存储块异常磨损处理方法、装置、电子设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术适用于计算机技术领域，提供了一种存储块异常磨损处理方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括：将存储设备内所有的空白物理存储块的擦写次数清零；当所述存储设备存入数据时，遍历寻找所述存储设备内任一擦写次数最小的一个物理存储块，以得到目标物理存储块；对所述目标物理存储块的擦写次数加一；将数据存入所述目标物理存储块。本发明专利技术提供的方法，可实现每次存入的数据均被存储至擦写次数最少的空白物理存储块中，避免了存储块异常磨损，提高了存储设备的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
存储块异常磨损处理方法、装置、电子设备及存储介质
本专利技术属于计算机
，尤其涉及一种存储块异常磨损处理方法、装置、电子设备及存储介质。
技术介绍
闪存芯片(Nandflashmemory)由成千上万存储单元按照一定的组织结构构成，闪存芯片包含若干个LUN(LogicalUnitNumber，逻辑单元号)，而每个LUN又包含若干个Plane(平面)，而每个Plane是由若干个Block(物理存储块)组成，每个Block由若干个Page(计算机编程语言指令)组成，如图1所示。对闪存芯片的读写是以Page为单元，在编程Page时，首先要对Page所在的Block进行擦除，闪存的擦除是以Block为单位的；每个闪存芯片的Block都有擦写次数的限制，一般而言，SLC(SingleLayerCell，单层单元)闪存的Block的擦写次数可达10万次，MLC(Multi-LevelCell，多层单元)闪存一般是几千到几万次，TLC(Trinary-LevelCell，三层式单元)则几百到几千次，所以当Block的擦写次数到了寿命值，就代表着本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储块异常磨损处理方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：/n将存储设备内所有的空白物理存储块的擦写次数清零；/n当所述存储设备存入数据时，遍历寻找所述存储设备内任一擦写次数最小的一个物理存储块，以得到目标物理存储块；/n对所述目标物理存储块的擦写次数加一；/n将数据存入所述目标物理存储块。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储块异常磨损处理方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：
将存储设备内所有的空白物理存储块的擦写次数清零；
当所述存储设备存入数据时，遍历寻找所述存储设备内任一擦写次数最小的一个物理存储块，以得到目标物理存储块；
对所述目标物理存储块的擦写次数加一；
将数据存入所述目标物理存储块。


2.如权利要求1所述的存储块异常磨损处理方法，其特征在于，所述方法还包括下述步骤：
遍历找寻整个所述存储设备内所有的物理存储块的擦写次数，以获取最大擦写次数和最小擦写次数；
判断所述最大擦写次数和所述最小擦写次数的擦写次数之差是否在预设阈值内；
若否，则把所述最小擦写次数对应的所述物理存储块放入回收队列；
将所述回收队列内的所述物理存储块所存储的数据转移至所述最大擦写次数对应的所述物理存储块内。


3.如权利要求2所述的存储块异常磨损处理方法，其特征在于，所述将所述回收队列内的所述物理存储块所存储的数据转移至所述最大擦写次数对应的所述物理存储块内的步骤之后，所述方法还包括下述步骤：
更新逻辑至实体地址映射表；
释放所述最小擦写次数对应的物理存储块，并将其放入到空白物理存储块区域。


4.如权利要求2所述的存储块异常磨损处理方法，其特征在于，所述遍历找寻整个所述存储设备内所有的物理存储块的擦写次数的步骤之后，所述方法还包括下述步骤：
将擦写次数超过第一预设值的物理存储块放入隔离区。


5.如权利要求1所述的存储块异常磨损处理方法，其特征在于，所述方法还包括下述步骤：
当所述存储设备内预设数量的物理存储块的擦写次数均超过第二预设值时，关闭所述存储设备的存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪黄忠，黄善勇，
申请(专利权)人：深圳市时创意电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44