一种宽温控制方法、电路及其系统技术方案

本发明专利技术公开了一种宽温控制方法、电路及其系统，通过利用所述宽温控制电路实时监测晶体管的基极的电压值；将监测到的电压值利用所述滤波模块进行滤波处理，之后传输至主板；主板判断获取到的电压值处于的温度值的区间；根据确定的温度值区间范围，控制所述宽温控制电路中的所述热敏电阻R4调整晶体管的基极电压，对晶体管的发生结饱和导通电压变化补偿，以此实现对晶体管的参数起到补偿作用，避免晶体管在宽温条件下出现温度漂移的现象，使得主板电路能够正常工作。

【技术实现步骤摘要】
一种宽温控制方法、电路及其系统
本专利技术涉及主板电路
，尤其涉及一种宽温控制方法、电路及其系统。
技术介绍
目前普通主板只需要满足常温条件(0～40℃)下正常工作即可，而在特种计算机领域，由于恶劣环境的苛刻要求，经常要求主板能够在宽温下正常、稳定地运行，如-40℃至85℃，其远远超出了常温条件。在这种极冷和极热的恶劣环境下，主板上的电子器件如晶体管会出现温度漂移的物理现象，晶体管的发射结饱和导通电压随温度改变，从而改变了电路的特性，致使主板无法正常工作。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种宽温控制方法、电路及其系统，旨在解决现有技术中的电子器件在极冷极热宽温条件下出现温度漂移的物理现象，而造成电子器件参数改变，致使主板无法工作的技术问题。为实现上述目的，本专利技术采用的一种宽温控制电路，包括电源VCC、电阻R1、电阻R2、三级管Q1、三极管Q2、电阻R3、热敏电阻R4、电阻R5和稳压二极管D1，所述电阻R1、所述电阻R2和所述三级管Q1并联在所述电源VCC和所述三极管Q2之间，且所述电阻R1和所述三级管Q1的第一端电性连接于所述三极管Q2的第一端，所述电阻R2电性连接于所述三极管Q2的第二端，所述三极管Q2的第三端分别电性连接于所述电阻R3、所述热敏电阻R4和所述三级管Q1的第二端，且所述电阻R3和所述热敏电阻R4并联，所述稳压二极管D1与所述电阻R5串联在所述三级管Q1的第二端和晶体管的基极之间，且晶体管的基极与所述电源VCC电性连接。本专利技术还提供一种宽温控制系统，包括宽温控制电路，还包括滤波模块，所述滤波模块包括两个电容C1、两个电阻R6、第一运算放大器和电阻R7，两个所述电容C1之间串联，两个所述电阻R6之间串联，两个所述电容C1和两个所述电阻R6并联在所述电源VCC和所述第一运算放大器的同相输入端，所述电阻R7与所述第一运算放大器的反相输入端电性连接并接地，所述第一运算放大器的第三端与晶体管的基极电性连接。其中，所述滤波模块还包括电容C2，所述电容C2的一端电性连接于两个所述电阻R6之间，所述电容C2的另一端接地。其中，所述滤波模块还包括电阻R8，所述电阻R8的一端电性连接于两个所述电容C1之间，所述电阻R8的另一端与晶体管的基极电性连接。其中，所述滤波模块还包括电阻R9，所述电阻R9的一端与所述第一运算放大器的反向输入端电性，所述R9的另一端与晶体管的基极电性连接。其中，每个所述电阻R6的电阻值为所述电阻R8的电阻值的2倍。其中，电压放大值减去1的差值与所述电阻R7的阻值的乘积等于所述电阻R9的阻值。本专利技术还提供一种宽温控制方法，包括宽温控制系统，步骤如下：利用所述宽温控制电路实时监测晶体管的基极的电压值；将监测到的电压值利用所述滤波模块进行滤波处理，之后传输至主板；主板判断获取到的电压值处于的温度值的区间；根据确定的温度值区间范围，控制所述宽温控制电路中的所述热敏电阻R4调整晶体管的基极电压，对晶体管的发生结饱和导通电压变化补偿。本专利技术的有益效果体现在：通过利用所述宽温控制电路实时监测晶体管的基极的电压值；将监测到的电压值利用所述滤波模块进行滤波处理，之后传输至主板；主板判断获取到的电压值处于的温度值的区间；根据确定的温度值区间范围，控制所述宽温控制电路中的所述热敏电阻R4调整晶体管的基极电压，对晶体管的发生结饱和导通电压变化补偿，以此实现对晶体管的参数起到补偿作用，避免晶体管在宽温条件下出现温度漂移的现象，使得主板电路能够正常工作。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术的宽温控制系统的电路原理图。图2是本专利技术的宽温控制电路的电路原理图。图3是本专利技术的滤波模块的电路原理图。图4是本专利技术的微调模块的电路原理图。图5是本专利技术的稳压模块的电路原理图。图6是本专利技术的宽温控制系统的结构框图。图7是本专利技术的宽温控制方法的步骤原理图。