一种MEMS热电堆红外探测器及制备方法技术

技术编号:26787708 阅读:39 留言:0更新日期:2020-12-22 17:01
本发明专利技术属于微机电系统MEMS技术领域,具体涉及一种MEMS热电堆红外探测器及制备方法。红外探测器由下至上依次包括衬底层、牺牲层、支撑层、圆形吸收区和热电堆;热电堆包括若干根热电偶,若干根热电偶依次电气串联,且中心对称均匀分布在圆形吸收区的四周,形成辐射状的热电堆,每根热电偶从下至上依次包括第二热电偶层、隔离层和第一热电偶层,热电堆通过水平的支撑层布设在牺牲层的上端,且圆形吸收区对应位于隔热空腔的上方,每根热电偶的一端和圆形吸收区连接,另一端位于隔热空腔上端口外侧对应的支撑层上。本发明专利技术通过热电偶的堆叠结构与热电堆的辐射分布,提高了传感器表面的利用率,同时也增强了冷端的热传导,因此提高了传感器的整体性能。

【技术实现步骤摘要】
一种MEMS热电堆红外探测器及制备方法
本专利技术属于微机电系统MEMS
,具体涉及一种MEMS热电堆红外探测器及制备方法。
技术介绍
微机电系统MEMS是集微机械与微电子功能于一体的微型机电器件或系统,基于MEMS技术的器件(如MEMS传感器、驱动器)体积小、重量轻、功耗低、耐用性好、价格低廉、性能稳定等优点而广泛应用,尤其是在汽车、航天航空及电子行业。目前的微机电红外探测器在民用与军事领域都应用广泛,在军事上常广泛用于物体的探测与成像,如战地的夜视眼镜,军事营地的红外预警系统都使用了红外探测技术。在民用方面包括远程测温,和消费电子领域都应用广泛。热电堆红外探测器是基于塞贝克效应的非制冷红外探测器,当两种不同导电材料的闭环节点存在温度差时,此时电路会产生热电势差,多个热偶相互串联形成热电堆。此时热电堆输出电压是所有串联热电偶的温差电动势之和。目前常用的热电偶材料有:金和P型多晶硅,铝和硅外延层P型扩散器,N型和P型多晶硅。红外热电堆探测器不需要制冷和斩波,可以立即使用,此外随着CMOS的IIC工艺的引入使得制作工艺相对简本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MEMS热电堆红外探测器,其特征在于:由下至上依次包括衬底层 (1)、牺牲层(2)、支撑层(4)、圆形吸收区(31)和热电堆(32);/n所述衬底层(1)以方形的P型硅片为基础制成;/n所述牺牲层(2)以多晶硅为基础制成,牺牲层(2)的中部贯穿开设方形的隔热空腔(21);/n所述热电堆(32)包括若干根热电偶,若干根热电偶依次电气串联,且中心对称均匀分布在圆形吸收区(31)的四周,形成辐射状的热电堆(32);/n所述圆形吸收区(31)包括氮化硅材料的第一层吸收层(311)和黑硅材料的第二层吸收层(312);/n所述每根热电偶为水平布设的长条形,且从下至上依次包括第二热电偶层(321)、...

【技术特征摘要】
1.一种MEMS热电堆红外探测器,其特征在于:由下至上依次包括衬底层(1)、牺牲层(2)、支撑层(4)、圆形吸收区(31)和热电堆(32);
所述衬底层(1)以方形的P型硅片为基础制成;
所述牺牲层(2)以多晶硅为基础制成,牺牲层(2)的中部贯穿开设方形的隔热空腔(21);
所述热电堆(32)包括若干根热电偶,若干根热电偶依次电气串联,且中心对称均匀分布在圆形吸收区(31)的四周,形成辐射状的热电堆(32);
所述圆形吸收区(31)包括氮化硅材料的第一层吸收层(311)和黑硅材料的第二层吸收层(312);
所述每根热电偶为水平布设的长条形,且从下至上依次包括第二热电偶层(321)、隔离层(322)和第一热电偶层(323),每根热电偶的第二热电偶层(321)和第一热电偶层(323)电气连接;第二热电偶层(321)由N型多晶硅材料制成,隔离层(322)由氧化硅材料制成,第一热电偶层(323)由P型多晶硅材料制成;
所述热电堆(32)通过水平的支撑层(4)布设在牺牲层(2)的上端,且圆形吸收区(31)对应位于隔热空腔(21)的上方,每根热电偶的一端和圆形吸收区(31)连接,另一端位于隔热空腔(21)上端口外侧对应的支撑层(4)上。


2.根据权利要求1所述一种MEMS热电堆红外探测器,其特征在于:所述支撑层(4)为二氧化硅氧化膜。


3.根据权利要求1所述一种MEMS热电堆红外探测器,其特征在于:所述热电堆(32)包括40根热电偶,且热电堆(32)对应圆形吸收区(31)的一端为热端,另一端为冷端,且冷端对应的热电偶的第二热电偶层(321)和相邻热电偶的第一热电偶层(323)均通过第一电极(324)连接,热端对应的每根热电偶的第二热电偶层(321)和第一热电偶层(323)通过第二电极(325)连接,使得40根热电偶依次电气串联,并通过电极焊盘(324)引出;所述第一电极(325)和第二电极(326)均由Ti-Al材料制成。


4.根据权利要求1~3任一所述一种MEMS热电堆红外探测器的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
备片:准备一块晶向<100>的P型硅片作为衬底层(1),在P型硅片的上表面利用热氧化生长一层0.5um厚的二氧化硅氧化膜Ⅰ(11),并使用低压化学气相沉积法,在二氧化硅氧化膜Ⅰ(11)上沉积多晶硅作为牺牲层(2),且牺牲层(2)厚度为2um;
一次光刻:在牺牲层(2)表面利用反应离子刻蚀技术,贯穿牺牲层(2)光刻刻蚀出回形的窄槽(22);
沉积氧化:利用等离子化学气相沉积和热氧化技术,在窄槽(22)内贴壁生长一层二氧化硅氧化膜Ⅱ,由二氧化硅氧化膜Ⅰ与二氧化硅氧化膜Ⅱ构成空腔释放停止结构;
同时在牺...

【专利技术属性】
技术研发人员:许高斌杨朝晖陈士荣陈兴马渊明王琪李海生
申请(专利权)人:合肥工业大学
类型:发明
国别省市:安徽;34

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