【技术实现步骤摘要】
一种化学机械抛光系统
本技术属于化学机械抛光
，具体而言，涉及一种化学机械抛光系统。
技术介绍
化学机械抛光(ChemicalMechanicalPlanarization,CMP)是一种全局平整化的超精密表面加工技术。由于更小线宽需要更精确的制造技术以及对提高产量和降低成本的持续需求驱使不断致力于抛光系统的改进。化学机械抛光工艺需要在化学机械抛光系统上实施，其一般包括前置单元、抛光单元和清洗单元。待加工的晶圆由前置单元依次传输至抛光单元和清洗单元，实现晶圆“干进干出”的抛光工艺。抛光单元一般包括多个抛光装置，为实现晶圆的良好传输，在抛光模量的临近位置设置实现抛光装置与机械手之间晶圆交接的晶圆装卸装置(loadcup)。专利CN206105604U公开的化学机械抛光系统，其包含上述技术方案，在抛光装置的临近位置设置晶圆装卸装置，以保证晶圆的良好传输。现有的化学机械抛光系统存在以下不足：抛光装置的承载头需等待机械手将晶圆放置于晶圆装卸装置后，再由承载头传输至抛光盘进行抛光；由于对应的晶圆装卸装置还需要放置...
【技术保护点】
1.一种化学机械抛光系统，其特征在于，包括前置单元、抛光单元和清洗单元，所述抛光单元包括抛光装置和晶圆装卸装置；所述晶圆装卸装置设置于抛光装置的两侧，所述抛光装置具有承载头并且该承载头设置成在抛光装置两侧的晶圆装卸装置之间移动，以使晶圆在抛光单元内部传输。/n
【技术特征摘要】
1.一种化学机械抛光系统，其特征在于，包括前置单元、抛光单元和清洗单元，所述抛光单元包括抛光装置和晶圆装卸装置；所述晶圆装卸装置设置于抛光装置的两侧，所述抛光装置具有承载头并且该承载头设置成在抛光装置两侧的晶圆装卸装置之间移动，以使晶圆在抛光单元内部传输。
2.如权利要求1所述的化学机械抛光系统，其特征在于，还包括平移缓存装置，其设置于抛光单元的侧面以缓存待抛光的晶圆，中转机械手将缓存的晶圆传输至晶圆装卸装置。
3.如权利要求2所述的化学机械抛光系统，其特征在于，所述平移缓存装置沿抛光单元的长度方向设置，其沿竖直方向设置有多层晶圆传输模块；所述晶圆传输模块由直线模组驱动以沿平移缓存装置的长度方向传输晶圆。
4.如权利要求1所述的化学机械抛光系统，其特征在于，所述晶圆装卸装置的数量多于所述抛光装置的数量。
5.如权利要求2所述的化学机械抛光系统，其特征在于，所述抛光单元的数量为两组，其并行设置于平移缓存装置的两侧...
【专利技术属性】
技术研发人员：许振杰，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：新型
国别省市：天津;12
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