用于控制P沟道MOSFET的驱动器电路和包括其的控制装置制造方法及图纸

一种用于控制P沟道MOSFET的驱动器电路，包括：第一分压器，该第一分压器连接至P沟道MOSFET的源极端子；第一子晶体管，该第一子晶体管包括第一集电极端子、第一发射极端子和第一基极端子，该第一发射极端子被连接至第一分压器；第二子晶体管，该第二子晶体管包括第二集电极端子、第二发射极端子和第二基极端子，该第二发射极端子被连接至P沟道MOSFET的栅极端子，并且该第二基极端子被连接至第一连接节点；第三子晶体管，该第三子晶体管包括第三集电极端子、第三发射极端子和第三基极端子，该第三发射极端子被连接至第二发射极端子，并且该第三集电极端子被连接至接地；以及第三电阻器，该第三电阻器连接在第二集电极端子与第二发射极端子之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于控制P沟道MOSFET的驱动器电路和包括其的控制装置
本公开涉及一种用于控制作为安装在电源与电负载之间的电力线路上的主开关的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的驱动器电路以及一种包括该驱动器电路的控制装置。本申请要求于2018年10月30日在韩国提交的韩国专利申请No.10-2018-0131303的优先权，其公开内容通过引用并入本文。
技术介绍
安装在电动车辆中的诸如电动机的电负载通过主开关连接至电源。控制装置将主开关选择性地控制为导通或断开。当主开关导通时，来自电源的电力通过主开关被供应给电负载。图1是示出根据现有技术的控制装置的配置的示例性图。参考图1，设置在作为主开关的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中的漏极端子和源极端子分别电连接至电源和电负载。当控制器向主开关的栅极端子输出控制信号(例如，高电平的电压)时，电流沟道在主开关的漏极端子和源极端子之间导电，然后可以从电源向电负载供应电力。当不需要驱动电负载时，控制器停止输出控制信号以将主开关转变为断开状态。然而，即便当未将控制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于控制P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的驱动器电路，所述P沟道MOSFET包括栅极端子、连接至电源的源极端子和连接至电负载的漏极端子，所述驱动器电路包括：/n第一分压器，所述第一分压器包括通过第一连接节点串联连接的第一分压电阻器和第二分压电阻器，所述第一分压器的一端被连接至所述P沟道MOSFET的源极端子；/n第一子晶体管，所述第一子晶体管包括第一集电极端子、第一发射极端子和第一基极端子，所述第一发射极端子被连接至所述第一分压器的另一端，并且所述第一集电极端子被连接至接地；/n第二子晶体管，所述第二子晶体管包括第二集电极端子、第二发射极端子和第二基极端子，所述第二发...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181030 KR 10-2018-01313031.一种用于控制P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的驱动器电路，所述P沟道MOSFET包括栅极端子、连接至电源的源极端子和连接至电负载的漏极端子，所述驱动器电路包括：
第一分压器，所述第一分压器包括通过第一连接节点串联连接的第一分压电阻器和第二分压电阻器，所述第一分压器的一端被连接至所述P沟道MOSFET的源极端子；
第一子晶体管，所述第一子晶体管包括第一集电极端子、第一发射极端子和第一基极端子，所述第一发射极端子被连接至所述第一分压器的另一端，并且所述第一集电极端子被连接至接地；
第二子晶体管，所述第二子晶体管包括第二集电极端子、第二发射极端子和第二基极端子，所述第二发射极端子被连接至所述P沟道MOSFET的栅极端子，并且所述第二基极端子被连接至所述第一连接节点；
第三子晶体管，所述第三子晶体管包括第三集电极端子、第三发射极端子和第三基极端子，所述第三发射极端子被连接至所述第二发射极端子，并且所述第三集电极端子被连接至接地；以及
第三电阻器，所述第三电阻器连接在所述第二集电极端子与所述第二发射极端子之间。


2.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中，所述第一连接节点进一步连接至所述第三基极端子。


3.根据权利要求2所述的驱动器电路，其中，所述第一分压电阻器的电阻高于所述第二分压电阻器的电阻。


4.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中，所述第三发射极端子进一步连接至所述P沟道MOSFET的栅极端子。


5.根据权利要求1所述的驱动器电路，其中，所述第一分压器被配置成在所述第一子晶体管被接通的同时使用来自所述电源的输入电压来在所述第一连接节点处产生第一开关电压，并且
响应于所述第一开关电压被施加到所述第三基极端子，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：金俊烨，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国;KR