【技术实现步骤摘要】
一种基于MOS管内阻RDS的过流保护电路及电子器件检测设备
:本专利技术涉及过流保护电路
,尤其涉及一种基于MOS管内阻RDS的过流保护电路及电子器件检测设备。
技术介绍
:电子产品的电路模块都包括电路板和大量插接在电路板上的电子器件,在生产过程中,若某个坏的电子器件插接到电路板上,可能导致整个电路板的功能或性能出现问题。而此时去进行修复需要花费大量的时间,修复也更加困难,使得修复成本更高。因此,有必要在电子器件使用之前就对各个电子器件进行检测,将坏的电子器件检测出来,就可以减少将坏的电子器件插接到电路板后出现不良再进行修复的问题发生。随着自动化技术的发展,现有的电子器件大多通过电子器件检测设备进行自动检测。为了防止提供过大的电流给电子器件检测设备,电子器件检测设备配备有过流保护电路,然而现有的电子器件检测设备配备的过流保护电路大多通过串联取样电阻的方法进行电流取样,不仅使用器件较多、整体体积较大,而且为了能够获取足够大的取样信号,往往需要大量地消耗电源,增加功耗及带来发热问题。
技术实现思路
:本专利技术 ...
【技术保护点】
1.一种基于MOS管内阻RDS的过流保护电路,其特征在于:包括MOS管Q1、仪表放大器U1、开关电路B2,所述MOS管Q1的源极与仪表放大器U1的正向输入端、电源的第一电源端V1电连接,MOS管Q1的漏极与仪表放大器U1的负向输入端、电流输出端VOUT电连接,开关电路B2包括第一开关输入端B21、第二开关输入端B22、开关输出端B23,第一开关输入端B21与电源的第二电源端V2电连接,第二开关输入端B22与仪表放大器U1的输出端电连接,开关输出端B23与MOS管Q1的栅极电连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于MOS管内阻RDS的过流保护电路,其特征在于:包括MOS管Q1、仪表放大器U1、开关电路B2,所述MOS管Q1的源极与仪表放大器U1的正向输入端、电源的第一电源端V1电连接,MOS管Q1的漏极与仪表放大器U1的负向输入端、电流输出端VOUT电连接,开关电路B2包括第一开关输入端B21、第二开关输入端B22、开关输出端B23,第一开关输入端B21与电源的第二电源端V2电连接,第二开关输入端B22与仪表放大器U1的输出端电连接,开关输出端B23与MOS管Q1的栅极电连接。
2.根据权利要求1所述的一种基于MOS管内阻RDS的过流保护电路,其特征在于:所述开关电路B2包括比较器U2、电阻R1、电阻R2,电阻R1的一端作为开关电路B2的第一开关输入端B21,电阻R1的另一端与比较器U2的负向输入端、地电连接,电阻R2串接于电阻R1与地之间,比较器U2的正向输入端作为开关电路B2的第二开关输入端B22,比较...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈启恩,
申请(专利权)人:深圳市微特自动化设备有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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