一种开关电源制造技术

本发明专利技术公开了一种开关电源，包括：晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3、晶体管Q4、晶体管Q5栅极均与电源控制信号输入端连接，晶体管Q1漏极与电源U一端连接，晶体管Q1源极与晶体管Q2漏极、电感L1一端连接，晶体管Q2源极与晶体管Q3漏极、电感L2一端连接，晶体管Q3源极与电源U另一端、电容C2一端、电容C3一端、电阻RL一端连接，电感L1另一端与电容C1一端、晶体管Q4漏极连接，电感L2另一端与电容C1另一端、电容C2另一端、晶体管Q5源极连接，晶体管Q4源极与晶体管Q5漏极、电感L3一端连接，电感L3另一端与电容C3另一端、电阻RL另一端连接。本发明专利技术开关电源在无需配置高分辨率PWM模块情况下，也可以同时满足低纹波、高效、快速动态响应、高分辨率。

【技术实现步骤摘要】
一种开关电源
本专利技术属于开关电源电子电路
，具体涉及一种开关电源。
技术介绍
随着电力电子技术的发展，电源模块在各个领域得到了广泛的应用，开关电源更是逐步取代了线性电源，成为主流电源。开关电源的功率开关处于开关状态，而线性电源的功率开关处于半导通状态，因此开关电源的效率通常比线性电源高，但开关电源的纹波和动态响应却一般比线性电源差很多。有些场合既需要开关电源的高效率，同时对纹波和动态响应也有要求，此时一般的方案会提高开关频率，牺牲一点效率。效率和纹波(或者动态响应)总是矛盾体。在高压领域，提高开关频率比低压领域难得多，对半导体工艺要求很高，例如，工作在1200V的开关电源中一般采用绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor，简称IGBT)作为开关管，而常规IGBT的开关频率20kHz左右，高频的可以到100kHz左右，这几乎已经是极限了；再例如，工作在600V的开关管除开IGBT外还可以选择高压金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor,简称MOS)，MOS的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种开关电源，其特征在于，包括：电源U、晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3、晶体管Q4、晶体管Q5、电感L1、电感L2、电感L3、电容C1、电容C2、电容C3、电阻RL，其中，/n所述晶体管Q1～Q5的栅极均与电源控制信号输入端连接，所述晶体管Q1的漏极与所述电源U的一端连接，所述晶体管Q1的源极与所述晶体管Q2的漏极、所述电感L1的一端连接，所述晶体管Q2的源极与所述晶体管Q3的漏极、所述电感L2的一端连接，所述晶体管Q3的源极与所述电源U的另一端、所述电容C2的一端、所述电容C3的一端、所述电阻RL的一端连接，所述电感L1的另一端与所述电容C1的一端、所述晶体管Q4的漏极连接，所述电感...

【技术特征摘要】
1.一种开关电源，其特征在于，包括：电源U、晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3、晶体管Q4、晶体管Q5、电感L1、电感L2、电感L3、电容C1、电容C2、电容C3、电阻RL，其中，
所述晶体管Q1～Q5的栅极均与电源控制信号输入端连接，所述晶体管Q1的漏极与所述电源U的一端连接，所述晶体管Q1的源极与所述晶体管Q2的漏极、所述电感L1的一端连接，所述晶体管Q2的源极与所述晶体管Q3的漏极、所述电感L2的一端连接，所述晶体管Q3的源极与所述电源U的另一端、所述电容C2的一端、所述电容C3的一端、所述电阻RL的一端连接，所述电感L1的另一端与所述电容C1的一端、所述晶体管Q4的漏极连接，所述电感L2的另一端与所述电容C1的另一端、所述电容C2的另一端、所述晶体管Q5的源极连接，所述晶体管Q4的源极与所述晶体管Q5的漏极、所述电感L3的一端连接，所述电感L3的另一端与所述电容C3的另一端、所述电阻RL的另一端连接。


2.根据权利要求1所述的开关电源，其特征在于，所述晶体管Q1、所述晶体管Q2、所述晶体管Q3均为IGBT管，所述晶体管Q4、所述晶体管Q5均为MOS管。


3.根据权利要求1所述的开关电源，其特征在于，还包括电容C4，所述电容C4的一端与所述晶体管Q1的漏极连接，所述电容C4的另一端与所述晶体管Q4的漏极连接。


4.根据权利要求3所述的开关电源，其特征在于，还包括电容C5，所述电容C5的一端与所述晶体管Q1的漏极连接，所述电容C5的另一端与所述电感L3的一端、所述电容C3的一端、所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁印，贾根霞，
申请(专利权)人：上海波圆电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31