用于精密转换器的多I/O串行外设接口制造技术

本公开涉及用于精密转换器的多I/O串行外设接口。适用于精密转换器的多I/OSPI支持双/四/八进制SPI以支持数字传输的速度要求，并且还包括特殊模式，其可以通过硬件和/或软件使能，以消除JEDEC标准规定的位加扰要求。特殊模式消除了加扰要求，并将每个双向数据线关联到特定的信道。特殊模式提供向后兼容性，从而允许精密转换器与本身不支持JEDEC标准的控制器一起使用。同样，多I/OSPI包括分为主要区域的寄存器，仅在上电时以默认模式访问以进行写和/或读操作，以及由要在控制寄存器中启用的任何模式访问的次要区域。通过在加电时将对“控制”寄存器区域的访问限制为转换器中的预限定模式，可以控制访问模式。

【技术实现步骤摘要】
用于精密转换器的多I/O串行外设接口要求优先权本申请要求于2019年6月20日提交的美国临时申请62/864,286的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本文件涉及精密转换器，特别地涉及用于精密转换器的多I/O串行外设接口(SPI)。
技术介绍
JEDEC(jedec.org)已经为闪存和/或SD卡等存储器开发了一些串行通信标准。创建这些标准是为了保证独立于存储器制造和/或大小的通用通信协议，以便任何控制器都可以相同的方式与存储器通信。闪存JEDEC标准提供了不同的通信数据链路层，并且像以太网等其他标准一样，存储器必须支持基本模式。闪存JEDEC标准还提供了最小的开销，足够的带宽以满足实际和未来需求，并且大多数FPGA通过IP模块以及最新的微控制器和数字信号处理器广泛支持数据链路层。闪存JEDEC标准通过使用多个数据线和限定双向数据线来支持数据传输。通过传输特定命令或设置特定寄存器，可以提高在闪存JEDEC标准下配置的设备的通信速度。
技术实现思路
该文件涉及精密转换器，尤其涉及用于精密转换器的多I本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.多I/O串行外设接口(SPI)，包括:/n控制器，具有分为主要区域和次要区域的寄存器，所述主要区域包括用于配置所述控制器的数据和有关误差的数据，并且所述次要区域包括用于提供数模转换器(DAC)操作或模数转换器(ADC)操作中至少一种的数据；/n从设备，通过各自的数据线向/从所述控制器传输数据；和/n模式选择器，适于在上电时选择默认模式，其中所述主要区域仅在默认模式下用于写入和/或读取操作，并且所述次要区域通过所述主要区域启用的任何模式访问。/n

【技术特征摘要】
20190620 US 62/864,286;20200520 US 16/879,2051.多I/O串行外设接口(SPI)，包括:
控制器，具有分为主要区域和次要区域的寄存器，所述主要区域包括用于配置所述控制器的数据和有关误差的数据，并且所述次要区域包括用于提供数模转换器(DAC)操作或模数转换器(ADC)操作中至少一种的数据；
从设备，通过各自的数据线向/从所述控制器传输数据；和
模式选择器，适于在上电时选择默认模式，其中所述主要区域仅在默认模式下用于写入和/或读取操作，并且所述次要区域通过所述主要区域启用的任何模式访问。


2.权利要求1所述的接口，其中所述主要区域包含至少一个寄存器，该寄存器存储以下至少一项：支持接口配置的数据、支持误差的数据、支持电源模式的数据、用于配置控制器的数据、描述控制器行为的数据或用于提供误差检查和状态的数据。


3.权利要求2所述的接口，其中所述主要区域包含识别DAC操作或ADC操作的电压跨度范围的数据。


4.权利要求1所述的接口，其中所述次要区域包含控制输入数据以及DAC操作或ADC操作中的至少一种的至少一个寄存器。


5.权利要求4所述的接口，其中所述次要区域包含页面掩码。


6.权利要求1所述的接口，其中所述从设备包括适于提供限定所述从设备上电时的接口模式的上电模式选择功能的至少一个内部熔断器或至少一个开关。


7.权利要求1所述的接口，其中所述模式选择器包括所述从设备上的模式选择引脚，该模式选择引脚适于提供限定所述从设备上电时的接口模式的上电模式选择功能。


8.权利要求7所述的接口，其中所述从设备上的模式选择引脚连接到第一电压，以在上电时将所述控制器和所述从设备设置为第一默认模式，其中SPI被配置为仅访问所述主要区域。


9.权利要求8所述的接口，还包括将所述从设备连接到所述控制器的误差引脚，其中所述主要区域包括误差寄存器，并且其中在所述第一默认模式下，所述从设备在初始化从设备之后触发所述误差引脚并拉出误差寄存器。


10.权利要求7所述的接口，其中所述从设备上的模式选择引脚连接到第二电压，以在上电时将所述控制器和所述从设备设置为第二默认模式，其中所述控制器以双、四或八进制SPI模式重新配置SPI，以分别使用两个、四个或八个数据线访问所述主要区域和所述次要区域。


1...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·U·梅里诺，W·V·洛法米亚，F·J·唐尼，D·A·布朗尼，T·墨菲，
申请(专利权)人：亚德诺半导体国际无限责任公司，
类型：发明
国别省市：爱尔兰;IE