一种电调控的有源耦合腔激光器制造技术

本发明专利技术公开了一种电调控的有源耦合腔激光器，包括硅衬底；所述硅衬底上设置有第一有源耦合腔、第二有源耦合腔和硅衬底电极；所述第一有源耦合腔和第二有源耦合腔均通过硅柱固定在硅衬底上；所述第一有源耦合腔、第二有源耦合腔的底部与硅柱之间均设置有氮化铝层；所述第二有源耦合腔的顶部设置有第一耦合腔电极和第二耦合腔电极；所述第一耦合腔电极和第二耦合腔电极均为半圆形结构且相对设置。本发明专利技术在光激发下通过三个电极的不同组合供电方式给有源腔提供横向和纵向电场，实现对发光模式的调控。

【技术实现步骤摘要】
一种电调控的有源耦合腔激光器
本专利技术属于可见光
，涉及一种电调控的有源耦合腔激光器。
技术介绍
GaN基半导体技术自诞生以来发展迅速，由于其具有光电转换效率高、覆盖波长范围广、使用寿命长、可直接调制等优势，在各个领域都有着广泛的应用。相较于块体结构，微腔能有效实现光场限域、增强光与物质相互作用从而提高器件性能。同时，微腔的存在可以丰富块体材料中的光学过程。光刻、反应离子刻蚀等微加工技术的发展为设计和制备GaN光学微腔提供了可能。基于GaN微腔的光电子器件，如激光器、探测器等备受人们的关注，但是目前的激光器件都是多模，且微腔结构确定后模式相对固定，这阻碍了GaN紫外激光器的应用。目前实现光谱调控的手段有减少微腔尺寸，设计耦合腔等，相较于前两者，能原位实时调控的方式更有实际应用价值，而电光效应是目前证明的可行方案之一。如何利用电光效应调控GaN微腔的激光特性，实现更好的性能是本专利技术要解决的问题。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术在于提供一种电调控的有源耦合腔激光器，以解决现有技术中存在的GaN微本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电调控的有源耦合腔激光器，其特征在于，包括硅衬底；所述硅衬底上设置有第一有源耦合腔、第二有源耦合腔和硅衬底电极；所述第一有源耦合腔和第二有源耦合腔均通过硅柱固定在硅衬底上；所述第一有源耦合腔、第二有源耦合腔的底部与硅柱之间均设置有氮化铝层；所述第二有源耦合腔的顶部设置有第一耦合腔电极和第二耦合腔电极；所述第一耦合腔电极和第二耦合腔电极均为半圆形结构且相对设置；所述第一有源耦合腔和第二有源耦合腔相互耦合。/n

【技术特征摘要】
1.一种电调控的有源耦合腔激光器，其特征在于，包括硅衬底；所述硅衬底上设置有第一有源耦合腔、第二有源耦合腔和硅衬底电极；所述第一有源耦合腔和第二有源耦合腔均通过硅柱固定在硅衬底上；所述第一有源耦合腔、第二有源耦合腔的底部与硅柱之间均设置有氮化铝层；所述第二有源耦合腔的顶部设置有第一耦合腔电极和第二耦合腔电极；所述第一耦合腔电极和第二耦合腔电极均为半圆形结构且相对设置；所述第一有源耦合腔和第二有源耦合腔相互耦合。


2.根据权利要求1所述的一种电调控的有源耦合腔激光器，其特征在于，所述第一有源耦合腔和第二有源耦合腔为直径不等的圆盘腔且相互耦合。


3.根据权利要求1所述的一种电调控的有源耦合腔激光器，其特征在于，所述第一耦合腔电极通过第一悬臂梁电极连接有第一引脚电极；所述第二耦合腔电极通过第二悬臂梁电极连接有第二引脚电极。


4.根据权利要求3所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦飞飞，王鹏辉，刘沣阅，朱刚毅，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32