促进用于谷值电流控制的功率转换器的电流感测的方法、设备及系统技术方案

为促进用于谷值电流控制的功率转换器的电流感测，一种实例性设备(114)包含比较器(206)，所述比较器包含第一端子、第二端子及输出。所述设备(114)进一步包含：第一晶体管(202)，其包含耦合到所述比较器(206)的所述第一端子的第一漏极；第二晶体管(300)，其包含耦合到所述比较器(206)的所述第一端子的第二漏极；及第三晶体管(204)，其包含耦合到所述比较器(206)的所述第二端子的第三漏极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】促进用于谷值电流控制的功率转换器的电流感测的方法、设备及系统
本专利技术一般来说涉及功率转换器，且更特定来说涉及促进用于谷值电流控制的功率转换器的电流感测的方法、设备及系统。
技术介绍
功率转换器是用于各种电组件中的电路，其将输入电压转换为所期望输出电压。举例来说，升压转换器通过控制晶体管及/或开关对电感器及/或电容器充电及/或放电来将输入电压转换成高输出电压，以维持所期望输出电压。一些升压转换器为谷值电流控制的。此些升压转换器使用谷值电流(例如，最小阈值电流)检测来触发电感器/电容器的充电/放电。
技术实现思路
本文中所揭示的一些实例促进用于谷值电流控制的功率转换器在降压模式操作中的电流感测。一种实例性设备包含比较器，所述比较器包含第一端子、第二端子及输出。所述设备进一步包含第一晶体管，其包含耦合到所述比较器的所述第一端子的第一漏极。所述设备进一步包含第二晶体管，其包含耦合到所述比较器的所述第一端子的第二漏极。所述设备进一步包含第三晶体管，其包含耦合到所述比较器的所述第二端子的第三漏极。本文中所揭示的一些实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种设备，其包括：/n比较器，其包含第一端子、第二端子及输出；/n第一晶体管，其包含耦合到所述比较器的所述第一端子的第一漏极；/n第二晶体管，其包含耦合到所述比较器的所述第一端子的第二漏极；及/n第三晶体管，其包含耦合到所述比较器的所述第二端子的第三漏极。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180525 US 15/990,3821.一种设备，其包括：
比较器，其包含第一端子、第二端子及输出；
第一晶体管，其包含耦合到所述比较器的所述第一端子的第一漏极；
第二晶体管，其包含耦合到所述比较器的所述第一端子的第二漏极；及
第三晶体管，其包含耦合到所述比较器的所述第二端子的第三漏极。


2.根据权利要求1所述的设备，其中：
所述第一晶体管包含待耦合到升压转换器的高侧晶体管的高侧源极的第一源极；
所述第二晶体管包含待耦合到所述升压转换器的所述高侧晶体管的高侧漏极的第二源极；且
所述第三晶体管包含待耦合到所述升压转换器的所述高侧晶体管的所述高侧漏极的第三源极。


3.根据权利要求2所述的设备，其中所述高侧晶体管的所述高侧漏极对应于所述升压转换器的输出电压。


4.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一、第二及第三晶体管为p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管。


5.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一、第二及第三晶体管复制升压转换器的高侧晶体管的性质。


6.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一及第二晶体管的第一及第二源极将耦合到电流调节器。


7.根据权利要求1所述的设备，其中所述比较器的所述输出将耦合到控制器。


8.根据权利要求7所述的设备，其中所述第一、第二及第三晶体管的栅极耦合到所述控制器。


9.一种设备，其包括：
第一晶体管，其将电流从升压转换器的电感器提供到第一节点；
第二晶体管，其在电感器电流在从零开始的阈值内时将所述第一节点处的第一电压朝向第二节点的第二电压线性化；
第三晶体管，其将所述升压转换器的输出电压节点耦合到所述第二节点；及
比较器，其在所述第一电压低于所述第二电压时输出触发信号，所述触发信号启用所述升压转换器的低侧控制。


10.根据权利要求9所述的设备，其中：
所述第一晶体管包含待耦合到所述升压转换器的高侧晶体管的高侧源极的第一源极及待耦合到所述第一节点的第一漏极；
所述第二晶体管包含耦合到所述高侧晶体管的高侧漏极的第二源极及耦合到所述第一节点的第二漏极；
所述第三晶体管包含耦合到所述高侧漏极的第三源极及耦合所述第二节点的第三漏极...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·基希纳，S·迪耶特里克，I·舒姆科夫，C·哈德，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：美国;US