薄膜晶体管、像素电路、显示屏、电子设备制造技术

本申请公开了一种薄膜晶体管、像素电路、显示屏、电子设备。薄膜晶体管包括基板、半导体层、设置在基板和半导体层之间的第一绝缘层、栅极层、设置在栅极层和半导体层之间的第二绝缘层、设置在第一绝缘层与基板之间的屏蔽层，屏蔽层的电位为预设电位。本申请的薄膜晶体管、像素电路、显示屏、电子设备由于第一绝缘层与基板之间设置有预设电位的屏蔽层，因此，栅极层的电压不会引起基板上的电荷吸附，减少了栅极层的电压所吸附的电荷量，从而能够减小吸附的电荷对薄膜晶体管的驱动电流造成的影响，进而能够使得应用该薄膜晶体管的显示屏的显示亮度更加均匀。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、像素电路、显示屏、电子设备
本申请涉及显示
，特别是一种薄膜晶体管、像素电路、显示屏、电子设备。
技术介绍
在相关技术中，在显示屏的驱动电路驱动像素发光以显示画面时，驱动电路中的薄膜晶体管的栅极层会吸附电荷，其中，栅极层的电压不同，吸附的电荷量也不同。吸附的电荷会对栅极层的电压造成影响，从而影响薄膜晶体管的驱动电流，进而影响显示屏的发光亮度，使得显示屏的发光亮度不均匀。
技术实现思路
本申请的实施方式提供了一种薄膜晶体管、像素电路、显示屏、电子设备。本申请实施方式的薄膜晶体管包括基板、半导体层、设置在基板和半导体层之间的第一绝缘层、栅极层、设置在栅极层和半导体层之间的第二绝缘层、设置在第一绝缘层与基板之间的屏蔽层，屏蔽层的电位为预设电位。本申请实施方式的像素电路包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括基板、半导体层、设置在基板和半导体层之间的第一绝缘层、栅极层、设置在栅极层和半导体层之间的第二绝缘层、设置在第一绝缘层与基板之间的屏蔽层，屏蔽层的电位为预设电位。本申请实施方式的显示屏包括像素电路，像素电路包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括基板、半导体层、设置在基板和半导体层之间的第一绝缘层、栅极层、设置在栅极层和半导体层之间的第二绝缘层、设置在第一绝缘层与基板之间的屏蔽层，屏蔽层的电位为预设电位。本申请实施方式的电子设备包括壳体和上述显示屏，所述显示屏设置在所述壳体上。本申请实施方式的薄膜晶体管、像素电路、显示屏、电子设备由于第一绝缘层与基板之间设置有预设电位的屏蔽层，因此，栅极层的电压不会引起基板上的电荷吸附，减少了栅极层的电压所吸附的电荷量，从而能够减小吸附的电荷对薄膜晶体管的驱动电流造成的影响，进而能够使得应用该薄膜晶体管的显示屏的显示亮度更加均匀。本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。附图说明本申请的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1是本申请某些实施方式的电子设备的结构示意图；图2是本申请某些实施方式的薄膜晶体管的结构示意图；图3是本申请某些实施方式的像素电路的结构示意图。具体实施方式下面详细描述本申请的实施方式，所述实施方式的实施方式在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。请一并参阅图1和图2，本申请实施方式的电子设备1000包括显示屏300，显示屏300包括像素电路200，像素电路200包括薄膜晶体管100，薄膜晶体管100包括基板10、半导体层20、设置在基板10和半导体层20之间的第一绝缘层30、栅极层50、设置在栅极层50和半导体层20之间的第二绝缘层40、设置在第一绝缘层30与基板10之间的屏蔽层60，屏蔽层60的电位为预设电位。在相关技术中，在显示屏的驱动电路驱动像素发光以显示画面时，驱动电路中的薄膜晶体管的栅极层会吸附电荷，其中，栅极层的电压不同，吸附的电荷量也不同。吸附的电荷会对栅极层的电压造成影响，从而影响薄膜晶体管的驱动电流，进而影响显示屏的发光亮度，使得显示屏的发光亮度不均匀。本申请实施方式的薄膜晶体管100由于第一绝缘层30与基板10之间设置有预设电位的屏蔽层60，因此，栅极层50的电压不会引起基板10上的电荷吸附，减少了栅极层50的电压所吸附的电荷量，从而能够减小吸附的电荷对薄膜晶体管100的驱动电流造成的影响，进而能够使得应用该薄膜晶体管100的显示屏300的显示亮度更加均匀。具体地，薄膜晶体管100(ThinFilmTransistor，TFT)可以对各个独立的像素进行控制，薄膜晶体管100的反应时间较快，约80毫秒，使用薄膜晶体管100能够有效的提高反应时间。薄膜晶体管100具有迁移率高、制作工艺简单、大面积均匀性好和制造成本低等优点。薄膜晶体管100包括基板10，在一个例子中，显示屏300为柔性有源矩阵有机发光二极体(Active-matrixorganiclightemittingdiode，AMOLED)显示屏，基板10可以使用聚酰亚胺(Polyimide，PI)材料作为基板，聚酰亚胺材料具有稳定性高、可耐极低温、机械性能优良和介电性能良好等特点。