一种太阳能电池组件、生产方法技术

本发明专利技术提供了一种太阳能电池组件及其生产方法，涉及太阳能光伏技术领域。所述太阳能电池组件，包括：若干个p型晶体硅太阳能电池以及若干用于连接相邻所述p型晶体硅太阳能电池的导线组；所述导线组包括平行设置的预设数量的导线；所述预设数量为4‑30；所述导线包括基线；所述导线还包括至少包裹于所述基线表面的热熔导电层；所述热熔导电层包括用于热压连接或粘性连接一p型晶体硅太阳能电池的正面金属电极的第一热熔导电层、以及用于热压连接或粘性连接另一相邻p型晶体硅太阳能电池的背面金属电极的第二热熔导电层；所述导线的宽度大于等于50微米小于等于1000微米。本申请减少了组装损失，减少了电流的传输损失，且光电转换效率高。

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池组件、生产方法
本专利技术涉及太阳能光伏
，特别是涉及一种太阳能电池组件、一种太阳能电池组件生产方法。
技术介绍
太阳能电池组件的作用是将太阳能转化为电能，或送往蓄电池中存储起来，或推动负载工作。目前，太阳能电池组件的结构主要为：通过焊带将多个单个太阳能电池焊接成电池串，然后封装成可以对外输出功率的电池组件。上述通过焊带焊接形成的太阳能电池组件，组装损失大。
技术实现思路
本专利技术提供一种太阳能电池组件、一种太阳能电池组件生产方法，旨在解决太阳能电池组件，组装损失大的问题。根据本专利技术的第一方面，提供了一种太阳能电池组件，包括：若干个p型晶体硅太阳能电池以及若干用于连接相邻所述p型晶体硅太阳能电池的导线组；所述p型晶体硅太阳能电池包括：p型晶体硅基底；局域p++型掺杂区，形成于所述P型晶体硅基底的正面；所述局域p++型掺杂区的掺杂浓度大于所述p型晶体硅基底的掺杂浓度；正面减反射层，沉积于所述p型晶体硅基底的正面；正面金属电极，所述正面金属电极穿透所述正面减反层并与所述局域p++型掺杂区接触；n型掺杂硅膜层，形成于所述P型晶体硅基底的背面；背面钝化层，沉积于所述n型掺杂硅膜层的背面；以及背面金属电极，所述背面金属电极穿透所述背面钝化层并与所述n型掺杂硅膜层接触；所述导线组包括平行设置的预设数量的导线；所述预设数量为4-30；所述导线包括基线；所述基线包括位于所述基线一端的第一连接段、位于所述基线另一端的第二连接段、以及位于所述第一连接段与所述第二连接段之间的中间段；所述导线还包括至少包裹于所述基线表面的热熔导电层；所述热熔导电层包括用于热压连接或粘性连接一所述p型晶体硅太阳能电池的正面金属电极的第一热熔导电层、以及用于热压连接或粘性连接另一相邻所述p型晶体硅太阳能电池的背面金属电极的第二热熔导电层；所述第一热熔导电层包裹于所述第一连接段的表面；所述第二热熔导电层包裹于所述第二连接段的表面；所述导线的宽度大于等于50微米小于等于1000微米。可选的，所述导线的截面形状为圆形、矩形或梯形中的至少一种；所述预设数量为10-18。可选的，所述基线的材料为铜或铝中的至少一种。可选的，所述热熔导电层为熔点为70-180℃之间的金属单质或金属合金。可选的，所述热熔导电层为银、铋、镉、镓、铟、铅、锡、钛、锌中的至少一种。可选的，所述热熔导电层为软化温度在90-120℃之间的导电树脂。可选的，所述导电树脂包括：树脂基材以及设置于所述树脂基材内部的导电粒子；所述树脂基材选自：醋酸纤维素、氟树脂、聚砜树脂、聚酯树脂、聚酰胺树脂、聚氨酯树脂和聚烯烃类树脂中的至少一种；所述导电粒子选自：金、银、铜、铝、锌、镍和石墨中的至少一种。可选的，所述导电粒子的形状为颗粒状和/或片状。可选的，所述导线组中的所有所述第一连接段内嵌于一热塑性聚合物膜内；所述导线组中的所有所述第二连接段内嵌于另一热塑性聚合物膜内；所述热塑性聚合物膜的材质选自：聚乙烯醇缩丁醛、聚烯烃或乙烯-醋酸乙烯共聚物中的至少一种。可选的，所述热熔导电层的厚度大于等于1微米小于等于10微米。可选的，所述p型晶体硅太阳能电池，还包括：p+型掺杂层，掺杂形成于所述正面减反层与所述p型晶体硅基底之间且所述局域p++型掺杂区之外的区域；所述p+型掺杂层的掺杂浓度，介于所述局域p++型掺杂区的掺杂浓度与所述p型晶体硅基底的掺杂浓度之间。可选的，所述背面金属电极和/或所述正面金属电极包括：若干细栅线和若干主栅线；所述细栅线和所述主栅线的设置方向不重合；所述主栅线与每个所述细栅线相连。可选的，所述细栅线呈放射状分布。可选的，所述主栅线由多个焊盘和位于所述焊盘之间的连接栅线组成。可选的，所述p型晶体硅太阳能电池，还包括：钝化隧穿层，沉积于所述n型掺杂硅膜层与所述p型晶体硅基底之间；所述钝化隧穿层掺杂有Ⅲ族和/或Ⅴ族元素。