串行接口NAND存储芯片及从其中读取数据的方法技术

本发明专利技术公开了一种串行接口NAND存储芯片及从其中读取数据的方法，包括当串行接口NAND存储芯片接收页读取命令时，将页读取命令对应的页数据读取到第一高速缓存器；当页数据读取完成时，设置OIP等于0，预读取下一页的页数据到第二高速缓存器；当串行接口NAND存储芯片接收新页读取命令时，获取页读取命令对应的待读取页的第一页地址以及新页读取命令对应的待读取页的第二页地址，当第二页地址为第一页地址的下一页地址且下一页的页数据预读取完成，则设置OIP等于0，将下下一页的页数据预读取到第一高速缓存器。本发明专利技术提高了外部主控对串行接口NAND存储芯片中数据连续读取的速度，在读取页数量越多时，速度提升越明显。

【技术实现步骤摘要】
串行接口NAND存储芯片及从其中读取数据的方法
本专利技术涉及数据读取
，尤其涉及一种串行接口NAND存储芯片及从其中读取数据的方法。
技术介绍
串行接口NAND存储芯片主要用于嵌入式系统、PON、网通模块、监控等领域，而这些领域的应用对串行接口NAND存储芯片的连续读取速度要求是越快越好，因此如何提高芯片的连续读取速度以满足市场的需求就越发关键。而目前，串行接口NAND存储芯片每当接收到外部主控发送的PageReadtoCache的命令后芯片内部才把FLASH中的数据给搬送到高速缓存器上，然后外部主控再通过ReadFromCache命令从CacheBuffer内把数据读取出来，这就造成外部主控对串行接口NAND存储芯片中的数据进行连续读取的速度跟非连续读取的速度几乎相当，不能满足客户的需要。目前现有技术中有一些提高读取数据的方法，其采用的是两个缓存器进行乒乓操作的方法，如中国专利CN105205012A，公开了一种数据读取方法和装置，包括：S1，控制器控制从存储器中读取指定页的数据到第一缓存中，同时控制将第二缓存中存储的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种从串行接口NAND存储芯片中读取数据的方法，所述串行接口NAND存储芯片包括第一高速缓存器、第二高速缓存器、CPU、NAND闪存，其特征在于，所述方法包括：/n当串行接口NAND存储芯片通过SPI接口接收到页读取命令时，通过DMA方式将所述页读取命令对应的页数据读取到所述第一高速缓存器；/n当所述页数据读取完成时，设置OIP等于0，并立即通过DMA方式预读取下一页的页数据到所述第二高速缓存器；/n当串行接口NAND存储芯片通过所述SPI接口接收到新的页读取命令时，获取所述页读取命令对应的待读取页的第一页地址以及所述新的页读取命令对应的待读取页的第二页地址，检测所述第二页地址是否为第一页...

【技术特征摘要】
1.一种从串行接口NAND存储芯片中读取数据的方法，所述串行接口NAND存储芯片包括第一高速缓存器、第二高速缓存器、CPU、NAND闪存，其特征在于，所述方法包括：
当串行接口NAND存储芯片通过SPI接口接收到页读取命令时，通过DMA方式将所述页读取命令对应的页数据读取到所述第一高速缓存器；
当所述页数据读取完成时，设置OIP等于0，并立即通过DMA方式预读取下一页的页数据到所述第二高速缓存器；
当串行接口NAND存储芯片通过所述SPI接口接收到新的页读取命令时，获取所述页读取命令对应的待读取页的第一页地址以及所述新的页读取命令对应的待读取页的第二页地址，检测所述第二页地址是否为第一页地址的下一页地址；
若所述第二页地址为第一页地址的下一页地址，且所述下一页的页数据预读取完成，则设置OIP等于0，将下下一页的页数据预读取到第一高速缓存器。


2.如权利要求1所述的读取数据的方法，其特征在于，在所述检测所述第二页地址是否为第一页地址的下一页地址之后，还包括：
若所述第二页地址不为第一页地址的下一页地址，则所述CPU控制将所述新的页读取命令对应的页数据读取到第一/第二高速缓存器。


3.一种串行接口N...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄亚龙，徐光明，虞安华，
申请(专利权)人：深圳市芯天下技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44