【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
量子点是一种溶液可加工的半导体纳米晶体，具有发光光谱窄、发光波长可调控、光谱纯度高等优点，最有希望成为下一代发光器件的核心部分。量子点发光二极管(QuantumDotLightEmittingDiodes，简称QLED)就是将量子点作为发光层的制作材料，在不同的导电材料之间引入发光层从而得到所需要波长的光。QLED具有色域高、自发光、启动电压低、响应速度快、寿命长等优点。在QLED器件中，出光效率低是造成器件外部量子效率低的决定性因素。根据几何光学原理，由于器件内部各膜层折射率不同，器件中生成的光大约只有20％会通过外部模式射出，其它30％、50％的光分别以基板模式和ITO-有机层波导模式，留在器件内部或从边缘射出。
技术实现思路
通过基板修饰技术，可以将QLED器件中的光提取出来，从而提高器件出光效率，使器件性能得到提高。QLED器件中光的提取方法有：散射介质层，微棱镜阵列，微腔效...
【技术保护点】
1.一种显示基板，其特征在于，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板之上的发光结构层，所述发光结构层的出光面一侧设置有粗糙面，所述粗糙面用于将所述发光结构层发出的光线以散射光的形式出射。/n
【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板之上的发光结构层，所述发光结构层的出光面一侧设置有粗糙面，所述粗糙面用于将所述发光结构层发出的光线以散射光的形式出射。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述粗糙面设置于所述衬底基板远离所述发光结构层一侧的表面；或者，所述粗糙面设置于所述衬底基板靠近所述发光结构层一侧的表面。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括设置于所述发光结构层之上的盖板，所述粗糙面设置于所述盖板远离所述发光结构层一侧的表面；或者，所述粗糙面设置于所述盖板靠近所述发光结构层一侧的表面。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述粗糙面包括多个呈三棱锥状的微纳结构或多个呈圆柱体状的微纳结构。
5.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-4任一所述的显示基板。
6.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
形成衬底基板和发光结构层；
在所述发光结构层的出光面一侧形成粗糙面，所述粗糙面用于将所述发光结构层发出的光线以散射光的形式发出。
7.根据权利要求6所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在所述发光结构层的出光面一侧形成粗糙面，包括：
形成聚合物溶液，该聚合物溶液包...
【专利技术属性】
技术研发人员：苗湘，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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