通过将薄膜晶体管器件形成在聚酰亚胺材料基板上，可以极大的扩展显示屏300的应用场景。柔性有源矩阵有机发光二极体显示屏的驱动是电流发光，可以使用开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管控制电流。薄膜晶体管100包括半导体层20，在一个例子中，半导体层20可以是多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon，LTPSi)材料，多晶硅又简称为P-Si，使用多晶硅材料的半导体层20具有制造成本低、电子迁移速率快、结构简单、稳定性高和制作出的薄膜电路面积更小等优点。在另一个例子中，半导体层20可以是非晶硅材料，例如为氢化非晶硅，氢化非晶硅通过将非晶硅中的悬空键采用氢填充，经过氢化后的氢化非晶硅的悬空键的密度显著减小，使得隙态密度降低至10E16/cm3以下，从而降低载流子通过隙态进行复合的概率，使得半导体层20表现出较好的电学性能。薄膜晶体管100包括设置在基板10和半导体层20之间的第一绝缘层30，第一绝缘层30可以隔绝基板10与半导体层20之间的电子传输，避免了薄膜晶体管100在工作过程中发生漏电或者短路的现象。第一绝缘层30可以为氧化硅、氮化硅、氧化硅、氧化锆以及有机材料中的一种或者多种材料的组合。薄膜晶体管100包括栅极层50，栅极层50可以为金属材料，当栅极层50上有不同大小电压时，栅极层50会吸附不同数量的电荷，吸附的电荷数量不同会导致显示屏300显示的亮度不同，因此可以通过电压数据线来调节显示器300的亮度。薄膜晶体管100包括设置在栅极层50和半导体层20之间的第二绝缘层40，第二绝缘层40可以隔绝栅极层50与半导体层20之间的电子传输，避免了薄膜晶体管100在工作过程中发生漏电或者短路的现象。薄膜晶体管100包括设置在第一绝缘层30与基板10之间的屏蔽层60，屏蔽层60的电位为预设电位。屏蔽层60可以是多晶硅材料的屏蔽层60，也可以是金属材料的屏蔽层60，屏蔽层60具有预设电位，预设电位可以是阳极电源电压，也可以是阴极电源电压，还可以是显示屏300具有的固定电位，甚至可以是单独接入一个地的电位，此处不做限定。屏蔽层60具有预设电位，因此，栅极层50的电压不会引起基板10上的电荷吸附，减少了吸附的电荷量，从而能够减小吸附的电荷对薄膜晶体管100的驱动电流造成的影响，进而能够使得应用该薄膜晶体管100的显示屏300的显示亮度更加均匀。在一个例子中，薄膜晶体管100可以是PMOS，PMOS为低电平导通的薄膜晶体管，例如当栅极层50上导通电压为0V时，显示器300显示的画面为黑画面；当栅极层50上导通电压为-3V本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：/n基板；/n半导体层；/n设置在所述基板和所述半导体层之间的第一绝缘层；/n栅极层；/n设置在所述栅极层和所述半导体层之间的第二绝缘层；/n设置在所述第一绝缘层与所述基板之间的屏蔽层，所述屏蔽层的电位为预设电位。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：
基板；
半导体层；
设置在所述基板和所述半导体层之间的第一绝缘层；
栅极层；
设置在所述栅极层和所述半导体层之间的第二绝缘层；
设置在所述第一绝缘层与所述基板之间的屏蔽层，所述屏蔽层的电位为预设电位。


2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管的周边开设有过孔，所述过孔用于穿设连接线，所述连接线用于连接所述屏蔽层与具有所述预设电位的连接端以使所述屏蔽层的电位为所述预设电位。


3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管的周边涂覆有导电层，所述屏蔽层通过所述导电层与具有所述预设电位的连接端连接以使所述屏蔽层的电位为所述预设电位。


4.根据权利要求2或3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述连接端包括电源阳极、电源阴极或接地端。


5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括第三绝缘层、漏极层和源极层，所述漏极层和所述源极层通过所述半导体层连接，所述第三绝缘层设置在所述漏极层和所述栅极层之间，所述第三绝缘层还设置在所述源极层和所述栅极层之间。


6.一种像素电路，其特征在于，所述像素电路包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
基板；
半导体层；

【专利技术属性】
技术研发人员：程才权，
申请(专利权)人：OPPO广东移动通信有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44