第二端连接所述第一电感器的第一端，第一电感器的第二端接地；所述第二电容器的第一端与所述第一电容器的第二端连接；所述第三电容器的第一端与所述第二电容器的第二端连接；所述第一电阻器的第一端与所述第三电容器的第一端连接，所述第一电阻器的第二端与所述第三电容器的第二端连接；所述第一增强型场效应晶体管的栅极与所述第三电容器的第二端连接，所述第一增强型场效应晶体管的漏极与所述第三电感器的第一端连接，所述第一增强型场效应晶体管的源极与所述第二电感器的第一端连接；所述第二电感器的第二端接地；所述第三电感器的第二端与所述第四电感器的第一端连接；所述第四电容器的第一端与所述第三电感器的第二端连接，所述第四电容器的第二端接地；所述第二增强型场效应晶体管的源极与所述第四电感器第二端连接，所述第二增强型场效应晶体管的漏极与所述第五电感器的第一端连接；所述第五电感器的第二端与所述第六电感器的第一端连接；所述第六电感器的第二端接收电压；所述第五电容器的第一端与所述第六电感器的第一端连接，所述第五电容器的第二端与第二电阻器的第一端连接；所述第二电阻器的第二端与所述第六电容器的第一端连接；所述第三增强型场效应晶体管的栅极与所述第六电容器的第二端连接，所述第三增强型场效应晶体管的源极接地，所述第三增强型场效应晶体管的漏极与所述第七电感器的第一端连接；所述第三电阻器的第一端与所述第六电容器的第一端连接，所述第三电阻器的第二端与所述第六电容器的第二端连接；所述第七电感器的第二端与所述第八电感器的第一端连接；所述第八电感器的第二端接收电压；所述第九电感器的第一端与所述第八电感器的第一端连接；所述第九电感器的第二端与所述第七电容器的第一端连接；所述第七电容器的第二端与所述第十一电感器的第一端连接；所述第十电感器的第一端与所述第七电容器的第二端连接；所述第十电感器的第二端与所述第八电容器的第一端连接；所述第八电容器的第二端接地；所述第十一电感器的第二端与信号输出端连接。在一个具体实施例中，所述直流偏置单元包括：第四到第九电阻器、第四到第六增强型场效应晶体管和第九电容器；其中，所述第五电阻器的第一端接收电压，所述第五电阻器的第二端分别与所述第四电阻器的第一端以及所述第二增强型场效应晶体管的栅极连接，为第二增强型场效应晶体管提供栅极电压；所述第四电阻器的第二端与第四增强型场效应晶体管的栅极和漏极连接；所述第四增强型场效应晶体管的源极接地；所述第七电阻器的第一端接收电压，所述第七电阻器的第二端分别与所述第六电阻器的第一端以及所述第一电阻器的第一端连接，为第一增强型场效应晶体管提供栅极电压；所述第六电阻器的第二端与第五增强型场效应晶体管的栅极和漏极连接；所述第五增强型场效应晶体管的源极接地；所述第九电阻器的第一端接收电压，所述第九电阻器的第二端分别与所述第八电阻器的第一端以及所述第三电阻器的第一端连接，为第三增强型场效应晶体管提供栅极电压；所述第八电阻器的第二端与第六增强型场效应晶体管的栅极和漏极连接；所述第六增强型场效应晶体管的源极接地；所述第九电容器的第一端接收电压，所述第九电容器的第二端接地。在一个具体实施例中，所述信号放大单元中的第一增强型场效应晶体管和直流偏置单元中的第五增强型场效应晶体管共同构成了电流输入-电压输出型负反馈。在一个具体实施例中，所述信号放大单元中的第三增强型场效应晶体管和直流偏置单元中的第六增强型场效应晶体管共同构成了电流输入-电压输出型负反馈。在一个具体实施例中，所述第一增强型场效应晶体管、第三电感器、第四电感器和第二增强型场效应晶体管共同构成共源共栅结构。在一个具体实施例中，所述第八电感器、第七电感器以及第九电感器构成了T型匹配网络来拓展电路带宽。在一个具体实施例中，所述第三电容器和第一电阻器形成增益补偿电路结构。在一个具体实施例中，所述第六电容器和第三电阻器形成增益补偿电路结构。本专利技术的有益效果如下：本专利技术在实现了对射频信号放大的基础上，提供了足够高的输出功率，降低了电路功耗，提高了功率放大电路的效率。附图说明为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有的技术方案，下面将对具体实施方式或现有的技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见的，下面描述中的附图是本申请的一种实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1示出根据本专利技术一个实施例的一种功率放大电路的结构框图。