硅片碱抛后清洗用添加剂及其应用制造技术

本发明专利技术公开了一种硅片碱抛后清洗用添加剂，由1～3质量份柠檬酸、0.3～0.5质量份月桂醇聚氧乙烯醚、1～2质量份乙二醇、1～2质量份硫酸钠、2～3质量份氯化钠和85～97质量份水组成。本发明专利技术的添加剂可以直接应用于现有清洗设备上，对碱抛后的硅片进行清洗时，在清洗液中加入本发明专利技术的添加剂，可改善硅片清洗效果，对多种痕量级杂质有强力的去除作用，且不会形成新的沾污，可通过改善硅片表面的清洁度来提升电池效率。

【技术实现步骤摘要】
硅片碱抛后清洗用添加剂及其应用
本专利技术涉及光伏领域，具体涉及一种硅片碱抛后清洗用添加剂及其应用。
技术介绍
在晶硅电池的湿法生产工艺中，存在着多种污染源，空气中的灰尘颗粒、刻蚀液中的化学药品、硅微粉、水中的杂质、润滑油、密封胶、设备容器和管路中的污染等，均有可能导致硅片在清洗中和清洗后出现污染，污染以有机物、金属、固体颗粒等多种形式存在。其中危害最大的是金属污染，因为硅表面的金属离子或单质在高温或电场加速的条件下，会硅片表面扩散至硅片内部，形成大量深能级复合中心，严重降低少子寿命，引起漏电流增加。此外硅片表面富集的各种污染还会对后期的氧化、镀膜造成不良影响，这些问题均会导致电池片良品率下降，效率降低。因此，光伏行业领域迫切需要一种能在碱抛光后，在氧化以及镀膜工序前，解决污染问题的清洗添加剂。目前光伏行业中，在抛光后均采用湿法清洗，先用碱和双氧水氧化分解去除有机物，再用盐酸和氢氟酸配合清洗去除氧化硅和金属，部分会额外加入清洗剂。但常规清洗剂有如下缺陷：只能对部分类型杂质起到清洗作用，且只在杂质浓度较高时有效，尤其是对于接近仪器检出限的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.硅片碱抛后清洗用添加剂，其特征在于，由1～3质量份柠檬酸、0.3～0.5质量份月桂醇聚氧乙烯醚、1～2质量份乙二醇、1～2质量份硫酸钠、2～3质量份氯化钠和85～97质量份水组成。/n

【技术特征摘要】
1.硅片碱抛后清洗用添加剂，其特征在于，由1～3质量份柠檬酸、0.3～0.5质量份月桂醇聚氧乙烯醚、1～2质量份乙二醇、1～2质量份硫酸钠、2～3质量份氯化钠和85～97质量份水组成。


2.根据权利要求1所述的硅片碱抛后清洗用添加剂，其特征在于，由1～2质量份柠檬酸、0.3～0.4质量份月桂醇聚氧乙烯醚、1～2质量份乙二醇、1～1.5质量份硫酸钠、2.5～3质量份氯化钠和90～95质量份水组成。


3.硅片碱抛后清洗用清洗液，其特征在于，其含有酸溶液和权利要求1或2所述的添加剂，添加剂与酸溶液的质量比为0.5～2:100；所述酸溶液为氢氟酸的水溶液。


4.根据权利要求3所述的硅片碱抛后清洗用清洗液，其特征在于，所述酸溶液中含有5～15wt%的氢氟酸。


5.根据权利要求3所述的硅片碱抛后清洗用清洗液，其特征在于，所述酸溶液中还配入了盐酸。


6.根据权利要求5所述的硅片碱抛后清洗用清洗液，其特征在于，所述酸溶液中含有5～15wt%的氢氟酸和5～15wt%的盐酸。


7.硅片碱抛后清洗方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：于胤，陈盼盼，杨勇，章圆圆，
申请(专利权)人：常州时创能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32