【技术实现步骤摘要】
一种低制耳低硬度电容器外壳及其制备方法
本专利技术涉及一种低制耳低硬度电容器外壳及其制备方法,属于铝带压延制造
技术介绍
电容器是一种容纳电荷的器件,是电子产品不可或缺的关键元件,被广泛应用在电子产品电脑产品、通讯产品、仪器仪表、自动化控制、光电及军工领域,发展前景十分可观。而制耳率高一直是电容器外壳的一大难题。
技术实现思路
本专利技术旨在研究出低制耳,低硬度、加工性稳定的电容器外壳。基于本专利技术研究低制耳电容器外壳的目的,本专利技术提供的技术方案如下:一种低制耳低硬度电容器外壳,本专利技术提出一种新的合金技术方案,其特征在于:其原料组成成分及质量百分比为:Si≤0.1%,Fe0.18~0.28%,Cu≤0.03%,Mn≤0.01%,Zn≤0.03%,Ti≤0.03%,余量为Al。本专利技术还提供一种低制耳低硬度电容器外壳其制备方法,包括如下步骤:将上述原料充分搅拌均匀进行熔炼,熔炼后铸轧,铸轧后的铝卷成品厚度为6.2±0.3mm;将铸轧成品卷粗轧冷轧至0.7mm厚度 ...
【技术保护点】
1.一种低制耳低硬度电容器外壳,其特征在于,其原料组成成分及质量百分比为:Si≤0.1%,Fe 0.18~0.28%,Cu≤0.03%,Mn≤0.01%,Zn≤0.03%,Ti≤0.03%,余量为Al。/n
【技术特征摘要】
1.一种低制耳低硬度电容器外壳,其特征在于,其原料组成成分及质量百分比为:Si≤0.1%,Fe0.18~0.28%,Cu≤0.03%,Mn≤0.01%,Zn≤0.03%,Ti≤0.03%,余量为Al。
2.一种低制耳低硬度电容器外壳其制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
将权利要求1所述的原料充分搅拌均匀进行熔炼,熔炼后铸轧,铸轧后的铝卷成品厚度为6.2±0.3mm;将铸轧成品卷粗轧冷轧至0.7mm厚度,进行纵剪切边,切边后进行精轧轧制至成品厚度0.48mm;260℃退火4h,继续高温380℃保温18-26h。
3.根据权利要求2所述的一种低制耳低硬度电容器外壳制备方法,其特征在于,铸轧速度为800~1000mm/min,铸轧区为50~65mm。
4.根据权利要求2所述的一种低制耳低硬度电容器外壳制备方法,其特征在于,熔炼温度为730~750℃,倒炉温度为735~750℃。
5.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:曾元,宦文辉,张明成,朱江文,
申请(专利权)人:江苏鼎胜新能源材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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