基于IGBT栅极驱动芯片的软关断系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种基于IGBT栅极驱动芯片的软关断系统，包括MOS管，MOS管的漏极用于连接IGBT的栅极，MOS管的源极接地。所述系统还包括电压获取模块、电压参考模块及比较控制模块。电压获取模块用于根据IGBT短路时的栅极电压输出第一电压信号。电压参考模块用于产生具有理想下降波形的第二电压信号。比较控制模块用于将第一电压信号与第二电压信号进行比较，并根据比较结果输出控制信号至IGBT的栅极，以控制MOS管的导通或截止，使得IGBT的栅极电压对地放电而减小或保持不变。如此，可保证IGBT的栅极电压能以理想速率下降直至关断IGBT，实现可靠且高效的软关断目的。

【技术实现步骤摘要】
基于IGBT栅极驱动芯片的软关断系统
本技术涉及IGBT驱动芯片领域，尤其涉及一种基于IGBT栅极驱动芯片的软关断系统。
技术介绍
IGBT驱动器被广泛应用于光伏，风力发电，变频，电动汽车等热门行业，但在实际应用中，由于各种故障原因可能会发生IGBT短路情况，从而造成IGBT急剧发热，如果任由短路情况持续发生一定的时间，例如超过IGBT典型短路时间10us，将会造成IGBT烧毁。因此需要在发生短路时及时地关闭IGBT，而关闭方式通常是将IGBT的门极电压拉低，但是如果关闭IGBT的速度太快，也就是门极电压dv/dt太大，造成IGBT漏极电流di/dt过大，那么由于IGBT漏极寄生杂感的作用，会导致IGBT漏极产生非常高的过冲电压，这个高电压很有可能会击穿损坏IGBT器件，甚至造成IGBT模块爆炸，从而造成更多的财产损失。目前已有技术是通过在PCB板上搭建电路实现短路保护的，具体操作方式是检测到短路后，通过一个RC电路对IGBT门极放电。这样的保护方式相对来说具有不可靠、低效率及高成本的缺点：1、不同应用条件下，需要对RC参数做实时调整，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于IGBT栅极驱动芯片的软关断系统，用于与IGBT栅极连接，以在IGBT发生短路时提供软关断保护，其特征在于，所述基于IGBT栅极驱动芯片的软关断系统包括MOS管Q1，所述MOS管Q1的漏极用于连接IGBT的栅极，所述MOS管Q1的源极接地，所述基于IGBT栅极驱动芯片的软关断系统还包括：/n电压获取模块，所述电压获取模块的输入端与所述MOS管Q1的漏极电连接，所述电压获取模块用于在所述IGBT发生短路时获取所述IGBT的栅极电压，并根据所述IGBT的栅极电压输出第一电压信号；/n电压参考模块，所述电压参考模块用于产生具有理想下降波形的第二电压信号；/n比较控制模块，所述比较控制模块...

【技术特征摘要】
1.一种基于IGBT栅极驱动芯片的软关断系统，用于与IGBT栅极连接，以在IGBT发生短路时提供软关断保护，其特征在于，所述基于IGBT栅极驱动芯片的软关断系统包括MOS管Q1，所述MOS管Q1的漏极用于连接IGBT的栅极，所述MOS管Q1的源极接地，所述基于IGBT栅极驱动芯片的软关断系统还包括：
电压获取模块，所述电压获取模块的输入端与所述MOS管Q1的漏极电连接，所述电压获取模块用于在所述IGBT发生短路时获取所述IGBT的栅极电压，并根据所述IGBT的栅极电压输出第一电压信号；
电压参考模块，所述电压参考模块用于产生具有理想下降波形的第二电压信号；
比较控制模块，所述比较控制模块的输入端与所述电压获取模块的输出端及所述电压参考模块的输出端电连接，所述比较控制模块的输出端电连接至所述MOS管Q1的栅极，所述比较控制模块用于将所述第一电压信号与所述第二电压信号进行比较，并根据比较结果输出对应的控制信号；
当所述第一电压信号大于所述第二电压信号时，所述比较控制模块输出第一输出信号至所述IGBT的栅极，以控制所述MOS管Q1导通，进而使得所述IGBT的栅极电压对地放电而减小；
当所述第一电压信号小于或等于所述第二电压信号时，所述比较控制模块输出第二输...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，黄辉，傅俊寅，汪之涵，
申请(专利权)人：深圳青铜剑技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44