一种改善IGBT模块关断振荡的电路结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种改善IGBT模块关断振荡的电路结构，IGBT模块的集电极C与发射极E之间并联有依次相互串联的电阻R1和电容C1，IGBT模块的栅极G与发射极E之间并联有依次相互串联的电容C2和电阻R2。本实用新型专利技术能够降低米勒反馈，提高IGBT模块关断可靠性；降低IGBT模块关断时的电压尖峰；降低IGBT模块关断时的电流及电压振荡，更容易获取动态特性参数。

【技术实现步骤摘要】
一种改善IGBT模块关断振荡的电路结构
本技术属于IGBT模块
，具体涉及一种改善IGBT模块关断振荡的电路结构。
技术介绍
单管模块的内部由若干个IGBT并联，以达到所需要的电流规格，可以视为大电流规格的IGBT单管。受机械强度和热阻的限制，IGBT的管芯面积不能做得太大，大电流规格的IGBT需要将多个管芯装配到一块金属基板上。副发射极（第二发射极）连接到栅极驱动电路，主发射极连接到主电路中。大功率IGBT模块，在关断时VCE电压迅速上升，通过集电极-栅极（米勒）电容反馈至栅极，使原本该正在下降的VGE驱动电压上升。当条件满足时，此反馈电压会超过栅极阈值电压，使的IGBT再次导通，并可能使IGBT在导通和关断的状态反复转换形成多个周期的衰减振荡。目前尚没有通过在IGBT模块内部集成的方案以针对性解决IGBT模块关断振荡的问题。
技术实现思路
本技术解决的技术问题是提供了一种改善IGBT模块关断振荡的电路结构，用于降低IGBT模块的应用难度，提高IGBT模块关断振荡的优化效果。本技术为解决上述技术问题采用如下技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善IGBT模块关断振荡的电路结构，包括IGBT模块，其特征在于：所述IGBT模块的集电极C与发射极E之间并联有依次相互串联的电阻R1和电容C1，IGBT模块的栅极G与发射极E之间并联有依次相互串联的电容C2和电阻R2。/n

【技术特征摘要】
1.一种改善IGBT模块关断振荡的电路结构，包括IGBT模块，其特征在于：所述IGBT模块的集电极C与发射极E之间并联有依次相互串联的电阻R1和电容C1，IGBT模块的栅极G与发射极E之间并联有依次相互串联的电容C2和电阻R2。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：李向峰，姜季均，
申请(专利权)人：河南省丽晶美能电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：河南;41