用于NFC芯片的低功耗CMOS电流源电路制造技术

本申请涉及一种用于NFC芯片的低功耗CMOS电流源电路，包括：第一NMOS管，第二NMOS管，第一电阻，第二电阻，由于本申请中用于NFC芯片的低功耗CMOS电流源电路包括的元器件很少，其整体面积和功耗都很小。其中，第一NMOS管的栅端接入上位电路电流，源端接地；第二NMOS管的栅端接入上位电路电流，源端连接第一电阻第一端；第一电阻第二端连接第二电阻第一端；第二电阻第二端接地。当第一NMOS管和第二NMOS管两路接入的电流相等时，NMOS管的电子迁移率的温度系数为负，只需使第一电阻和第二电阻的温度系数为正，即可实现电路中的电流不随温度变化。

【技术实现步骤摘要】
用于NFC芯片的低功耗CMOS电流源电路
本申请涉及低功耗CMOS电流源电路
，尤其涉及一种用于NFC芯片的低功耗CMOS电流源电路。
技术介绍
NFC是在射频通讯技术上发展出来的一种近距离无线通讯技术，近距离通讯可以提供各种设备安全、快速而自动的通讯。NFC芯片需要放大器对射频信号进行接收，同时需要锁相环产生时钟对数据进行处理。现有技术中，NFC芯片在工作时会升温，温度变化会引起NFC芯片内部的电流变化，而NFC芯片的放大器和锁相环均需要不随温度变化的电流，即要求基准电流与电源电压、温度无关,同时受制造工艺的影响小。
技术实现思路
为至少在一定程度上克服相关技术中存在的问题，本申请提供一种用于NFC芯片的低功耗CMOS电流源电路。本申请的方案如下：一种用于NFC芯片的低功耗CMOS电流源电路，其特征在于，包括：第一NMOS管，第二NMOS管，第一电阻，第二电阻；其中，所述第一电阻和所述第二电阻的温度系数为正；所述第一NMOS管的栅端接入上位电路电流，源端接地；>所述第二NMOS管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于NFC芯片的低功耗CMOS电流源电路，其特征在于，包括：/n第一NMOS管，第二NMOS管，第一电阻，第二电阻；其中，所述第一电阻和所述第二电阻的温度系数为正；/n所述第一NMOS管的栅端接入上位电路电流，源端接地；/n所述第二NMOS管的栅端接入上位电路电流，源端连接所述第一电阻第一端；/n所述第一电阻第二端连接所述第二电阻第一端；/n所述第二电阻第二端接地。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于NFC芯片的低功耗CMOS电流源电路，其特征在于，包括：
第一NMOS管，第二NMOS管，第一电阻，第二电阻；其中，所述第一电阻和所述第二电阻的温度系数为正；
所述第一NMOS管的栅端接入上位电路电流，源端接地；
所述第二NMOS管的栅端接入上位电路电流，源端连接所述第一电阻第一端；
所述第一电阻第二端连接所述第二电阻第一端；
所述第二电阻第二端接地。


2.根据权利要求1所述的用于NFC芯片的低功耗CMOS电流源电路，其特征在于，所述第一NMOS管的栅端接入的上位电路电流和所述第二NMOS管的栅端接入上位电路电流相等，所述低功耗CMOS电流源电路中流经的电流值表达式为：









其中，I为所述低功耗CMOS电流源电路中流经的电流值，为所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的电子迁移率，为单位面积的栅氧化层电容，W1为所述第一NMOS管的宽，L1为所述第一NMOS管的长，为所述第一NMOS管栅极和源极的电压差，为阈值电压，W2为所述第二NMOS管的宽，L2为所述第二NMOS管的长，为所述第二NMOS管栅极和源极的电压差，R1为所述第一电阻的阻值，R2位所述第二电阻的阻值。


3.根据权利要求2所述的用于NFC芯片的低功耗CMOS电流源电路，其特征在于，在所述第二NMOS管的是所述第一NMOS管的的m倍时，所述低功耗CMOS电流源电路中流经的电流值表达式为：



其中，I为所述低功耗CMOS电流源电路中流经的电流值，m为所述第二NMOS管的和所述第一NMOS管的的倍率系数。


4.根据权利要求3所述的用于NFC芯片的低功耗CMOS电流源电路，其特征在于，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的电子迁移率温度系数为负。


5.根据权利要求4所述的用于NFC芯片的低功耗CMOS电流源电路，其特征在于，所述上位电路包括：
第一PMOS管，第二PMOS管，第三PMOS管，第四PMOS管，第五PMOS管，第六PMOS管，第七PMOS管，第三NMOS管，第四NMOS管，第五NMOS管，第六NMOS管，第七NMOS管和电源。

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟伟，
申请(专利权)人：四川科道芯国智能技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51