根据本专利技术的第二方面，提供了一种太阳能电池组件生产方法，所述方法用于生成如前所述的太阳能电池组件；所述方法包括：提供导线组；叠放所述导线组以及p型晶体硅太阳能电池，使得一个所述p型晶体硅太阳能电池的背面金属电极与所述第二热熔导电层相对应，以及另一相邻的所述p型晶体硅太阳能电池的正面金属电极与所述第一热熔导电层相对应；加热所述热熔导电层至预设温度，使所述热熔导电层热压连接或粘性连接所述一个所述p型晶体硅太阳能电池的背面金属电极，以及热压连接或粘性连接与一个所述p型晶体硅太阳能电池相邻的p型晶体硅太阳能电池的正面金属电极，得到太阳能电池组件；所述预设温度小于等于180℃。可选的，所述背面金属电极和/或所述正面金属电极包括：若干细栅线和若干主栅线；所述细栅线和所述主栅线的设置方向不重合；所述主栅线与每个所述细栅线相连；所述细栅线通过沉积形成，所述主栅线至少通过印刷并烧结电极浆料形成。可选的，所述主栅线由多个焊盘和位于所述焊盘之间的连接栅线组成；所述焊盘通过印刷并烧结电极浆料形成；所述连接栅线通过沉积形成。可选的，所述沉积的方式选自：激光转印、化学镀、溅射、电沉积、物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积中的至少一种。根据本专利技术的第三方面，还提供一种太阳能电池组件生产设备，所述太阳能电池组件生产设备包括：接口，总线，存储器与处理器，所述接口、存储器与处理器通过所述总线相连接，所述存储器用于存储可执行程序，所述处理器被配置为运行所述可执行程序实现如前所述的任一项所述的太阳能电池组件生产方法的步骤。根据本专利技术的第四方面，还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储可执行程序，所述可执行程序被处理器运行实现如前所述的任一项所述的太阳能电池组件生产方法的步骤。相对于现有技术中，在通过焊带将多个太阳能电池焊接成电池串，然后封装成可以对外输出功率的电池组件而言，本申请中，导线还包括至少包裹于基线表面的热熔导电层，第一热熔导电层热压连接或粘性连接一p型晶体硅太阳能电池的正面金属电极，第二热熔导电层热压连接或粘性连接另一相邻p型晶体硅太阳能电池的背面金属电极，热压连接或粘性连接的加热温度小于焊接温度，则各个p型晶体硅太阳能电池热压连接或粘性连接的区域加热温度较小，进而上述区域受到的热应力较小，可以减小对上述区域的硅片、铝背场的损坏，有利于减少组装损失；而且，现有技术中，为了保证较好的焊接可靠性，焊带的宽度通常较宽，如焊带的宽度通常为600至1200微米，导致对光线遮挡较多，造成了封装损失，而本申请中，由于单个导线的宽度较细，通过设置较多的导线，不仅增加了连接可靠性，还减小了总的遮光面积，而且，各处电流可以选择距离较近的导线传输，能够减小电流的传输距离，减少了电流的传输损失，有利于减少组装损失。同时，针对p型晶体硅太阳能电池而言，n型掺杂硅膜层与p型晶体硅基底，形成的异质结位于p型晶体硅基底的背面，形成了背面发射极，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池组件，其特征在于，包括：若干个p型晶体硅太阳能电池以及若干用于连接相邻所述p型晶体硅太阳能电池的导线组；/n所述p型晶体硅太阳能电池包括：/np型晶体硅基底；/n局域p++型掺杂区，形成于所述P型晶体硅基底的正面；所述局域p++型掺杂区的掺杂浓度大于所述p型晶体硅基底的掺杂浓度；/n正面减反射层，沉积于所述p型晶体硅基底的正面；/n正面金属电极，所述正面金属电极穿透所述正面减反层并与所述局域p++型掺杂区接触；/nn型掺杂硅膜层，形成于所述P型晶体硅基底的背面；/n背面钝化层，沉积于所述n型掺杂硅膜层的背面；/n以及背面金属电极，所述背面金属电极穿透所述背面钝化层并与所述n型掺杂硅膜层接触；/n所述导线组包括平行设置的预设数量的导线；所述预设数量为4-30；/n所述导线包括基线；所述基线包括位于所述基线一端的第一连接段、位于所述基线另一端的第二连接段、以及位于所述第一连接段与所述第二连接段之间的中间段；/n所述导线还包括至少部分包裹于所述基线表面的热熔导电层；所述热熔导电层包括用于热压连接或粘性连接一所述p型晶体硅太阳能电池的正面金属电极的第一热熔导电层、以及用于热压连接或粘性连接另一相邻所述p型晶体硅太阳能电池的背面金属电极的第二热熔导电层；所述第一热熔导电层包裹于所述第一连接段的表面；所述第二热熔导电层包裹于所述第二连接段的表面；/n所述导线的宽度大于等于50微米小于等于1000微米。/n...

