一种IGBT器件的平坦化方法技术

本发明专利技术提供一种IGBT器件的平坦化方法，首先通过第一研磨去除部分多晶硅以暴露第一绝缘层，然后通过第二研磨主要去除部分第一绝缘层使其与第二绝缘层的上表面平齐，随后通过第三研磨主要去除第二绝缘层的上表面的多晶硅以暴露第二绝缘层，即各个研磨过程均做到了有针对性的研磨，同时各个研磨过程配合在线终点检测方法实现了对各个研磨终点的控制，避免出现过抛和未充分研磨的情况，从而保证了平坦化处理后得到的第一绝缘层与第二绝缘层的上表面平齐，实现了对晶圆表面形貌均一性的精准控制。

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT器件的平坦化方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种IGBT器件的平坦化方法。
技术介绍
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)又称作绝缘栅双极型晶体管，是目前最具代表性的电力电子器件。IGBT是由BJT(双极结型晶体三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,具有自关断的特征，因此同时具有BJT器件与MOS器件的优点，如电压控制开关、工作频率高、驱动控制电路简单和双极导电等。IGBT器件具有自关断的特征，其导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极(即门极G)。IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。在IGBT器件门极的制备过程中，首先在衬底(1)表面形成氮化硅层；然后去除部分氮化硅以暴露部分衬底，通过光刻在暴露的衬底上形成第一沟槽(2)，并对第一沟槽(2)进行热氧化以形成第一绝缘层(4)，且第一绝缘层(4)的厚度高于所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种IGBT器件的平坦化方法，其特征在于，包括以下步骤：/n对圆晶以第一转速、第一压力并使用第一研磨液进行第一研磨，所述第一研磨液对第一绝缘层(4)与多晶硅层(6)的选择比为(0.9-1)：1，并通过在线终点检测对研磨过程进行检测，至第一绝缘层(4)暴露后停止研磨；/n对圆晶以第二转速、第二压力并使用第二研磨液进行第二研磨，所述第二研磨液对第一绝缘层(4)与多晶硅层(6)的选择比为1:(0-0.02)，并通过在线终点检测对研磨过程进行检测，至所述第一绝缘层(4)与第二绝缘层(5)的上表面平齐后停止研磨；/n对圆晶以第三转速、第三压力并使用第三研磨液进行第三研磨，所述第三研磨液对第一绝缘层(...

【技术特征摘要】
1.一种IGBT器件的平坦化方法，其特征在于，包括以下步骤：
对圆晶以第一转速、第一压力并使用第一研磨液进行第一研磨，所述第一研磨液对第一绝缘层(4)与多晶硅层(6)的选择比为(0.9-1)：1，并通过在线终点检测对研磨过程进行检测，至第一绝缘层(4)暴露后停止研磨；
对圆晶以第二转速、第二压力并使用第二研磨液进行第二研磨，所述第二研磨液对第一绝缘层(4)与多晶硅层(6)的选择比为1:(0-0.02)，并通过在线终点检测对研磨过程进行检测，至所述第一绝缘层(4)与第二绝缘层(5)的上表面平齐后停止研磨；
对圆晶以第三转速、第三压力并使用第三研磨液进行第三研磨，所述第三研磨液对第一绝缘层(4)与多晶硅层(6)的选择比为(0-0.02):1，并通过在线终点检测对研磨过程进行检测，研磨停止时仅第二沟槽(3)内填充有多晶硅；
其中，所述第二转速≥第一转速>第三转速，所述第二压力>第三压力>第一压力。


2.根据权利要求1所述的IGBT器件的平坦化方法，其特征在于，所述第二转速＝第一转速>第三转速。


3.根据权利要求1或...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔凯，
申请(专利权)人：北京烁科精微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11