显示装置制造方法及图纸

提供了一种显示装置。该显示装置包括连接到扫描线和与扫描线交叉的数据线的多个像素，其中，多个像素中的每个包括发光元件和第一晶体管，第一晶体管被配置为根据从数据线施加的数据电压来控制供应到发光元件的驱动电流，其中，第一晶体管包括第一有源层，第一有源层包括包含铟(In)的氧化物半导体，并且其中，第一有源层的氧化物半导体中的铟的含量为70at％或更大。

【技术实现步骤摘要】
显示装置本申请要求于2019年6月19日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0072739号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
公开涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种包括氧化物薄膜晶体管的显示装置，该氧化物薄膜晶体管具有用于增大氧化物薄膜晶体管的驱动电压范围的一定量的铟(In)。
技术介绍
随着多媒体技术的发展，显示装置的重要性已经稳步提高。因此，已经使用了各种类型的显示装置，诸如有机发光显示器(OLED)、液晶显示器(LCD)等。显示装置是用于显示图像的装置，并且包括显示面板，诸如有机发光显示面板或液晶显示面板。在它们之中，这样的发光显示面板可以包括发光元件。发光二极管(LED)的示例可以包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(OLED)和使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管。以上描述的类型之中的显示装置包括相应的显示面板、栅极驱动电路、数据驱动电路和时序控制器。显示面板包括数据线、栅极线以及形成在数据线和栅极线的交叉处的像素。当通过栅极线将栅极信号供应到作为开关元件的薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，所述显示装置包括：/n多个像素，连接到扫描线和与所述扫描线交叉的数据线，/n其中，所述多个像素中的每个包括发光元件和第一晶体管，所述第一晶体管被配置为根据从所述数据线施加的数据电压来控制供应到所述发光元件的驱动电流，其中，所述第一晶体管包括第一有源层，所述第一有源层包括包含铟的氧化物半导体，并且其中，所述第一有源层的所述氧化物半导体中的所述铟的含量为70at％或更大。/n

【技术特征摘要】
20190619 KR 10-2019-00727391.一种显示装置，所述显示装置包括：
多个像素，连接到扫描线和与所述扫描线交叉的数据线，
其中，所述多个像素中的每个包括发光元件和第一晶体管，所述第一晶体管被配置为根据从所述数据线施加的数据电压来控制供应到所述发光元件的驱动电流，其中，所述第一晶体管包括第一有源层，所述第一有源层包括包含铟的氧化物半导体，并且其中，所述第一有源层的所述氧化物半导体中的所述铟的含量为70at％或更大。


2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述氧化物半导体包括氧化铟锡或氧化铟锡镓。


3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述氧化物半导体中的所述铟的量和锡的量的总和大于或等于95at％。


4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述氧化物半导体中的所述锡的所述量在5at％至20at％的范围内。


5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一有源层包括第一区域和第二区域，所述第二区域具有比所述第一区域的氧原子浓度高的氧原子浓度。


6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第二区域位于所述第一有源层的上表面和所述第一有源层的至少一个侧表面上。


7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一有源层包括第一导体区域、第二导体区域以及设置在所述第一导体区域与所述第二导体区域之间的沟道区域。


8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一晶体管还包括：
第一遮光层，设置在所述第一有源层下方；
第一栅电极，设置在所述第一有源层上；
第一源电极，通过穿过第一绝缘层的第一接触孔与所述第一导体区域接触，所述第一绝缘层设置在所述第一栅电极上；以及
第一漏电极，通过穿过所述第一绝缘层的第二接触孔与所述第二导体区域接触。


9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一栅电极以2μm至10μm的叠置量与所述第一有源层叠置。


10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一源电极通过穿过所述第一绝缘层和缓冲层的第三接触孔与所述第一遮光层接触，所述缓冲层设置在所述第一有源层与所述第一遮光层之间。


11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素还包括第二晶体管，...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔惠临，文然建，朴晙晳，金明花，金兑相，金亨俊，朴根彻，全景辰，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR