【技术实现步骤摘要】
基于MOSFET的换能拓扑结构
本技术大致涉及电力电子
，尤其涉及一种基于MOSFET的换能拓扑结构，应用在电力电子换能电路设计上。
技术介绍
在对电压信号控制方面，需求有包括对直流大功率信号的快速切换，该种控制电路可选用MOSFET、氮化镓晶体管或碳化硅晶体管来实现，典型电路为半桥(全桥)驱动电路；低频大功率信号的快速切换，该种控制电路可选用可控硅、继电器或者开关实现，典型电路为可控硅控制电路、继电器控制电路；中高频大功率信号的快速切换，该种控制电路可选用固态继电器来实现，但由于其管压降大，导通时发热量和功耗大，且大功率的固态继电器封装体积较大，不利于印刷电路板的高度集成化，所以对于中高频大功率信号的快速切换上述电路均无法长期稳定使用。
技术介绍
部分的内容仅仅是技术人所知晓的技术，并不当然代表本领域的现有技术。
技术实现思路
针对现有技术存在问题中的一个或多个，本技术提供一种基于MOSFET的换能拓扑结构，包括至少四个换向模块，分别连接在交流电源X相和Y相的正极和负极，所述换向模块包括至少两个MOSFE...
【技术保护点】
1.一种基于MOSFET的换能拓扑结构，其特征在于，包括至少四个换向模块，分别连接在交流电源X相和Y相的正极和负极，所述换向模块包括至少两个MOSFET，一个MOSFET一端接交流电源，另一端接另一个MOSFET的一端，另一个MOSFET的另一端为输出，两个MOSFET同时导通和关断。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于MOSFET的换能拓扑结构，其特征在于，包括至少四个换向模块，分别连接在交流电源X相和Y相的正极和负极，所述换向模块包括至少两个MOSFET，一个MOSFET一端接交流电源，另一端接另一个MOSFET的一端，另一个MOSFET的另一端为输出，两个MOSFET同时导通和关断。
2.根据权利要求1所述的基于MOSFET的换能拓扑结构，其特征在于，还包括继电器控制模块，用于降低未导通换向模块的漏电流，所述继电器控制模块包括继电器和功率电阻，所述功率电阻连接在未导通换向模块的输出端和继电器之间，通过功率电阻的阻值控制漏电流的大小。
3.根据权利要求1所述的基于MOSFET的换能拓扑结构，其特征在于，所述换向模块还包括电容，设置在给MOSFE的栅极的供电的外部电路的正负电极之间，作为自举电容抬升电压，使得控制端电压压差保持在设定值。
4.根据权利要求2所述的基于MOSFET的换能拓扑结构，其特征在于，所述继电器控制模块还包括NMOS管，设置在继电器的使能端，用于控制继电器的导通和关断。
5.根据权利要求1所述的基于MOSFET的换能拓扑结构，其特征在于，所述换向模块的MOSFET为N沟道MOSFET。
6....
【专利技术属性】
技术研发人员：陈亮，沈琪超，陈晟，黄勇，
申请(专利权)人：江苏海莱新创医疗科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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