一种X Band六位数控移相器制造技术

本实用新型专利技术涉及移相器技术领域，尤其为一种X Band六位数控移相器，6个移相单元依次连接而成，移相值分别为‑90°、‑45°、‑11.25°、‑22.5°、‑5.625°、‑180°，共使用了2种电路结构，T型滤波器型结构和嵌入式开关滤波器型结构。‑5.625°、‑11.25°、‑22.5°采用简化T型移相结构。由于‑45°移相单元的移相值相对较大，仅靠低通滤波器的移相通道不能实现，需要在参考通道串联电容使参考态的相位超前，从而在通道切换时得到‑45°移相值。‑90°和‑180°移相值较大，采用嵌入式开关滤波器型结构，在pHEMT在开和关状态时，使网络等效为LC高通或低通滤波器来实现移相功能。

【技术实现步骤摘要】
一种XBand六位数控移相器
本技术涉及移相器
，具体为一种XBand六位数控移相器。
技术介绍
传统的移相器领域，采用了T型滤波器型结构和嵌入式开关滤波器型结构；简化T型结构只适合小移相量，随着移相量的增加，带宽变窄，精度越差；嵌入式开关结构适合大移相量单元，但是驻波不太理想，驻波大将对整个电路参数影响。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种XBand六位数控移相器，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种XBand六位数控移相器，包含6个移相单元，6个移相单元依次连接而成，移相值分别为-90°、-45°、-11.25°、-22.5°、-5.625°、-180°，每个移相单元端口阻抗均为50Ω，其中：-5.625°、-11.25°、-22.5°、-45°采用简化T型移相结构，-90°和-180°采用嵌入式开关滤波器型结构。优选的，-5.625°移相结构包括两个三极管，其中第一个三极管栅极通过电阻接到控制端，源级作为信号输入端，漏级作为信号输出端，且源级和漏级之间串入两本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种X Band六位数控移相器，包含6个移相单元，其特征在于：6个移相单元依次连接而成，移相值分别为-90°、-45°、-11.25°、-22.5°、-5.625°、-180°，每个移相单元端口阻抗均为50Ω，其中：-5.625°、-11.25°、-22.5°、-45°采用简化T型移相结构，-90°和-180°采用嵌入式开关滤波器型结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种XBand六位数控移相器，包含6个移相单元，其特征在于：6个移相单元依次连接而成，移相值分别为-90°、-45°、-11.25°、-22.5°、-5.625°、-180°，每个移相单元端口阻抗均为50Ω，其中：-5.625°、-11.25°、-22.5°、-45°采用简化T型移相结构，-90°和-180°采用嵌入式开关滤波器型结构。


2.根据权利要求1所述的一种XBand六位数控移相器，其特征在于：-5.625°移相结构包括两个三极管，其中第一个三极管栅极通过电阻接到控制端，源级作为信号输入端，漏级作为信号输出端，且源级和漏级之间串入两个电感，第二个三极管栅极通过电阻接到控制端，漏级并连接到两个电感之间，源级通过另一电感接地，在源级和漏级之间串入电阻。


3.根据权利要求1所述的一种XBand六位数控移相器，其特征在于：-11.25°和-22.5°移相结构包括三个三极管，其中第一个三极管栅极通过电阻接到控制端，源级作为信号输入端，漏级作为信号输出端，且源级和漏级之间串入两个电感，第二个三极管栅极通过电阻接到控制端，漏级并连接到两个电感之间，在源级和漏级之间串入电阻，并且源级与第三个三极管漏级连接，第三个三极管源级接地，栅极通过电阻接到控制端，同时漏接通过另一电感接地。


4.根据权利要求1所述的一种XBand六位数控移相器，其特征在于：-45°移相结构包括五个三极管，其中每个三极管的栅极通过电阻接到控制端，第一个三极管源级作为信号输入端，漏级与第二个三极管源级连接，第三个三极管源级源级与第二个三极管漏级连接，且第三个三极管漏级...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘润彬，黄军恒，
申请(专利权)人：合肥芯谷微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34