图2示出根据本专利技术一个实施例的一种功率放大电路的电路图。具体实施方式为了使本专利技术的技术方案更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。以下通过具体实施例对本专利技术进行了详细的说明，但这些并非构成对本专利技术的限制。在不脱离本专利技术原理的情况下，本领域的技术人员可以做出变形与改进，也应视为本专利技术的保护范围。图1示出根据本专利技术一个实施例的一种功率放大电路的结构框图。由图1可知，功率放大电路包括信号放大单元和直流偏置单元。图中VDD端为工作电压的输入端，RFin为射频信号的信号输入端，RFOUT为射频信号的信号输出端。具体的，信号放大单元主要用于基于信号输入端所输入的射频信号来进行放大，通过信号输出端输出放大后的射频信号，直流偏置单元基于VDD端所输入端的工作电压来向信号放大单元输出偏置电压，本专利技术在实现了对射频信号放大的基础上，提供了足够高的输出功率，降低了电路功耗，提高了功率放大电路的效率。图2示出根据本专利技术一个实施例的一种功率放大电路的电路图。由图2可知，所述信号放大单元包括：第一到第八电容器C1～C8、第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率放大电路，其特征在于，所述电路包括/n信号放大单元，用于对输入的射频信号进行放大，输出放大后的射频信号；/n直流偏置单元，用于向所述信号放大单元输出偏置电压。/n

【技术特征摘要】
1.一种功率放大电路，其特征在于，所述电路包括
信号放大单元，用于对输入的射频信号进行放大，输出放大后的射频信号；
直流偏置单元，用于向所述信号放大单元输出偏置电压。


2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述信号放大单元包括：
第一到第八电容器、第一到第十一电感器、第一到第三电阻器和第一到第三增强型场效应晶体管；
其中，
所述第一电容器的第一端与信号输入端连接；
所述第一电容器的第二端连接所述第一电感器的第一端，第一电感器的第二端接地；
所述第二电容器的第一端与所述第一电容器的第二端连接；
所述第三电容器的第一端与所述第二电容器的第二端连接；
所述第一电阻器的第一端与所述第三电容器的第一端连接，所述第一电阻器的第二端与所述第三电容器的第二端连接；
所述第一增强型场效应晶体管的栅极与所述第三电容器的第二端连接，所述第一增强型场效应晶体管的漏极与所述第三电感器的第一端连接，所述第一增强型场效应晶体管的源极与所述第二电感器的第一端连接；
所述第二电感器的第二端接地；
所述第三电感器的第二端与所述第四电感器的第一端连接；
所述第四电容器的第一端与所述第三电感器的第二端连接，所述第四电容器的第二端接地；
所述第二增强型场效应晶体管的源极与所述第四电感器第二端连接，所述第二增强型场效应晶体管的漏极与所述第五电感器的第一端连接；
所述第五电感器的第二端与所述第六电感器的第一端连接；
所述第六电感器的第二端接收电压；
所述第五电容器的第一端与所述第六电感器的第一端连接，所述第五电容器的第二端与第二电阻器的第一端连接；
所述第二电阻器的第二端与所述第六电容器的第一端连接；
所述第三增强型场效应晶体管的栅极与所述第六电容器的第二端连接，所述第三增强型场效应晶体管的源极接地，所述第三增强型场效应晶体管的漏极与所述第七电感器的第一端连接；
所述第三电阻器的第一端与所述第六电容器的第一端连接，所述第三电阻器的第二端与所述第六电容器的第二端连接；
所述第七电感器的第二端与所述第八电感器的第一端连接；
所述第八电感器的第二端接收电压；
所述第九电感器的第一端与所述第八电感器的第一端连接；所述第九电感器的第二端与所述第七电容器的第一端连接；
所述第七电容器的第二端与所述第十一电感器的第一端连接；
所述第十电感器的第一端与所述第七电容器的第二端连...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晶，
申请(专利权)人：北京无线电测量研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11