一种新型高可靠性IGBT及其制造方法技术

本发明专利技术涉及功率器件技术领域，具体涉及一种新型高可靠性IGBT及其制造方法，旨在解决现有技术中Dummy Cell区域存在很高的掺杂浓度，影响器件的长期可靠性，其技术要点在于，其中，制造方法包括S1：通过光刻版在所述晶圆衬底表面打开需要刻蚀的区域，并注入Boron离子，再通过高温退火形成Dummy区域，并在晶圆表面沉积氧化层覆盖刻蚀区域；S2：使用Active光刻版打开需要刻蚀的区域，并去除表面氧化层，以打开Cell区域；S3：在晶圆衬底表面形成刻蚀掩蔽层，运用Trench光刻版打开需要刻蚀的区域，并打开深槽刻蚀窗口，进行Si刻蚀，以形成深槽结构。通过优化槽栅结构，提升Dummy Cell侧氧化层厚度，以及保护上方绝缘介质层，减小器件长期对氧化层的注入的影响，提升长期可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种新型高可靠性IGBT及其制造方法
本专利技术涉及功率器件
，具体涉及一种新型高可靠性IGBT及其制造方法。
技术介绍
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着IGBT产品技术的日益成熟，IGBT由最初的PT型，经过NPT型的过渡，发展成为目前的FieldStop，LPT，SPT等IGBT结构，也由平面栅逐渐向拥有更大电流密度，相同电流规格具有更小芯片面积，降低芯片成本，并且具有更低Vcesat的槽栅结构转变。因此槽栅结构并不具备平面栅结构的优良的短本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型高可靠性IGBT的制造方法，其特征在于：包含以下步骤：/nS1：选用晶圆衬底，通过光刻版在所述晶圆衬底表面打开需要刻蚀的区域，并注入Boron离子，再通过高温退火形成Dummy区域，并在晶圆表面沉积氧化层覆盖刻蚀区域；/nS2：使用Active光刻版打开需要刻蚀的区域，并去除表面氧化层，以打开Cell区域；/nS3：在晶圆衬底表面形成刻蚀掩蔽层，然后运用Trench光刻版打开需要刻蚀的区域，并打开深槽刻蚀窗口，再进行Si刻蚀，以形成深槽结构；/nS4：在晶圆衬底形成的深槽表面通过热氧生长1000A的牺牲氧化层，在通过湿法刻蚀将牺牲氧化层漂净，然后通过热氧生长5000A的厚栅氧化层，...

【技术特征摘要】
1.一种新型高可靠性IGBT的制造方法，其特征在于：包含以下步骤：
S1：选用晶圆衬底，通过光刻版在所述晶圆衬底表面打开需要刻蚀的区域，并注入Boron离子，再通过高温退火形成Dummy区域，并在晶圆表面沉积氧化层覆盖刻蚀区域；
S2：使用Active光刻版打开需要刻蚀的区域，并去除表面氧化层，以打开Cell区域；
S3：在晶圆衬底表面形成刻蚀掩蔽层，然后运用Trench光刻版打开需要刻蚀的区域，并打开深槽刻蚀窗口，再进行Si刻蚀，以形成深槽结构；
S4：在晶圆衬底形成的深槽表面通过热氧生长1000A的牺牲氧化层，在通过湿法刻蚀将牺牲氧化层漂净，然后通过热氧生长5000A的厚栅氧化层，使用光刻版打开需要刻蚀的区域，并再次沉淀1000A的栅氧化层，继续沉淀掺杂的Polysilicon，然后使用Poly光刻版打开需要刻蚀的区域，形成槽栅结构；
S5：运用Nplus光刻版打开需要刻蚀的区域，并注入Phosphor离子，形成Nplus区域
S6：在晶圆衬底表面沉积厚度大于1μm的ILD介质层，并运用Contact光刻版打开需要刻蚀的区域，然后刻蚀ILD介质层形成接触孔；
S7：在所述晶圆衬底表面沉积Al...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵家宽，黄传伟，李健，吕文生，谈益民，
申请(专利权)人：江苏东海半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32