【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】分路混合器电流传送器相关申请案交叉申请本申请要求2018年6月13日提交美国专利局、专利技术名称为“分路混合器电流传送器”、申请号为16/007,711的美国非临时专利申请的优先权,该申请通过引用整体并入本文。
本公开大体涉及电子电路和方法,并且特别涉及分路混合器电流传送器电路和相关方法。
技术介绍
电流传送器是用于将电流从第一电路传送到第二电路的电子放大器。电流传送器防止了第二电路不期望地加载第一电路的输出电流而干扰第一电路的操作。电流传送器可以具有单位电流增益,在这种情况下,电流传送器不改变通过的电流的幅值。理想的电流传送器具有无穷大的输出阻抗和零输入阻抗。当然,理想的电流传送器无法用现实世界的物理组件来实现。但是,在电流传送器中可以实现高输出阻抗和低输入阻抗。在本文中,在输出端具有电阻性负载的电流传送器称为跨阻放大器。跨阻放大器(trans-impedanceamplifier,TIA)是一种接收电流并输出电压的放大器。换句话说,TIA是电流电压转换器。电流传送器有多种用途,其中一种是用在射频( ...
【技术保护点】
1.一种装置,其特征在于,所述装置包括:/n电流传送器,所述电流传送器包括具有第一差分输入的第一级、具有第二差分输入的第二级以及位于所述第一级与所述第二级之间的电流传送器输出端,所述第一级和所述第二级用于以推挽方式操作,以在所述电流传送器输出端处提供输出信号;/n第一混频器,所述第一混频器与所述电流传送器耦合,所述第一混频器用于根据输入信号和具有第一频率的第一振荡器信号产生第一混频器信号,所述第一混频器用于向所述第一差分输入提供所述第一混频器信号;/n第二混频器,所述第二混频器与所述电流传送器耦合,所述第二混频器用于根据所述输入信号和同样具有所述第一频率的第二振荡器信号产生 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180613 US 16/007,7111.一种装置,其特征在于,所述装置包括:
电流传送器,所述电流传送器包括具有第一差分输入的第一级、具有第二差分输入的第二级以及位于所述第一级与所述第二级之间的电流传送器输出端,所述第一级和所述第二级用于以推挽方式操作,以在所述电流传送器输出端处提供输出信号;
第一混频器,所述第一混频器与所述电流传送器耦合,所述第一混频器用于根据输入信号和具有第一频率的第一振荡器信号产生第一混频器信号,所述第一混频器用于向所述第一差分输入提供所述第一混频器信号;
第二混频器,所述第二混频器与所述电流传送器耦合,所述第二混频器用于根据所述输入信号和同样具有所述第一频率的第二振荡器信号产生第二混频器信号,所述第二混频器用于向所述第二差分输入提供所述第二混频器信号。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于:
所述第一级包括第一公共栅极/基极差分放大器,所述第一公共栅极/基极差分放大器包括所述第一差分输入和与所述电流传送器输出端连接的第一差分输出;
所述第二级包括第二公共栅极/基极差分放大器,所述第二公共栅极/基极差分放大器包括所述第二差分输入和与所述电流传送器输出端连接的第二差分输出。
3.根据权利要求1至2中任一项所述的装置,其特征在于:
所述第一公共栅/基极差分放大器包括一对PMOS晶体管,每个PMOS晶体管具有栅极和源极,所述一对PMOS晶体管的栅极连接在一起;
所述第二公共栅极/基极差分放大器包括一对NMOS晶体管,每个NMOS晶体管具有栅极和源极,所述一对NMOS晶体管的栅极连接在一起。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的装置,其特征在于:
所述一对PMOS晶体管的第一构件的源极为所述第一差分输入的正极输入端;
所述一对PMOS晶体管的第二构件的源极为所述第一差分输入的负极输入端;
所述一对NMOS晶体管的第一构件的源极为所述第二差分输入的正极输入端;
所述一对NMOS晶体管的第二构件的源极为所述第二差分输入的负极输入端。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的装置,其特征在于:
所述第一公共栅/基极差分放大器包括一对PNP晶体管,每个PNP晶体管都有基极,所述一对PNP晶体管的基极连接在一起;
所述第二公共栅极/基极差分放大器包括一对NPN晶体管,每个NPN晶体管都有基极,所述一对NPN晶体管的基极连接在一起。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的装置,其特征在于,还包括:
共模电压控制电路,所述共模电压控制电路与所述电流传送器输出端和所述第一公共栅极/基极差分放大器耦合,其中所述共模电压控制电路用于控制所述电流传送器输出端处的共模电压。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的装置,其特征在于:
所述第一混频器为第一下混频器;
所述第二混频器为第二下混频器。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的装置,其特征在于,所述第一混频器包括第一输入端子和第二输入端子,所述第二混频器包括第三输入端子和第四输入端子,所述装置还包括:
第一信号耦合电容器,所述第一信号耦合电容器与所述第一输入端子连接;
第二信号耦合电容器,所述第二信号耦合电容器与所述第二输入端子连接,所述第一信号耦合电容器和所述第二信号耦合电容器用于将所述输入信号耦合到所述第一混频器;
第三信号耦合电容器,所述第三信号耦合电容器与所述第三输入端子连接;
第四信号耦合电容器,所述第四信号耦合电容器与所述第四输入端子连接,所述第三信号耦合电容器和所述第四信号耦合电容器用于将所述输入信号耦合到所述第二混频器。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的装置,其特征在于,所述第一级和所述第二级形成AB类放大器。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的装置,其特征在于,还包括:
组件,所述组件用于向所述第一混频器和所述第二混频器提供所述输入信号,所述输入信号为射频(radiofrequency,RF)信号;
低通滤波器,所述低通滤波器与所述电流传送器输出端耦合,所述电流传送器用于向所述低通滤波器提供所述输出信号。
11.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述第一振荡器信号和所述第二振荡器信号具有相同的相位。
12.一种处理输入信号的方法,其特征在于,所述方法包括:
向第一混频器提供具有第一频率的第一振荡器信号;
向第二混频器提供具有第二频率的第二振荡器信号,所述第二频率与所述第一频率相同;
根据所述输入信号和所述第一振荡器信号产生第一混频器输出信号;
根据所述输入信号和所述第二振荡器信号产生第二混频器输出信号;
向电流传送器的第一级的第一差分输入提供所述第一混合器输出信号;
向所述电流传送器的第二级的第二差分输入提供所述第二混频器输出信号;...
【专利技术属性】
技术研发人员:马修·理查德·米勒,布莱恩·克瑞德,特瑞·麦凯恩,
申请(专利权)人:华为技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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