多晶硅破碎系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种多晶硅破碎系统，该系统中：上料机构用于将多晶硅送入真空箱内；输送机构用于将多晶硅从真空箱送入加热炉内，且用于将加热炉内的多晶硅送入第一水箱；真空箱上设置有上料门和前段炉门，上料门打开则允许上料机构上料，前段炉门打开则允许输送机构将多晶硅送入加热炉内，上料门和前段炉门关闭则真空箱形成密封空间；加热炉用于对多晶硅进行加热，加热炉上设置有后段炉门，前段炉门和后段炉门关闭则加热炉形成封闭空间；第一水箱用于盛放冷却水，且位于后段转运室的下方。本实用新型专利技术能够大幅减少产品损耗，且具有较高的生产效率，和较低的安全风险。

【技术实现步骤摘要】
多晶硅破碎系统
本技术涉及多晶硅生产
，特别涉及一种多晶硅破碎系统。
技术介绍
目前国内多晶硅行业大多采用简单的人工破碎，人工破碎存在许多弊端。例如，产品质量不稳定，易产生非硅；生产效率低，占用面积大；人工成本高、防护用品消耗大。随着机械破碎技术的成熟，机械破碎处于推广阶段。而且，机械破碎过程中，产品的损耗是人工破碎的二至三倍，造成生产成本高。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的在于提供一种多晶硅破碎系统，具有较高的生产效率，安全风险较低，而且，能够令粉率大幅降低，产品损耗大幅减少。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种多晶硅破碎系统，包括上料机构、真空箱、加热炉、后段转运室、第一水箱和输送机构，其中：所述上料机构用于将待破碎的多晶硅从上料台送入所述真空箱内；所述输送机构用于将所述多晶硅从所述真空箱送入所述加热炉内，且用于将所述加热炉内的所述多晶硅送入所述第一水箱；所述真空箱上与所述上料机构靠近的位置设置有上料门，所述真空箱上与所述加热炉连接的位置设置有可开闭的前段炉门，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶硅破碎系统，其特征在于，包括上料机构(1)、真空箱(5)、加热炉(7)、后段转运室(10)、第一水箱(11)和输送机构，其中：/n所述上料机构(1)用于将待破碎的多晶硅从上料台送入所述真空箱(5)内；/n所述输送机构用于将所述多晶硅从所述真空箱(5)送入所述加热炉(7)内，且用于将所述加热炉(7)内的所述多晶硅送入所述第一水箱(11)；/n所述真空箱(5)上与所述上料机构(1)靠近的位置设置有上料门(2)，所述真空箱(5)上与所述加热炉(7)连接的位置设置有可开闭的前段炉门，所述上料门(2)打开则允许所述上料机构(1)上料，所述前段炉门打开则允许所述输送机构将所述多晶硅送入所述加热...

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅破碎系统，其特征在于，包括上料机构(1)、真空箱(5)、加热炉(7)、后段转运室(10)、第一水箱(11)和输送机构，其中：
所述上料机构(1)用于将待破碎的多晶硅从上料台送入所述真空箱(5)内；
所述输送机构用于将所述多晶硅从所述真空箱(5)送入所述加热炉(7)内，且用于将所述加热炉(7)内的所述多晶硅送入所述第一水箱(11)；
所述真空箱(5)上与所述上料机构(1)靠近的位置设置有上料门(2)，所述真空箱(5)上与所述加热炉(7)连接的位置设置有可开闭的前段炉门，所述上料门(2)打开则允许所述上料机构(1)上料，所述前段炉门打开则允许所述输送机构将所述多晶硅送入所述加热炉(7)内，所述上料门(2)和所述前段炉门关闭则所述真空箱(5)形成密封空间；
所述加热炉(7)用于对所述多晶硅进行加热，所述加热炉(7)上与所述后段转运室(10)连接的位置设置有后段炉门，所述前段炉门和所述后段炉门关闭则所述加热炉(7)形成封闭空间；
所述第一水箱(11)用于盛放冷却水，且位于所述后段转运室(10)的下方。


2.根据权利要求1所述的多晶硅破碎系统，其特征在于，所述加热炉(7)内设置有石英材质的内衬，并设置有电加热元件；
和/或，所述后段转运室(10)的下方设置有可开闭的下料门，所述后段炉门和所述下料门关闭则所述后段转运室(10)构成封闭空间；
和/或，所述真空箱(5)上设置有观察窗(4)；
和/或，所述冷却水为被氮气或氩气保护的超纯水。


3.根据权利要求1所述的多晶硅破碎系统，其特征在于，所述输送机构包括：
用于将所述多晶硅从所述真空箱(5)送入所述加热炉(7)内的第一输送机构；
用于将所述多晶硅从所述加热炉(7)的前段运到所述后段转运室(10)的第二输送机构；
用于将所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱勇兵，陈井建，杜炳胜，汪云清，
申请(专利权)人：四川永祥多晶硅有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51