一种降低插损的PCB装置、加工方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种降低插损的PCB装置、加工方法，PCB包括非高速走线层和至少一内层高速走线层；高速走线层上的高速走线表面的铜箔粗糙度为第一粗糙度；高速走线层上除高速走线以外的非高速走线表面的铜箔粗糙度、高速走线层上铜箔的铜箔粗糙度和非高速走线层表面的铜箔粗糙度为第二粗糙度；第二粗糙度大于第一粗糙度，第一粗糙度大于等于PCB基材原始铜箔粗糙度；通过仅改善高速走线表面铜箔粗糙度，而其他非高速走线区域高速走线以外的铜箔表面粗糙度增加，这样既保证了PCB基材间的粘合度，又不用改变基材铜箔表面的粗糙度，改善了传输线的导体损耗，同时保证了PCB的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种降低插损的PCB装置、加工方法
本专利技术实施例涉及但不限于高速通信系统领域，具体而言，涉及但不限于一种降低插损的PCB(PrintedCircuitBoard，印刷电路板)装置、加工方法。
技术介绍
随着高速串行信号速率上升到112Gpbs，尽管采用了PAM4(4PulseAmplitudeModulation，脉冲振幅调制)的调制方式，系统关注的奈奎斯特频率还是由25Gbps时的12.5GHz上升到了28GHz，系统整个通道的损耗也成倍的上升，然而芯片能支持的ball-to-ball驱动能力却还只能维持在28dB左右，这给采用传统PCB背板系统实现112Gbps信号传输来带巨大的挑战。要实现传统PCB背板系统传输速率向112Gbps升级，必须降低系统整个通道的损耗。在传统背板系统中，传输线的损耗占到了无源通道总损耗的60％以上，因此，传输线的损耗改善程度直接关系到背板系统升级112G的可实现性。传输线损耗主要介质损耗和导体损耗构成，介质损耗主要由PCB基材的玻纤和树脂决定，可以通过玻纤和树脂的提升来改善；由于趋肤效应，导体损耗与铜箔表面粗糙度强相关，所以要减小导体损耗就需要降低铜箔表面的粗糙度。在相关技术中的PCB装置中，为了增强PCB基材间的粘合度，降低基材间分层、爆板等风险，都会在PCB基材层压前对其进行整板棕化(BrownOxide)处理，提升基材铜箔表面的粗糙度，然而这样处理却增大了传输线的导体损耗，不利于112G系统的实现。
技术实现思路
本专利技术实施例提供的一种降低插损的PCB装置、加工方法，主要解决的技术问题是相关技术中的PCB装置通过在PCB基材层压前对其进行整板棕化处理，增大传输线的导体损耗的问题。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种降低插损的PCB装置，包括：非高速走线层和至少一内层高速走线层；所述高速走线层上的高速走线表面的铜箔粗糙度为第一粗糙度；所述高速走线层上除所述高速走线以外的非高速走线表面的铜箔粗糙度、高速走线层上铜箔的铜箔粗糙度和所述非高速走线层的铜箔粗糙度为第二粗糙度；所述第二粗糙度大于所述第一粗糙度，所述第一粗糙度大于等于PCB基材原始铜箔粗糙度。本专利技术实施例还提供一种降低插损的PCB加工方法，包括：所述PCB包括非高速走线层和至少一内层高速走线层；识别所述PCB的高速走线和非高速走线；对所述高速走线层的高速走线不进行棕化或粗化处理，以使得铜箔粗糙度为第一粗糙度，对所述高速走线层上除所述高速走线以外的非高速走线表面、高速走线层上的铜箔和所述非高速走线层采用棕化或粗化处理，以使得铜箔粗糙度为第二粗糙度；所述第二粗糙度大于所述第一粗糙度，所述第一粗糙度大于等于所述PCB基材原始铜箔粗糙度；对PCB内层基材进行压合。本专利技术的有益效果是：根据本专利技术实施例提供的一种降低插损的PCB装置、加工方法，PCB包括非高速走线层和至少一内层高速走线层；所述高速走线层上的高速走线表面的铜箔粗糙度为第一粗糙度；所述高速走线层上除所述高速走线以外的非高速走线表面的铜箔粗糙度、高速走线层上铜箔的铜箔粗糙度和所述非高速走线层的铜箔粗糙度为第二粗糙度；所述第二粗糙度大于所述第一粗糙度，所述第一粗糙度大于等于PCB基材原始铜箔粗糙度；本专利技术实施例中的PCB装置中仅改善高速走线表面铜箔粗糙度，而其他非高速走线区域高速走线以外的铜箔表面粗糙度增加，这样既保证了PCB基材间的粘合度，又不用改变基材铜箔表面的粗糙度，改善了传输线的导体损耗，同时保证了PCB的可靠性。本专利技术其他特征和相应的有益效果在说明书的后面部分进行阐述说明，且应当理解，至少部分有益效果从本专利技术说明书中的记载变的显而易见。附图说明图1为本专利技术实施例一的一种PCB装置示意图；图2为本专利技术实施例一的PCB装置的高速走线层示意图；图3为本专利技术实施例一的高速走线层的截面示意图；图4为本专利技术实施例一的高速走线层的高速走线附近穿插着添加若干GND过孔的示意图；图5为本专利技术实施例一的本专利技术PCB装置较传统PCB装置对插入损耗的改善示意图；图6为本专利技术实施例一的另一种PCB装置示意图；图7为本专利技术实施例二的降低插损的PCB加工方法的流程图；图8为本专利技术实施例三的降低插损的PCB加工方法的流程图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面通过具体实施方式结合附图对本专利技术实施例作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。实施例一：在相关技术中，为了增强PCB基材间的粘合度，降低基材间分层、爆板等风险，都会在PCB基材层压前对其进行整板棕化(BrownOxide)处理，提升基材铜箔表面的粗糙度，然而这样处理却增大了传输线的导体损耗，不利于112G系统的实现；为了解决上述问题，本专利技术实施例中降低插损的PCB装置通过改善内层高速走线区域铜箔粗糙度，使得该铜箔粗糙度与基材铜箔原始粗糙度一致，而其他非高速走线区域进行正常粗化增大铜箔表面粗糙度，提升PCB基材间的粘合度。如图1所示，图1为本专利技术实施例提供的降低插损的PCB装置，图2为高速走线层的示意图，该PCB装置包括非高速走线层101和至少一内层高速走线层102，其中非高速走线层101位于PCB装置的表层，也可以位于PCB装置的内层；如图2所示，该高速走线层102包括高速走线201、非高速走线202、铜箔203；其中高速走线层102上的高速走线201表面的铜箔粗糙度为第一粗糙度R1；该高速走线层102上除高速走线201以外的非高速走线202表面的铜箔粗糙度、高速走线层102上铜箔203的铜箔粗糙度和该非高速走线层101的铜箔粗糙度为第二粗糙度R2；可以理解的是，在专利技术实施例中非高速走线层101可以包括铜箔或/和非高速走线，可以是铜箔或非高速走线表面的铜箔粗糙度为第二粗糙度R2，也可以是铜箔和非高速走线表面的铜箔粗糙度为第二粗糙度R2。该第二粗糙度R2大于该第一粗糙度R1，该第一粗糙度R1大于等于PCB基材原始铜箔粗糙度R，如图3所示，图3为高速走线层的截面示意，高速走线201表面的铜箔呈现出较低的铜箔粗糙度R1，非高速走线202表面的铜箔，铜箔203呈现出较大的铜箔粗糙度R2。在本专利技术实施例中，该高速走线201包括差分线，与该差分线连接且经挖反焊盘处理的过孔，该过孔包括焊球阵列封装BGA扇出过孔，或连接器过孔，或者换层过孔(图中未示出)，差分线有完整的参考平面，例如高速走线包括差分线，与差分线连接的BGA扇出过孔，其中BGA扇出过孔用于实现焊球阵列封装，扇出指的是将某个元器件引脚走出一小段线，再打一个过孔结束；高速走线包括差分线，与差分线连接的连接器过孔，连接器过孔用于插连接器，与连接器一起完成PCB间的互连，连接器过孔将信号从连接器引入到PCB的信号层；高速走线包括差分线，与差分线连接的换层过孔，多层PCB中，信号采用过本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种降低插损的PCB装置，包括：非高速走线层和至少一内层高速走线层；/n所述高速走线层上的高速走线表面的铜箔粗糙度为第一粗糙度；所述高速走线层上除所述高速走线以外的非高速走线表面的铜箔粗糙度、高速走线层上铜箔的铜箔粗糙度和所述非高速走线层的铜箔粗糙度为第二粗糙度；/n所述第二粗糙度大于所述第一粗糙度，所述第一粗糙度大于等于PCB基材原始铜箔粗糙度。/n

