【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示基板及其制作方法和显示装置
本公开的实施例涉及一种显示基板及其制作方法和显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode,OLED)显示面板由于具有视角宽、对比度高、响应速度快以及相比于无机发光显示器件的更高的发光亮度、更低的驱动电压等优势而逐渐受到人们的广泛关注。由于上述特点,有机发光二极管(OLED)显示面板可以适用于手机、显示器、笔记本电脑、数码相机、仪器仪表等具有显示功能的装置。
技术实现思路
本公开的至少一个实施例提供了一种显示基板,该显示基板包括第一像素单元和第二像素单元。所述第一像素单元包括层叠的第一电极和第一发光层;所述第二像素单元包括层叠的第二电极和第二发光层;所述第一发光层的有效发光面积不等于所述第二发光层的有效发光面积;在正对于所述显示基板的显示侧的方向上,所述第一像素单元中暴露的所述第一电极的光反射面积等于所述第二像素单元中暴露的所述第二电极的光反射面积。例如,在所述显示基板的至少一个示例中,所述第一电极和所述第二电极间隔设置且彼 ...
【技术保护点】
1.一种显示基板,包括第一像素单元和第二像素单元,其中,所述第一像素单元包括层叠的第一电极和第一发光层;/n所述第二像素单元包括层叠的第二电极和第二发光层;/n所述第一发光层的有效发光面积不等于所述第二发光层的有效发光面积;以及/n在正对于所述显示基板的显示侧的方向上,所述第一像素单元中暴露的所述第一电极的光反射面积等于所述第二像素单元中暴露的所述第二电极的光反射面积。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示基板,包括第一像素单元和第二像素单元,其中,所述第一像素单元包括层叠的第一电极和第一发光层;
所述第二像素单元包括层叠的第二电极和第二发光层;
所述第一发光层的有效发光面积不等于所述第二发光层的有效发光面积;以及
在正对于所述显示基板的显示侧的方向上,所述第一像素单元中暴露的所述第一电极的光反射面积等于所述第二像素单元中暴露的所述第二电极的光反射面积。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述第一电极和所述第二电极间隔设置且彼此绝缘;所述第一电极的面积等于所述第二电极的面积。
3.根据权利要求1或2所述的显示基板,还包括衬底基板和像素界定层,
其中,所述像素界定层设置在所述第一电极和所述第二电极的远离所述衬底基板的一侧,且形成有第一像素开口和第二像素开口;
所述第一像素单元包括所述第一像素开口,所述第二像素单元包括所述第二像素开口;
所述第一像素开口在所述衬底基板上的正投影位于所述第一电极在所述衬底基板上的正投影中,所述第二像素开口在所述衬底基板上的正投影位于所述第二电极在所述衬底基板上的正投影中;
所述第一发光层在所述衬底基板上的正投影位于所述第一像素开口在所述衬底基板上的正投影中,所述第二发光层在所述衬底基板上的正投影位于所述第二像素开口在所述衬底基板上的正投影中。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其中,所述第一像素开口的尺寸不等于所述第二像素开口的尺寸;以及
所述第一发光层的有效发光面积为所述第一发光层在所述第一像素开口中的面积,以及所述第二发光层的有效发光面积为所述第二发光层在所述第二像素开口中的面积。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其中,所述像素界定层与所述第一电极的交叠面积小于所述像素界定层与所述第二电极的交叠面积。
6.根据权利要求3所述的显示基板,其中,所述第一像素开口的尺寸等于所述第二像素开口的尺寸;以及
所述第一发光层的有效发光面积小于所述第一像素开口的尺寸,所述第二发光层的有效发光面积小于所述第二像素开口的尺寸。
7.根据权利要求6所述的显示基板,还包括透明绝缘层,其中,所述透明绝缘层设置在所述第一电极和所述第二电极的远离所述衬底基板的一侧,且形成有第一绝缘层开口和第二绝缘层开口;以及
所述第一发光层的有效发光面积为所述第一发光层在所述第一绝缘层开口中的面积,所述第二发光层的有效发光面积为所述第二发光层在所述第二绝缘层开口中的面积。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其中,所述透明绝缘层与所述第一电极的交叠面积小于所述透明绝缘层与所述第二电极的交叠面积。
9.根据权利要求7或8所述的显示基板,其中,所述第一电极与所述第二电极所在的电极层、所述透明绝缘层和所述像素界定层在垂直于所述衬底基板的方向上顺次设置。
10.根据权利要求7或8所述的显示基板,其中,所述第一电极与所述第二电极所在的所述电极层、所述像素界定层和所述透明绝缘层在垂直于所述衬底基板的方向上顺次设置。
11.根据权利要求1-10任一所述的显示基板,还包括彩膜层,其中,所述彩膜层设置在所述第一发光层和所述第二发光层的远离所述衬底基板的一侧且包括黑矩阵;
所述黑矩阵形成有第一黑矩阵开口和第二黑矩阵开口;
所述第一像素单元包括所述第一黑矩阵开口,所述第二像素单元包括所述第二黑矩阵开口;
所述第一黑矩阵开口在所述衬底基板上的正投影位于所述第一电极在所述衬底基板上的正投影中,所述第二黑矩阵开口在所述衬底基板上的正投影位于所述第二电...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐智强,王铁石,秦纬,滕万鹏,徐传祥,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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