【技术实现步骤摘要】
含硅多苯基单分子树脂及其光刻胶组合物
本专利技术属于材料
，具体涉及一类含硅多苯基单分子树脂及其光刻胶组合物、光刻胶涂层及其应用。
技术介绍
光刻胶又称为光致抗蚀剂，是一类通过光束、电子束、离子束或X射线等能量辐射后，溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，广泛用于集成电路和半导体分立器件的微细加工。通过将光刻胶涂覆在基底表面，经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用，然后采用蚀刻剂进行蚀刻就可将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工的衬底上，因此光刻胶是器件微细加工技术中的关键性材料。半导体产业的迅速发展对光刻技术提出了越来越高的要求，从最早的g线(436nm)光刻，i线(365nm)光刻，深紫外248nm光刻，到目前的193nm光刻，以及下一代即将量产的极紫外(EUV，13.5nm)光刻，光刻技术的分辨率从微米级发展到纳米级，光刻技术要求达到的分辨率越来越高，边缘粗糙度要求也越来越小，对光刻胶材料所能达到的综合性能提出了更高的要求。开发新型具有高分辨率、高灵明度、低边缘粗糙度的光刻胶，使其综合性能满足光刻工艺的要求，尤其是满...
【技术保护点】
1.一种化合物，其特征在于，具有如下式(I)或式(II)的结构：/n
【技术特征摘要】
1.一种化合物，其特征在于，具有如下式(I)或式(II)的结构：
其中：
式(I)中，R0、Ra1～Ra12相同或不同，各自独立地选自氢原子、羟基、C1-15烷氧基或-ORb，所述Rb为具有酸敏感性的基团；式(II)中，R0、Rb1～Rb18相同或不同，各自独立地选自氢原子，羟基，C1-15烷氧基或-ORb，所述Rb为具有酸敏感性的基团；
Rx、Ry和Rz相同或不同，各自独立选自未取代或任选被一个、两个或更多个Rs1取代的如下基团：C1-15烷基、C3-20环烷基、C6-20芳基、5-20元杂芳基、3-20元杂环基、-C1-15烷基-C6-20芳基、-C1-15烷基-5-20元杂芳基；
Rs1选自C1-8烷基、C1-8烷氧基、C3-10环烷基。
2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述具有酸敏感性的基团为-CR1-O-R1、-CO-O-R1、-CH2-CO-O-R1、其中R1相同或不同，独立地选自未取代或任选被一个、两个或更多个Rs2取代的如下基团：C1-15烷基，C3-20环烷基、C7-20桥环基；的环上任选被一个、两个或更多个Rs2取代；m为1至4的任一整数、表示基团与主体结构的连接键；
Rs2相同或不同，彼此独立地选自如下基团：C1-8烷基、C1-8烷氧基、C3-10环烷基。
3.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于，所述酸敏感性取代基的结构选自如下：
优选地，Rx、Ry和Rz独立选自如下结构：
其中，表示连接键；
优选的，所述式(I)所示的化合物选自如下化合物：
优选的，所述式(II)所示的化合物选自如下化合物：
4.一种权利要求1-3任一项所述的式(I)化合物的制备方法，其特征在于，所述的方法包括如下步骤：
其中，R0、Rx、Ry、Ra1～Ra12如权利要求1-3任一项所定义，Ra1’～Ra3’相同或不同，各自独立地表示H或C1-15烷氧基；
1)将式(III)化合物与式(IV)化合物反应，得到式(I)化合物，其中R0、Ra1～Ra12独立的选自H或C1-15烷氧基；
任选的，2)将所述式(I)化合物进行去烷基化反应，得到R0、Ra1～Ra12独立的选自H或羟基的式(I)化合物；
任选的，3)将所述R0、Ra1～Ra12独立的选自H或羟基的式(I)化合物与化合物Rb-L反应，制备得到R0、Ra1～Ra12独立的选自H或-ORb的式(I)化合物；其中L为离去基团或者L与Rb构成含Rb的酸酐。
优选的，所述式(III)化合物的制备方法，包括：将式(VII)化合物与式(VIII)化合物进行反应，得到所述式(III)化合物；
其中，R0、Rx、Ry如权利要求1-3任一项所定义，X为卤素。
5.一种权利要求1-3任一项所述的式(II)化合物的制备方法，其特征在于，所述的方法包括如下步骤：
其中，R0、Rz、Rb1～Rb18如权利要求1-3任一项所定义，Rb1’～Rb3’相同或不同，各自独立地表示H或C1-15烷氧基；
i)将式(V)化合物与式(VI)化合物反应，得到式(II)化合物，其中R0、Rb1～Rb18独立的选自H或C1-15烷氧基；
任选的，ii)将所述式(II)化合物进行去烷基化反应，得到R0、Rb1～Rb18独...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈金平，李嫕，张卫杰，于天君，曾毅，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11
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