【技术特征摘要】
1.一种降低插损的PCB装置，包括：非高速走线层和至少一内层高速走线层；
所述高速走线层上的高速走线表面的铜箔粗糙度为第一粗糙度；所述高速走线层上除所述高速走线以外的非高速走线表面的铜箔粗糙度、高速走线层上铜箔的铜箔粗糙度和所述非高速走线层的铜箔粗糙度为第二粗糙度；
所述第二粗糙度大于所述第一粗糙度，所述第一粗糙度大于等于PCB基材原始铜箔粗糙度。


2.如权利要求1所述降低插损的PCB装置，其特征在于，所述高速走线层上的高速走线未经过棕化或粗化处理，使得铜箔粗糙度为第一粗糙度；所述高速走线层上除高速走线以外的非高速走线表面、高速走线层上的铜箔和所述非高速走线层经过棕化或粗化处理，使得铜箔粗糙度为第二粗糙度。


3.如权利要求2所述降低插损的PCB装置，其特征在于，高速走线层包括至少两层，部分高速走线层上的高速走线未经过棕化或粗化处理；所述非高速走线层和其他部分高速走线层经过棕化或粗化处理。


4.如权利要求2所述降低插损的PCB装置，其特征在于，所述高速走线层包括至少两条高速走线，所述高速走线层上的部分高速走线未经过棕化或粗化处理；所述高速走线层上的非高速走线和其他部分高速走线经过棕化或粗化处理。


5.如权利要求2所述降低插损的PCB装置，其特征在于，所述高速走线层包括至少三条高速走线，所述高速走线层上的部分高速走线未经过棕化或粗化处理；所述高速走线层上的部分高速走线经过超低粗糙度处理，使得铜箔粗糙度为第三粗糙度，所述高速走线层上的非高速走线和其他部分高速走线经过棕化或粗化处理；
所述第二粗糙度大于所述第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪济欢，易毕，任永会，王迎新，
申请(专利权)人：中兴通讯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44