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池组件，其特征在于，包括：若干个p型晶体硅太阳能电池以及若干用于连接相邻所述p型晶体硅太阳能电池的导线组；
所述p型晶体硅太阳能电池包括：
p型晶体硅基底；
局域p++型掺杂区，形成于所述P型晶体硅基底的正面；所述局域p++型掺杂区的掺杂浓度大于所述p型晶体硅基底的掺杂浓度；
正面减反射层，沉积于所述p型晶体硅基底的正面；
正面金属电极，所述正面金属电极穿透所述正面减反层并与所述局域p++型掺杂区接触；
n型掺杂硅膜层，形成于所述P型晶体硅基底的背面；
背面钝化层，沉积于所述n型掺杂硅膜层的背面；
以及背面金属电极，所述背面金属电极穿透所述背面钝化层并与所述n型掺杂硅膜层接触；
所述导线组包括平行设置的预设数量的导线；所述预设数量为4-30；
所述导线包括基线；所述基线包括位于所述基线一端的第一连接段、位于所述基线另一端的第二连接段、以及位于所述第一连接段与所述第二连接段之间的中间段；
所述导线还包括至少部分包裹于所述基线表面的热熔导电层；所述热熔导电层包括用于热压连接或粘性连接一所述p型晶体硅太阳能电池的正面金属电极的第一热熔导电层、以及用于热压连接或粘性连接另一相邻所述p型晶体硅太阳能电池的背面金属电极的第二热熔导电层；所述第一热熔导电层包裹于所述第一连接段的表面；所述第二热熔导电层包裹于所述第二连接段的表面；
所述导线的宽度大于等于50微米小于等于1000微米。


2.根据权利要求1所述的太阳能电池组件，其特征在于，所述导线的截面形状为圆形、矩形或梯形中的至少一种；所述预设数量为10-18。


3.根据权利要求1所述的太阳能电池组件，其特征在于，所述基线的材料为铜或铝中的至少一种。


4.根据权利要求1所述的太阳能电池组件，其特征在于，所述热熔导电层为熔点为70-180℃之间的金属单质或金属合金。


5.根据权利要求4所述的太阳能电池组件，其特征在于，所述热熔导电层为银、铋、镉、镓、铟、铅、锡、钛、锌中的至少一种。


6.根据权利要求1所述的太阳能电池组件，其特征在于，所述热熔导电层为软化温度在90-120℃之间的导电树脂。


7.根据权利要求6所述的太阳能电池组件，其特征在于，所述导电树脂包括：树脂基材以及设置于所述树脂基材内部的导电粒子；
所述树脂基材选自醋酸纤维素、氟树脂、聚砜树脂、聚酯树脂、聚酰胺树脂、聚氨酯树脂和聚烯烃类树脂中的至少一种；
所述导电粒子选自：金、银、铜、铝、锌、镍和石墨中的至少一种。


8.根据权利要求7所述的太阳能电池组件，其特征在于，所述导电粒子的形状为颗粒状和/或片状。


9.根据权利要求1所述的太阳能电池组件，其特征在于，所述导线组中的所有所述第一连接段内嵌于一热塑性聚合物膜内；所述导线组中的所有所述第二连...

【专利技术属性】
技术研发人员：李华，童洪波，张洪超，刘继宇，
申请(专利权)人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32