操作存储器装置的方法制造方法及图纸

操作存储器装置的方法。本技术涉及电子装置。根据本技术的具有改进的测试性能的存储器装置的操作方法包括：基于多个存储器管芯中的每一个的操作速度，分别设定与多个存储器管芯相对应的多个编程偏压；基于多个存储器管芯当中的被选存储器管芯的被选块中所包括的多个字线组中的每一个的操作速度，分别设定与多个字线组相对应的多个偏移；以及使用基于与被选存储器管芯相对应的编程偏压和多个偏移而确定的多个高电压和设定的低电压来检测被选存储器管芯的目标块的缺陷。

【技术实现步骤摘要】
操作存储器装置的方法
本专利技术公开涉及一种电子装置，更具体地，涉及一种操作存储器装置的方法。
技术介绍
储存装置是在诸如计算机或智能电话之类的主机装置的控制下存储数据的装置。储存装置可以包括存储数据的存储器装置和控制存储器装置的存储器控制器。存储器装置可以是易失性存储器装置或非易失性存储器装置。易失性存储器装置仅在通电时存储数据，而在切断电源时会丢失所存储的数据。易失性存储器装置可以包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)等。非易失性存储器装置即使断电也不会丢失数据。非易失性存储器装置可以包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存等。消费者对改进的电子装置的需求要求对这些电子装置所采用的存储器装置进行持续改进。
技术实现思路
本专利技术公开的实施方式提供了一种操作存储器装置的改进方法，其提供了改进的测试性能。根据本专利技术公开的实施方式的操作存储器装置的方法包括：基于多个存储器管芯中的每一个的操作速度本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：/n基于多个存储器管芯中的每一个的操作速度，分别设定与所述多个存储器管芯相对应的多个编程偏压；/n基于所述多个存储器管芯当中的被选存储器管芯的被选块中所包括的多个字线组中的每一个的操作速度，分别设定与所述多个字线组相对应的多个偏移；以及/n使用基于与所述被选存储器管芯相对应的编程偏压和所述多个偏移确定的多个高电压和设定的低电压来检测所述被选存储器管芯的目标块的缺陷。/n

【技术特征摘要】
20190703 KR 10-2019-00802751.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：
基于多个存储器管芯中的每一个的操作速度，分别设定与所述多个存储器管芯相对应的多个编程偏压；
基于所述多个存储器管芯当中的被选存储器管芯的被选块中所包括的多个字线组中的每一个的操作速度，分别设定与所述多个字线组相对应的多个偏移；以及
使用基于与所述被选存储器管芯相对应的编程偏压和所述多个偏移确定的多个高电压和设定的低电压来检测所述被选存储器管芯的目标块的缺陷。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，该检测步骤包括以下步骤：
将所述设定的低电压施加到所述目标块中所包括的奇数字线和偶数字线中的任何一者的字线，并将所述多个高电压施加到其它字线；以及
基于对所述目标块执行测试操作的结果，确定所述目标块是坏块还是正常块。


3.根据权利要求2所述的方法，其中，该施加步骤包括：将所述设定的低电压施加到所述奇数字线并根据所述偶数字线所属的字线组将所述多个高电压分别施加到所述偶数字线。


4.根据权利要求2所述的方法，其中，该施加步骤包括：将所述设定的低电压施加到所述偶数字线，以及根据所述奇数字线所属的字线组将所述多个高电压分别施加到所述奇数字线。


5.根据权利要求2所述的方法，其中，该施加步骤包括：将成对电压施加到所述目标块中所包括的所述字线中彼此相邻的第一字线和第二字线。


6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述成对电压包括所述多个高电压当中的任何一个高电压和所述设定的低电压。


7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述任何一个高电压是通过将与所述被选存储器管芯相对应的编程偏压和所述多个偏移当中的与包括所述任何一个高电压所施加到的字线的字线组相对应的偏移相加而获得的值。


8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述设定的低电压是接地电压。


9.根据权利要求2所述的方法，其中，基于所述目标块中所包括的字线的泄漏电流来确定所述目标块是所述坏块还是所述正常块。


10.根据权利要求2所述的方法，其中，该确定步骤包括以下步骤：
将原始数据编程到所述目标块的被选存储器单元中；以及
基于从所述被选存储器单元读取的数据与所述原始数据之间的比较，确定所述目标块是所述坏块还是所述正常块。

【专利技术属性】
技术研发人员：黄圭汎，金熙泳，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR