一种具有空腔结构的克尔效应衬底制造技术

本发明专利技术涉及克尔效应应用领域，具体提供了一种具有空腔结构的克尔效应衬底，包括基底、磁性材料层、孔洞，覆盖部，磁性材料层置于基底上，孔洞设置在磁性材料层的表面，孔洞为一维线栅形，孔洞按照一维周期排列，覆盖部设置在孔洞内，覆盖部的两端埋入磁性材料层，相邻覆盖部不连接。这样一来，由覆盖部、孔洞侧壁形成空腔结构，入射光被限制在空腔内，在空腔内形成强电场，增强了入射光与磁性材料层的作用，增强了克尔效应的强度，在克尔效应应用领域具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种具有空腔结构的克尔效应衬底
本专利技术涉及克尔效应应用领域，具体涉及一种具有空腔结构的克尔效应衬底。
技术介绍
克尔效应是指线偏振光入射到磁性材料上，反射光的偏振面发生旋转的现象。克尔效应在磁光存储、三维成像、生物检测等领域具有巨大的应用潜力。一般地，当磁性材料直接与入射光相互作用时，磁性材料的克尔效应弱，不利于克尔效应的应用。
技术实现思路
为解决以上问题，本专利技术提供了一种具有空腔结构的克尔效应衬底，包括基底、磁性材料层、孔洞，覆盖部，磁性材料层置于基底上，孔洞设置在磁性材料层的表面，孔洞为一维线栅形，孔洞按照一维周期排列，覆盖部设置在孔洞内，覆盖部的两端埋入磁性材料层，相邻覆盖部不连接。更进一步地，覆盖部的材料为二氧化硅或石墨烯。更进一步地，覆盖部的材料为贵金属。更进一步地，贵金属为金。更进一步地，覆盖部的厚度小于20纳米。更进一步地，相邻覆盖部之间的距离小于40纳米。更进一步地，孔洞不贯穿磁性材料层。更进一步地，在孔洞的底部还设有贵金属颗粒。更进一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有空腔结构的克尔效应衬底，其特征在于，包括：基底、磁性材料层、孔洞，覆盖部，所述磁性材料层置于所述基底上，所述孔洞设置在所述磁性材料层的表面，所述孔洞为一维线栅形，所述孔洞按照一维周期排列，所述覆盖部设置在孔洞内，所述覆盖部的两端埋入所述磁性材料层，相邻所述覆盖部不连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有空腔结构的克尔效应衬底，其特征在于，包括：基底、磁性材料层、孔洞，覆盖部，所述磁性材料层置于所述基底上，所述孔洞设置在所述磁性材料层的表面，所述孔洞为一维线栅形，所述孔洞按照一维周期排列，所述覆盖部设置在孔洞内，所述覆盖部的两端埋入所述磁性材料层，相邻所述覆盖部不连接。


2.如权利要求1所述的具有空腔结构的克尔效应衬底，其特征在于：所述覆盖部的材料为二氧化硅或石墨烯。


3.如权利要求1所述的具有空腔结构的克尔效应衬底，其特征在于：所述覆盖部的材料为贵金属。


4.如权利要求3所述的具有空腔结构的克尔效应衬底，其特征在于：所述贵金属为金。


5.如权利要求4所述的具有空腔...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：中山科立特光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44