【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电光元件用的复合基板及其制造方法
本说明书中公开的技术涉及利用电光效应的电光元件(例如光调制器)用的复合基板。
技术介绍
已知光调制器之类的电光元件。电光元件能够利用电光效应而将电信号转换为光信号。电光元件例如用于光电波融合通信，为了实现高速且大容量的通信推进了电光元件的开发。日本特开2010－85789号公报中公开了一种光调制器。该光调制器利用复合基板而构成。复合基板具备：具有电光效应的电光结晶基板；以及与电光结晶基板接合的支承基板。
技术实现思路
以往的复合基板中，电光结晶基板与支承基板之间借助粘接剂而接合。如果是这种结构，则有时因粘接剂随时间的劣化而导致复合基板发生剥离、进而因该剥离而导致电光结晶基板产生裂纹之类的损伤。为了避免上述问题，考虑使得电光结晶基板和支承基板直接接合而不利用粘接剂。但是，如果将电光结晶基板和支承基板直接接合，则在电光结晶基板与支承基板之间形成由电光结晶基板的元素和支承基板的元素构成的非晶质层。该非晶质层不具有结晶性，光学物性也与两个基板不同，电光结晶基板与非晶质层之间的界面...
【技术保护点】
1.一种复合基板，其是电光元件用的复合基板，/n所述复合基板的特征在于，具备：/n电光结晶基板，该电光结晶基板具有电光效应；/n支承基板，该支承基板至少隔着非晶质层而与所述电光结晶基板接合；以及/n低折射率层，该低折射率层位于所述电光结晶基板与所述非晶质层之间，并且，该低折射率层的折射率比所述电光结晶基板的折射率低，/n所述非晶质层由构成从一侧与所述非晶质层接触的层或基板的元素、以及构成从另一侧与所述非晶质层接触的层或基板的元素构成。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种复合基板，其是电光元件用的复合基板，
所述复合基板的特征在于，具备：
电光结晶基板，该电光结晶基板具有电光效应；
支承基板，该支承基板至少隔着非晶质层而与所述电光结晶基板接合；以及
低折射率层，该低折射率层位于所述电光结晶基板与所述非晶质层之间，并且，该低折射率层的折射率比所述电光结晶基板的折射率低，
所述非晶质层由构成从一侧与所述非晶质层接触的层或基板的元素、以及构成从另一侧与所述非晶质层接触的层或基板的元素构成。
2.根据权利要求1所述的复合基板，其特征在于，
所述低折射率层由氧化硅、氧化钽、氧化铝、氟化镁及氟化钙中的至少一种构成。
3.根据权利要求1或2所述的复合基板，其特征在于，
所述支承基板为硅、玻璃、硅铝氧氮陶瓷、多铝红柱石、氮化铝、氮化硅、氧化镁、蓝宝石、石英、水晶、氮化镓、碳化硅、氧化镓中的任一种材料的基板。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的复合基板，其特征在于，
从所述一侧与所述非晶质层接触的层或基板为所述低折射率层。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的复合基板，其特征在于，
所述复合基板还具备第一导电层，该第一导电层位于所述低折射率层与所述非晶质层之间，
从所述一侧与所述非晶质层接触的层或基板为所述第一导电层。
6.根据权利要求5所述的复合基板，其特征在于，
所述第一导电层具有含有金、银、铜、铝、铂或它们中的至少两种的合金的层。
7.根据权利要求6所述的复合基板，其特征在于，
所述第一导电层的与所述非晶质层接触的表层由铂构成。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的复合基板，其特征在于，
所述复合基板还具备第一接合层，该第一接合层位于所述低折射率层与所述非晶质层之间，
从所述一侧与所述非晶质层接触的层或基板为所述第一接合层。
9.根据权利要求8所述的复合基板，其特征在于，
所述第一接合层由氧化钽、氧化铌、硅、氧化铝、氧化钛中的至少一种构成。
10.根据权利要求9所述的复合基板，其特征在于，
所述复合基板还具备第一导电层，该第一导电层位于所述低折射率层与所述第一接合层之间。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的复合基板，其特征在于，从所述另一侧与所述非晶质层接触的层或基板为所述支承基板。
12.根据权利要求1至10中任一项所述的复合基板，其特征在于，
所述复合基板还具备第二接合层，该第二接合层位于所述非晶质层与所述支承基板之间，
从所述另一侧与所述非晶质层接触的层或基板为所述第二接合层。
13.根据权利要求12所述的复合基板，其特征在于，
所述第二接合层由氧化钽、氧化铌、硅、氧化铝、氧化钛中的至少一种构成。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：多井知义，近藤顺悟，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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