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。请参阅图1至图6，本专利技术提供了技术方案，一种宽温控制电路，包括电源VCC、电阻R1、电阻R2、三级管Q1、三极管Q2、电阻R3、热敏电阻R4、电阻R5和稳压二极管D1，所述电阻R1、所述电阻R2和所述三级管Q1并联在所述电源VCC和所述三极管Q2之间，且所述电阻R1和所述三级管Q1的第一端电性连接于所述三极管Q2的第一端，所述电阻R2电性连接于所述三极管Q2的第二端，所述三极管Q2的第三端分别电性连接于所述电阻R3、所述热敏电阻R4和所述三级管Q1的第二端，且所述电阻R3和所述热敏电阻R4并联，所述稳压二极管D1与所述电阻R5串联在所述三级管Q1的第二端和晶体管的基极之间，且晶体管的基极与所述电源VCC电性连接。本专利技术还提供了一种宽温控制系统，包括所述宽温控制电路，还包括滤波模块，所述滤波模块包括两个电容C1、两个电阻R6、第一运算放大器和电阻R7，两个所述电容C1之间串联，两个所述电阻R6之间串联，两个所述电容C1和两个所述电阻R6并联在所述电源VCC和所述第一运算放大器的同相输入端，所述电阻R7与所述第一运算放大器的反相输入端电性连接并接地，所述第一运算放大器的第三端与晶体管的基极电性连接。所述滤波模块还包括电容C2，所述电容C2的一端电性连接于两个所述电阻R6之间，所述电容C2的另一端接地。所述滤波模块还包括电阻R8，所述电阻R8的一端电性连接于两个所述电容C1之间，所述电阻R8的另一端与晶体管的基极电性连接。所述滤波模块还包括电阻R9，所述电阻R9的一端与所述第一运算放大器的反向输入端电性，所述R9的另一端与晶体管的基极电性连接。每个所述电阻R6的电阻值为所述电阻R8的电阻值的2倍。电压放大值减去1的差值与所述电阻R7的阻值的乘积等于所述电阻R9的阻值。在本实施方式中，所述宽温控制电路能够为晶体管提供基极电压，并根据温度变化导致晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种宽温控制电路，其特征在于，/n包括电源VCC、电阻R1、电阻R2、三级管Q1、三极管Q2、电阻R3、热敏电阻R4、电阻R5和稳压二极管D1，所述电阻R1、所述电阻R2和所述三级管Q1并联在所述电源VCC和所述三极管Q2之间，且所述电阻R1和所述三级管Q1的第一端电性连接于所述三极管Q2的第一端，所述电阻R2电性连接于所述三极管Q2的第二端，所述三极管Q2的第三端分别电性连接于所述电阻R3、所述热敏电阻R4和所述三级管Q1的第二端，且所述电阻R3和所述热敏电阻R4并联，所述稳压二极管D1与所述电阻R5串联在所述三级管Q1的第二端和晶体管的基极之间，且晶体管的基极与所述电源VCC电性连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种宽温控制电路，其特征在于，
包括电源VCC、电阻R1、电阻R2、三级管Q1、三极管Q2、电阻R3、热敏电阻R4、电阻R5和稳压二极管D1，所述电阻R1、所述电阻R2和所述三级管Q1并联在所述电源VCC和所述三极管Q2之间，且所述电阻R1和所述三级管Q1的第一端电性连接于所述三极管Q2的第一端，所述电阻R2电性连接于所述三极管Q2的第二端，所述三极管Q2的第三端分别电性连接于所述电阻R3、所述热敏电阻R4和所述三级管Q1的第二端，且所述电阻R3和所述热敏电阻R4并联，所述稳压二极管D1与所述电阻R5串联在所述三级管Q1的第二端和晶体管的基极之间，且晶体管的基极与所述电源VCC电性连接。


2.一种宽温控制系统，包括如权利要求1所述的宽温控制电路，其特征在于，
还包括滤波模块，所述滤波模块包括两个电容C1、两个电阻R6、第一运算放大器和电阻R7，两个所述电容C1之间串联，两个所述电阻R6之间串联，两个所述电容C1和两个所述电阻R6并联在所述电源VCC和所述第一运算放大器的同相输入端，所述电阻R7与所述第一运算放大器的反相输入端电性连接并接地，所述第一运算放大器的第三端与晶体管的基极电性连接。


3.如权利要求2所述的宽温控制系统，其特征在于，
所述滤波模块还包括电容C2，所述电容C2的...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐茜，徐朝阳，
申请(专利权)人：深圳市智仁科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44