电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种电子装置，其特征在于，包括：第一基板、第二基板、液晶层、馈入结构以及多个移相电极。所述液晶层设置于所述第一基板与所述第二基板之间，所述馈入结构设置于所述第一基板上，用以传输一射频信号，所述多个移相电极设置于所述第一基板上，且所述多个移相电极的至少一者用以接收所述射频信号。此外，所述多个移相电极的至少一者与薄膜晶体管电性连接。

【技术实现步骤摘要】
电子装置
本专利技术是有关于一种电子装置，特别是有关于具有由有源式驱动组件所控制的移相电极的电子装置。
技术介绍
目前的电子产品有些可同时作为电子调制装置来使用，例如，作为可调制电磁波的天线装置，但目前的天线装置仍未在各个方面皆彻底地符合需求。举例来说，在移相电极由无源式驱动组件所控制的天线数组中，可能会有线路耦合或短路的问题。因此，发展出可有效维持电磁波调制的稳定性或操作可靠度的天线装置仍为目前业界致力研究的课题之一。
技术实现思路
根据本专利技术一些实施例，提供一种电子装置，其特征在于，包括：第一基板、第二基板、液晶层、馈入结构以及多个移相电极。所述液晶层设置于所述第一基板与所述第二基板之间，所述馈入结构设置于所述第一基板上，用以传输一射频信号，所述多个移相电极设置于所述第一基板上，且所述多个移相电极的至少一者用以接收所述射频信号。此外，所述多个移相电极的至少一者与薄膜晶体管电性连接。在本专利技术的一实施例中，所述薄膜晶体管包括一有源层，于所述电子装置的俯视方向，所述有源层与所述多个移相电极的至少一者不重叠。在本专利技术的一实施例中，所述有源层与所述多个移相电极的至少一者之间相距一距离，所述距离的范围介于0.1毫米至100毫米之间。在本专利技术的一实施例中，所述薄膜晶体管包括一有源层，于所述电子装置的俯视方向，所述有源层与所述馈入结构不重叠。在本专利技术的一实施例中，所述有源层与所述馈入结构之间相距一距离，所述距离的范围介于1毫米至200毫米之间。在本专利技术的一实施例中，该电子装置更包括一贴片组件，设置于所述多个移相电极的至少一者上，其中所述薄膜晶体管包括一有源层，于所述电子装置的俯视方向，所述有源层与所述贴片组件不重叠。在本专利技术的一实施例中，所述有源层与所述贴片组件之间相距一距离，所述距离的范围介于0.1毫米至150毫米之间。在本专利技术的一实施例中，该电子装置更包括多个贴片组件，分别设置于所述多个移相电极上，其中相邻的两个贴片组件之间相距一距离，所述距离的范围介于0.1毫米至300毫米之间。在本专利技术的一实施例中，所述多个移相电极的至少一者进一步与另一薄膜晶体管电性连接。在本专利技术的一实施例中，该电子装置更包括一储存电容，与所述多个移相电极的至少一者电性连接。在本专利技术的一实施例中，所述多个移相电极各自与一薄膜晶体管电性连接。在本专利技术的一实施例中，该电子装置与所述多个移相电极电性连接的薄膜晶体管各自包括一有源层，其中相邻的两个薄膜晶体管的有源层之间相距一距离，所述距离的范围介于0.1毫米至300毫米之间。在本专利技术的一实施例中，所述薄膜晶体管设置于所述液晶层与所述第一基板之间。在本专利技术的一实施例中，所述馈入结构包括一馈入线，所述馈入线的一端部与所述多个移相电极的至少一者的一端部相对设置。在本专利技术的一实施例中，所述馈入线的所述端部与所述多个移相电极的至少一者的所述端部之间相距一距离，所述距离的范围介于0.05毫米至5毫米之间。在本专利技术的一实施例中，所述馈入线借由一导孔与一导电层电性连接。在本专利技术的一实施例中，所述馈入结构与所述多个移相电极的至少一者设置于不同层别。在本专利技术的一实施例中，所述馈入结构与所述多个移相电极的至少一者部分地重叠。在本专利技术的一实施例中，该电子装置更包括一阻障层，与所述薄膜晶体管部分地重叠。在本专利技术的一实施例中，所述阻障层借由一导孔与一电位固定的导电层电性连接。附图说明为让本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本专利技术的具体实施方式作详细说明，其中：图1A显示根据本专利技术一些实施例中，电子装置的俯视结构示意图；图1B显示根据本专利技术一些实施例中，电子装置的局部放大示意图；图1C显示根据本专利技术一些实施例中，电子装置的剖面结构示意图；图2A至2D显示根据本专利技术一些实施例中，电子装置于制程中间阶段的剖面结构示意图；图3显示根据本专利技术一些实施例中，电子装置的俯视结构示意图；图4显示根据本专利技术一些实施例中，电子装置的俯视结构示意图；图5A至5D显示根据本专利技术一些实施例中，电子装置的移相电极的俯视结构示意图；图6显示根据本专利技术一些实施例中，电子装置的剖面结构示意图；图7显示根据本专利技术一些实施例中，电子装置的剖面结构示意图；图8显示根据本专利技术一些实施例中，电子装置的剖面结构示意图；图9显示根据本专利技术一些实施例中，电子装置的剖面结构示意图；图10A显示根据本专利技术一些实施例中，电子装置的俯视结构示意图；图10B显示根据本专利技术一些实施例中，电子装置的剖面结构示意图；图11A至11F显示根据本专利技术一些实施例中，电子装置于制程中间阶段的剖面结构示意图；图12显示根据本专利技术一些实施例中，电子装置的剖面结构示意图；图13显示根据本专利技术一些实施例中，电子装置的剖面结构示意图；图14显示根据本专利技术一些实施例中，电子装置的剖面结构示意图；图15显示根据本专利技术一些实施例中，电子装置的剖面结构示意图；图16显示根据本专利技术一些实施例中，电子装置的剖面结构示意图；图17显示根据本专利技术一些实施例中，电子装置的剖面结构示意图；图18A至18D显示根据本专利技术一些实施例中，电子装置的单元电路示意图。【符号说明】10A、10B、10C、10D、10E、10F、10G、10H、10I、10J、10K、10L、10M、10N电子装置；100A调制单元；102第一基板；104缓冲层；106第一绝缘层；108第二绝缘层；110第三绝缘层；120第二导电层；202第二基板；204贴片组件；206第四绝缘层208第一导电层；208p开口；300液晶层；400馈入结构；400s馈入线；400t1端部；400t2端部；402导孔；402’导孔；402”导孔；402p’开口；402p”开口；420第三导电层；500移相电极；500t1端部；500t2端部；502p开口；502导孔；600薄膜晶体管；602栅极电极层；604有源层；606a漏极电极层；606b源极电极层；700阻障层；702导孔；720第四导电层；Cst电容；Comp补偿电容；C1中心线；C2中心线；d1第一距离；d2第二距离；d3第三距离；d4第四距离；d5第五距离；d6第六距离；BP弯折部；DL数据线；E1第一长度方向；E2第二长度方向；E3第三长度方向；E4第四长度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子装置，其特征在于，包括：/n一第一基板；/n一第二基板；/n一液晶层，设置于所述第一基板与所述第二基板之间；/n一馈入结构，设置于所述第一基板上，用以传输一射频信号；以及/n多个移相电极，设置于所述第一基板上，且所述多个移相电极的至少一者用以接收所述射频信号；/n其中所述多个移相电极的至少一者与一薄膜晶体管电性连接。/n

