【技术实现步骤摘要】
一种发光面板、显示装置和发光面板的制作方法
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种发光面板、显示装置和发光面板的制作方法。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode,OLED)显示器具有低能耗、自发光、宽视角及响应速度快等优点,是当今显示器研究领域的热点之一。量子点发光二极管显示器(QuantumDotsLightEmittingDoideDisplay,QLED)是基于有机发光显示器的基础上发展起来的一种新型显示技术。而两者存在的区别是QLED里的发光层为量子点层,它的原理是电子/空穴通过电子/空穴传输层注入到量子点层,电子和空穴在量子点层中复合发光。与有机发光二极管显示器件(OLED)相比,QLED具有发光峰窄,色彩饱和度高,色域宽等优点。但现有技术的发光器件存在载流子注入不平衡的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光面板、显示装置和发光面板的制作方法,以改善现有技术的发光器件存在载流子注入不平衡的问题。本专利技术实施例提供一种发光面板,包括 ...
【技术保护点】
1.一种发光面板,其特征在于,包括:衬底基板,位于所述衬底基板一侧的至少两层电极层,位于两层所述电极层之间的发光层;/n至少一层所述电极层在面向所述发光层的一侧具有界面修饰层,所述界面修饰层包括:稠环结构,连接于所述稠环结构背离所述发光层一侧的第一带电基团,连接于所述稠环结构面向所述发光层一侧的第二带电基团,所述第一带电基团和所述第二带电基团的带电性不同,以使所述界面修饰层具有偶极矩,以调节与所述界面修饰层接触的所述电极层的功函数。/n
【技术特征摘要】
1.一种发光面板,其特征在于,包括:衬底基板,位于所述衬底基板一侧的至少两层电极层,位于两层所述电极层之间的发光层;
至少一层所述电极层在面向所述发光层的一侧具有界面修饰层,所述界面修饰层包括:稠环结构,连接于所述稠环结构背离所述发光层一侧的第一带电基团,连接于所述稠环结构面向所述发光层一侧的第二带电基团,所述第一带电基团和所述第二带电基团的带电性不同,以使所述界面修饰层具有偶极矩,以调节与所述界面修饰层接触的所述电极层的功函数。
2.如权利要求1所述的发光面板,其特征在于,所述电极层包括阴极层,所述阴极层在面向所述发光层的一侧具有所述界面修饰层,所述界面修饰层与所述发光层之间设置有电子传输层;
所述阴极层的功函数高于所述电子传输层的LUMO能级,且所述阴极层的功函数与所述电子传输层的LUMO能级之差的绝对值大于第一阈值时,所述界面修饰层被配置为降低所述阴极层的功函数,所述第一带电基团为带负电的基团,所述第二带电基团为带正电的基团;
或者,所述阴极层的功函数低于所述电子传输层LUMO能级,且所述阴极层的功函数与所述电子传输层的LUMO能级之差的绝对值大于第二阈值时,所述界面修饰层被配置为提高所述阴极层的功函数,所述第一带电基团为带正电的基团,所述第二带电基团为带负电的基团。
3.如权利要求1所述的发光面板,其特征在于,所述电极层包括阳极层,所述阳极层在面向所述发光层的一侧具有所述界面修饰层,所述界面修饰层与所述发光层之间设置有空穴注入层;
所述阳极层的功函数高于所述空穴注入层的HOMO能级,且所述阳极层的功函数与所述空穴注入层的HOMO能级之差的绝对值大于第三阈值时,所述界面修饰层被配置为降低所述阳极层的功函数,所述第一带电基团为带负电的基团,所述第二带电基团为带正电的基团;
或者,所述阳极层的功函数低于所述空穴注入层的HOMO能级,且阳极层的功函数与空穴注入层的HOMO能级之差的绝对值大于第四阈值时,所述界面修饰层被配置为提高所述阳极层的功函数,所述第一带电基团为带正电的基团,所述第二带电基团为带负电的基团。
4.如权利要求1所述的发光面板,其特征在于,所述稠环结构具有第一对称轴和第二对称轴,其中,所述稠环结构在沿所述第一对称轴方向的长度小于所述稠环结构沿所述第二对称轴方向的长度;所述第一带电基团、所述第二带电基团分别位于所述第一对称轴的不同侧;
或者,所述稠环结构仅具有第三对称轴;所述第一带电基团、所述第二带电基团分别位于所述第三对称轴的不同侧。
5.如权利要求2或3所述的发光面板,其特征在于,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:梅文海,张宜驰,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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