【技术实现步骤摘要】
垂直存储器装置本申请要求于2019年6月21日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2019-0074144号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用被完全包含于此。
专利技术构思的示例性实施例涉及一种垂直存储器装置。
技术介绍
VNAND闪存装置可以包括在竖直方向上堆叠的存储器单元的水平层。在VNAND闪存装置中，随着在竖直方向上堆叠的栅电极的数量增加，基底会更容易弯曲。然而，在这种情况下，VNAND闪存装置可能无法具有均匀的电特性。
技术实现思路
根据专利技术构思的示例性实施例，提供了一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：电路图案，在第一基底上；绝缘中间层，在第一基底上，绝缘中间层覆盖电路图案；弯曲防止层，在绝缘中间层上，弯曲防止层在基本平行于第一基底的上表面的第一方向上延伸；第二基底，在弯曲防止层上；栅电极，在第二基底上沿第二方向彼此分隔开，第二方向基本垂直于第一基底的上表面；以及沟道，在第二方向上延伸穿过栅电极。根据专利技术构思的示例性实施例，提供了一种垂直...
【技术保护点】
1.一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：/n电路图案，位于第一基底上；/n绝缘中间层，位于第一基底上，绝缘中间层覆盖电路图案；/n弯曲防止层，位于绝缘中间层上，弯曲防止层在与第一基底的上表面基本平行的第一方向上延伸；/n第二基底，位于弯曲防止层上；/n栅电极，在第二基底上沿第二方向彼此分隔开，第二方向基本垂直于第一基底的上表面；以及/n沟道，在第二方向上延伸穿过栅电极。/n
【技术特征摘要】
20190621 KR 10-2019-00741441.一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：
电路图案，位于第一基底上；
绝缘中间层，位于第一基底上，绝缘中间层覆盖电路图案；
弯曲防止层，位于绝缘中间层上，弯曲防止层在与第一基底的上表面基本平行的第一方向上延伸；
第二基底，位于弯曲防止层上；
栅电极，在第二基底上沿第二方向彼此分隔开，第二方向基本垂直于第一基底的上表面；以及
沟道，在第二方向上延伸穿过栅电极。
2.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，弯曲防止层包括在基本平行于第一基底的上表面并基本垂直于第一方向的第三方向上彼此分隔开的多个图案。
3.根据权利要求2所述的垂直存储器装置，其中，所述多个图案包括：
第一组，包括在第三方向上彼此分隔开的第一图案；以及
第二组，包括在第三方向上彼此分隔开的第二图案，第二组在第一方向上与第一组分隔开。
4.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，每个栅电极在第一方向上延伸。
5.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，每个栅电极在第三方向上延伸。
6.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，弯曲防止层包括多个凹部，每个凹部在与第一基底的上表面基本平行的方向上延伸并且与第一方向成锐角。
7.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，弯曲防止层包括图案，其中，所述图案是在弯曲防止层的上表面上具有沿第一方向延伸的条形形状的凹部。
8.根据权利要求7所述的垂直存储器装置，所述垂直存储器装置还包括位于弯曲防止层上的缓冲层，缓冲层填充凹部并且具有平坦的上表面。
9.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，弯曲防止层是第一弯曲防止层，
其中，垂直存储器装置还包括：
布线，位于栅电极上，布线电连接到栅电极；以及
第二弯曲防止层，位于布线上。
10.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，弯曲防止层是第一弯曲防止层，
其中，垂直存储器装置还包括位于第一基底与绝缘中间层之间的第二弯曲防止层。
11.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，所述垂直存储器装置还包括在第二方向上延伸穿过栅电极和第二基底以电连接到电路图案的接触插塞结构，
其中，接触插塞结构包括接触插塞和覆盖接触插塞的侧壁的绝缘间隔件。
12.根据权利要求11所述的垂直存储器装置，其中，接触插塞结构延伸穿过弯曲防止层并且接触弯曲防止层。
13.根据权利要求11所述的垂直存储器装置，其中，接触插塞结构延伸穿过弯曲防止层，与弯曲防止层分隔开并且不接触弯曲防止层。
14.根据权利要求11所述的垂直存储器装置，其中，弯曲防止层是第一弯曲防止层，所述垂直存储器装置还包括在与第一基底的上表面基本平行的水平方向上与第一弯曲防止层分隔开的第二弯曲防止层，
其中，接触插塞结构在第一弯曲防止层与第二弯曲防止层之间延伸，并且不与第一弯曲防止层和第二弯曲防止层接触。
15.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中，弯曲防...
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