【技术特征摘要】
20190705 CN 20191060367391.一种电子装置，其特征在于，包括：
一第一基板；
一第二基板；
一液晶层，设置于所述第一基板与所述第二基板之间；
一馈入结构，设置于所述第一基板上，用以传输一射频信号；以及
多个移相电极，设置于所述第一基板上，且所述多个移相电极的至少一者用以接收所述射频信号；
其中所述多个移相电极的至少一者与一薄膜晶体管电性连接。


2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述薄膜晶体管包括一有源层，于所述电子装置的俯视方向，所述有源层与所述多个移相电极的至少一者不重叠。


3.如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述有源层与所述多个移相电极的至少一者之间相距一距离，所述距离的范围介于0.1毫米至100毫米之间。


4.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述薄膜晶体管包括一有源层，于所述电子装置的俯视方向，所述有源层与所述馈入结构不重叠。


5.如权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述有源层与所述馈入结构之间相距一距离，所述距离的范围介于1毫米至200毫米之间。


6.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，更包括一贴片组件，设置于所述多个移相电极的至少一者上，其中所述薄膜晶体管包括一有源层，于所述电子装置的俯视方向，所述有源层与所述贴片组件不重叠。


7.如权利要求6所述的电子装置，其特征在于，所述有源层与所述贴片组件之间相距一距离，所述距离的范围介于0.1毫米至150毫米之间。


8.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，更包括多个贴片组件，分别设置于所述多个移相电极上，其中相邻的两个贴片组件之间相距一距离，所述距离的范围介于0.1毫米至30...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱亮云，蔡宗翰，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71