一种单喷嘴气化炉制造技术

本实用新型专利技术公开了一种单喷嘴气化炉。其包括炉体和位于炉体的顶部的喷嘴；炉体由外至内依次包括炉体外壳和炉膛，炉膛由上至下分为炉膛拱形段和炉膛直筒段；喷嘴的出口伸入炉膛内；气化炉还包括以气化炉中轴为轴心、绕设于炉膛直筒段的第一电磁线圈和第二电磁线圈；第一电磁线圈和第二电磁线圈用于产生两个同向磁场；第一电磁线圈与喷嘴的出口的垂直间距为0.25～0.5倍炉膛直筒段的直径；第二电磁线圈与喷嘴的出口的垂直间距为1.5～2.5倍炉膛直筒段的直径。该单喷嘴气化炉克服了耐火砖等实体材料无法在高温下约束气化火焰的缺陷，从而提高了高温火焰区域单位体积内的反应强度；提高了碳转化率。

【技术实现步骤摘要】
一种单喷嘴气化炉
本技术涉及一种单喷嘴气化炉。
技术介绍
煤气化技术作为洁净煤技术的核心技术之一，是发展煤基化学品、煤基液体燃料、先进的IGCC发电、多联产系统、制氢、燃料电池等过程工业的基础，是这些行业的共性技术、关键技术和龙头技术，其应用领域与产品极为广泛。气流床煤气化技术，尤其是高压、大容量气流床煤气化技术具有良好的经济和社会效益，是最为成熟和应用最为广泛的清洁煤利用技术。气流床煤气化技术采用1300～1700℃的气化温度，液态排渣，使气化过程由900℃左右的化学反应控制(固定床)、1100℃左右的化学反应与传递共同控制(流化床)跃升为传递控制。作为气流床气化流程的核心设备，气化炉在高温、高压下运行，可提高碳转化率并避免焦油和酚类的产生。顶置单喷嘴结构作为气化炉最常用的结构之一，由于其结构简单，操作方便，投资成本相对较低的优点，得到了广泛地应用，但其喷嘴顶置、轴向向下射流的流场特性以及喷嘴下的高温火焰区域不易控制，而颗粒在气化炉内停留时间相对较短，导致气化炉碳转化率相对较低，气化效果在气化炉大型化时劣势明显，从而限制了该技术的发展本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单喷嘴气化炉，其特征在于，其包括炉体和位于所述炉体的顶部的喷嘴；/n所述炉体由外至内依次包括炉体外壳和炉膛，所述炉膛由上至下分为炉膛拱形段和炉膛直筒段；/n所述喷嘴的出口伸入所述炉膛内；/n所述气化炉还包括以所述气化炉中轴为轴心、绕设于所述炉膛直筒段的第一电磁线圈和第二电磁线圈；所述第一电磁线圈和所述第二电磁线圈用于产生两个同向磁场；/n所述第一电磁线圈与所述喷嘴的出口的垂直间距为所述炉膛直筒段的直径的0.25～0.5倍；/n所述第二电磁线圈与所述喷嘴的出口的垂直间距为所述炉膛直筒段的直径的1.5～2.5倍。/n

【技术特征摘要】
1.一种单喷嘴气化炉，其特征在于，其包括炉体和位于所述炉体的顶部的喷嘴；
所述炉体由外至内依次包括炉体外壳和炉膛，所述炉膛由上至下分为炉膛拱形段和炉膛直筒段；
所述喷嘴的出口伸入所述炉膛内；
所述气化炉还包括以所述气化炉中轴为轴心、绕设于所述炉膛直筒段的第一电磁线圈和第二电磁线圈；所述第一电磁线圈和所述第二电磁线圈用于产生两个同向磁场；
所述第一电磁线圈与所述喷嘴的出口的垂直间距为所述炉膛直筒段的直径的0.25～0.5倍；
所述第二电磁线圈与所述喷嘴的出口的垂直间距为所述炉膛直筒段的直径的1.5～2.5倍。


2.根据权利要求1所述的单喷嘴气化炉，其特征在于，所述喷嘴与所述炉体的中心轴线相同；
所述喷嘴的不同位置处还设有喷嘴冷却水进口和喷嘴冷却水出口；
所述喷嘴为双通道喷嘴、三通道喷嘴、四通道喷嘴或五通道喷嘴。


3.根据权利要求2所述的单喷嘴气化炉，其特征在于，所述喷嘴为双通道喷嘴，所述双通道喷嘴包括用于输送氧化剂的通道和用于输送燃料的通道；
所述用于输送氧化剂的通道的内径与所述用于输送燃料的通道的内径之比为1:2～1:6。
...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚岩，郭庆华，于广锁，梁钦锋，王辅臣，陈雪莉，刘海峰，王亦飞，代正华，李伟锋，郭晓镭，许建良，王兴军，陆海峰，赵辉，刘霞，丁路，赵丽丽，
申请(专利权)人：华东理工大学，
类型：新型
国别省市：上海;31